Nano Lett.: 二维半导体异质结莫尔激子重构和杂化特性的研究
近年来,以石墨烯、过渡金属硫化物(TMDCs)为代表的二维半导体材料,由于其极限的原子层结构及优异的电学、光学、力学等物理特性,逐渐发展成为凝聚态物理等基础学科的热点研究方向。同时,二维材料的表面原子排布特性及其较强的层间耦合相互作用特性,可使得晶格不匹配的二维材料相互堆叠,形成二维范德华异质结。其中,当具有...
ACS NANO:镁掺杂氧化锌中稳健可翻转极化及其耦合电学特性
电阻调制源于MZO的极化方向改变,导致多数载流子在薄膜/基底异质界面附近积累或耗尽,影响电子输运的势垒高度和宽度。因此,电阻的变化可以归因于界面的极化调制p-n异质结。此外,我们观察到了一种可重复的约为100倍的电阻切换,其电子输运方式与界面导电机制一致。图4.镁掺杂浓度对极化可切换性和电机械性能的影响接着...
《AFM》天工大康卫民团队:异质结促进锂盐在聚合物固体电解质中的...
如图4,通过实验测试验证了BIT-BOBHNFs/PEO/LiTFSI复合电解质的特性,改性的电解质具有明显改善的性能。首先,BIT-BOBHNFs陶瓷填料的加入对PEO基电解质力学性能、结晶度、热稳定性能具有积极影响。同时,异质结纳米陶瓷填料的加入显著提升了电解质离子电导率、锂离子迁移数和电化学窗口等电化学性能。复合固体电解质的...
冯新亮/马骥团队Angew:链增长聚合助力石墨烯纳米带异质结的精准...
石墨烯纳米带(GrapheneNanoribbons,GNRs)具有带隙精确可调的特性,以及在光学、电学、磁学方面表现出的优异性质,使其在晶体管、量子器件等应用中具有广阔前景。其中,石墨烯纳米带异质结(GNRHeterojunctions)通过将不同拓扑结构的GNRs相结合,从而可以实现对其带隙和局部性质的进一步调控。此外,石墨烯纳米带异质结...
中国科大在半导体p-n异质结中实现光电流极性反转
近日,中国科学技术大学微电子学院龙世兵教授、孙海定研究员团队在氮化镓(GaN)半导体p-n异质结中实现了独特的光电流极性反转(即双向光电流现象)。相关成果以“Bidirectionalphotocurrentinp–nheterojunctionnanowires”为题于9月23日发表在《自然??电子学》上(NatureElectronics2021,4,645–652)。这是中国科大...
科学家揭示二维材料异质结间热传输机制,有望用于电子元件热管理
此外,由于材料极易受到周围环境的干扰,而导致自身性质和结构的改变(www.e993.com)2024年7月30日。因此,热导率等热学性质的测量准确性成为一大挑战。该研究采用拉曼和光致荧光光谱等无损的纯光学手段来研究传热,没有向材料结构中引入复杂的电极、金属反射膜和微机电等结构,能够极大程度地保证材料性质和层间结构的稳定性。并且,该方法能够排除...
中国科大在功率电子器件领域取得重要进展
图2.(a-c)线型缺陷的表面形貌及电学特性,(d)通过氧气退火改善缺陷后的器件击穿特性,(e)优化前后器件的漏电机制对比。2.低漏电、高耐压的β-Ga2O3异质结势垒肖特基二极管针对高电场下β-Ga2O3SBD器件肖特基结中心区域仍会引起较大的泄漏电流这一问题,引入了降低表面电场(RESURF)技术—结势垒肖特基结构。p-NiO...
原子力显微镜助力光伏新时代
图4:关联局部光学和纳米电学特性理解钙钛矿材料空间异质性的起源对于提升光电转化效率至关重要。这项研究中,甲基铵铅溴化物(CH3NH3PbBr3或MAPbBr3)沉积在玻璃(Glass)/碲化镉(ITO)/聚(3,4-亚乙基二氧硫)聚苯乙烯(PEDOT:PSS)等基底上制备薄膜。样品被安装在AFM样品并通过488nm激光束激发,生成局部相对光致...
Ge组分对SiGe HBT主要电学特性的影响
综上所述,SiGeHBT的电学特性参数fT和β与Ge的含量和分布关系密切,本文通过计算分析,得到SiGeHBT中Ge的组分和含量对其主要电学特性的影响。1Si/Si1-xGex异质结与SiGeHBT1.1Si1-xGex异质结在异质结晶体管中基区采用带隙宽度较小的半导体材料,而发射区采用带隙宽度较大的半导体材料,可以使器件获得高的...
从传统电学到超快光学 ——二维材料低温测量技术盘点
证明了在过渡金属二硫系化合物双层膜中扭转两层材料的角度可以改变两层中自旋谷的动量排列,从而实现对自旋谷特性的控制。这些结果为可调手性光-物质相互作用开辟了新的途径,使利用谷自由度制造新器件方案成为可能。该研究表明在二维范德华异质结材料中的扭转自由度为电学和光学性质的研究提供了一个新的工具。