双极性结型晶体管的开关损耗
该模拟双极性结型晶体管的Q1由3.3V数字信号控制,并将电流切换到50Ω负载。一种LTspice双极结晶体管电路。图2:在LTspice中建模的图3显示了运行模拟时产生的基极-发射极和集电极-发射极电压。在开关周期的有源部分,模拟BJT开关的基极-发射极和集电极-发射极电压。图3。在开关周期的有效部分期间,基极到发射...
单极性PWM技术在雷达天线控制中的应用
雷达天线控制系统一般采用脉冲宽度调制(PWM)技术实现电机调速,由功率晶体管组成的H桥功率转换电路常用于拖动伺服电机。根据在一个开关周期内,电枢两端所作用的电压极性的不同分为双极性和单极性模式PWM。双极性PWM功率转换器中,同侧的上、下桥臂控制信号是相反的PWM信号;而不同侧之间上、下桥臂的控制信号相同。在P...
电力双极型晶体管
电力晶体管有与一般双极型晶体管相似的结构、工作原理和特性。它们都是3层半导体,2个PN结的三端器件,有PNP和NPN这2种类型,但GTR多采用NPN型。GTR的结构、电气符号和基本工作原理,如图1所示。在应用中,GTR一般采用共发射极接法,如图1(c)所示。集电极电流ic与基极电流ib的比值为β=ic/ib(1)式中,β称为GT...
IGBT过流和短路保护故障解析
原则上讲,可以通过使IGBT栅极-发射极电压下降至0V实现该目标。但是,必须考虑逆变器臂上低端晶体管导通时的副作用。导通时开关节点电压的快速变化导致容性感应电流流过低端IGBT寄生密勒栅极-集电极电容(图3中的CGC)。该电流流过低端栅极驱动器(图3中的ZDRIVER)关断阻抗,在低端IGBT栅极发射极端创造出一个瞬变电压...
工业电机驱动IGBT过流和短路保护的问题及处理方法
原则上讲,可以通过使IGBT栅极-发射极电压下降至0V实现该目标。但是,必须考虑逆变器臂上低端晶体管导通时的副作用。导通时开关节点电压的快速变化导致容性感应电流流过低端IGBT寄生密勒栅极-集电极电容(图3中的CGC)。该电流流过低端栅极驱动器(图3中的ZDRIVER)关断阻抗,在低端IGBT栅极发射极端创造出一个...
变频器运维工程师必读文章丨IGBT过流和短路保护
功率半导体器件制造商不断在导通损耗和开关时间上寻求突破(www.e993.com)2024年9月11日。有关增加绝缘栅极双极性晶体管(IGBT)导通损耗的一些权衡取舍是:更高的短路电流电平、更小的芯片尺寸,以及更低的热容量和短路耐受时间。这凸显了栅极驱动器电路以及过流检测和保护功能的重要性。本文讨论现代工业电机驱动中成功可靠地实现短路保护的问题。
科普:电子技术的主要知识
晶体二极管简称二极管,是在本征半导体基片上利用掺杂生成一个P区和一个N区,并在P区和N区安上电极引线,再用外壳(管壳)封装加固后构成的。2、二极管的分类1)根据基片材料分类根据基片材料不同,二极管分为锗二极管和硅二极管。锗二极管以本征锗材料为基片,硅二极管以本征硅材料为基片。
负反馈稳定放大器增益原理浅析
放大器仅仅具有稳定的工作点还是不够的,在某些情况(如RL变化)下,即使工作点稳定,其增益仍要发生变化。增。益采用交流负反馈问题。在这个电路里,由于R1跨接在输出端与晶体管T1的发射极之间,因此输出电压Vo的一部分能够通过R1加在Re上,从而构成了反馈,利用瞬时极性法进行分析如下:...
圣禾堂科技:电子元器件筛选方案有哪些?
16、三极管的三个角分别代表什么意思?答:分别代表基极(b)、发射极(e)、集电极(c)。17、什么是晶振?答:能产生具有一定幅度及频率波形的振荡器,它一般作为单片机的时钟基准,对于单片机来说,它就是一块腕表,为单片机作任何事情时提供时间参考。18、单片机是什么意思?
【转帖】典型四款直流稳压电路原理
这是由于电源在工作时,T发射结导通,发射极电压与基极电压连结一致,而基极电压被Dz稳定在一个固定值。这个电路可以看作T将Dz的稳压作用放大了B倍,相当于接入一个稳压值为Dz稳压值,稳压效果为B倍D2稳压效果的稳压管。并联稳压电路稳压性能有所提高,线路也不复杂,其优点是:有过载自保护性能,输出断路时调整管不会...