他们来了!12月5-7日,50位嘉宾从宽禁带半导体、金刚石前沿应用、超...

磨抛工艺在超宽禁带半导体材料衬底制备中的应用王彬,合美半导体(北京)有限公司总经理16:00-16:20SiC粉料特性对单晶生长影响的研究孙成元,哈尔滨工业大学化工与化学学院正高级工程师16:20-16:45单晶钻石金字塔阵CMP集成电路晶圆的优势宋健民博士论坛2W1馆半导体与加工主论坛2024年12月5日星期四上午...

化合物半导体的特性及应用领域是什么?其在这些领域的发展前景如何?

化合物半导体的特性使其在性能上相较于传统的硅半导体具有显著优势。例如,化合物半导体具有更高的电子迁移率,这意味着电子在材料中能够更快速地移动,从而实现更高的工作频率和更快的信号处理速度。同时,它们还具有更好的耐高温、耐高压和抗辐射性能,能够在恶劣的工作环境中保持稳定的性能。在应用领域方面,化合物半导...

跨学科制备具有忆阻特性的半导体二维材料!

然而,合成具有忆阻特性的半导体二维材料面临着许多挑战,特别是如何在保持其半导体属性的同时,实现忆阻特性,尤其是对于III–V族化合物,以其强健的共价键和特定的结构偏好如锌闪烁体或纤锌矿结构,合成自由立的III–V范德华晶体,尤其是具有忆阻特性的晶体,仍然是一个重大科学难题。有鉴于此,韩国首尔延世大学Aloys...

半导体新材料(忆阻器、第三代半导体等)电学特性研究方案及资料

第三代半导体材料主要包括SiC、GaN、金刚石等,具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点,可满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件的新要求。未来高频控制、低损耗的高性能全控型器件MOSFET、IGBT以及第三代半导体功率器件将成为市场发展的重心。以碳化硅(SiC)和...

详解第三代半导体材料:碳化硅和氮化镓

第三代半导体材料以其宽带隙特性,在高温、高频、高效率和高功率电子器件中展现出巨大的潜力,是未来半导体技术发展的重要方向。尽管这些材料目前仍处于发展阶段,但它们预计将在多个领域内逐渐取代前两代半导体材料,特别是在那些对性能要求极高的应用中。#02

中国科大在新型拓扑材料外尔半导体的实验发现中取得原创性进展

中国科大在新型拓扑材料外尔半导体的实验发现中取得原创性进展在新型量子材料中,具有特殊能带结构的拓扑材料也兼具新奇电子输运特性(www.e993.com)2024年11月27日。相关研究不仅可以加深对于拓扑物态的理解,更有望推动新型高性能电子学器件的发展。一个典型的代表是目前引起广泛关注的外尔半金属体系,其输运研究往往表现出超大非饱和磁阻、平行磁场下的负...

...是技术成熟和应用广泛的制冷型探测器之一,所用的半导体材料为...

答:InSb探测器目前在制冷红外领域是技术成熟和应用广泛的制冷型探测器之一,所用的半导体材料为InSb(锑化铟)。锑化铟属于V-III族半导体,具有稳定性高、材料缺陷率低等优点,有利于通过标准化流程进行批量化生产,但受材料特性影响无法响应长波波段,主要用于中波制冷红外探测器。由于中波制冷红外具有抗雾霾、抗烟尘、抗高温...

重塑半导体未来:金刚石衬底材料的崛起与无限可能

金刚石半导体衬底材料的种类与特性金刚石作为人造材料,以其独特的物理化学性质,被认为是制备下一代高功率、高频、高温及低功率损耗电子器件的理想材料。全球人造金刚石行业主要有高温高压法(HTHP)和化学气相沉积法(CVD)两种制备方法。其中,CVD法因其耐高压、大射频、低成本、耐高温等优势,成为制备金刚石半导体衬底的...

科学家成功解码“材料基因组”,推动开发新一代半导体等材料

在最新一期《自然·材料》杂志上的一篇论文中,澳大利亚悉尼大学团队报告了一种解码“材料基因组”的新方法。该方法能检测晶体材料原子级结构的微小变化,提高了人们理解材料特性和行为基本起源的能力。这一突破对于开发创新材料至关重要,将推动人们开发用于航空航天业的更坚固且更轻的合金、用于电子设备的新一代半导体以...

江苏艾森半导体材料股份有限公司 2023年年度报告摘要

江苏艾森半导体材料股份有限公司关于召开2023年年度股东大会的通知本公司董事会及全体董事保证公告内容不存在任何虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏,并对其内容的真实性、准确性和完整性依法承担法律责任。重要内容提示:●股东大会召开日期:2024年5月17日...