用于模拟IC设计的小信号MOSFET模型

MOSFET在线性区域时输出电阻较小,在饱和区域时输出电阻较大。在上图中,NMOS和PMOS晶体管在约1.5V时进入饱和状态。因为正如我们在跨导中看到的那样,饱和区提供了更好的小信号性能,我们只关心晶体管处于饱和状态时的输出电阻。我们可以计算为:方程式4其中λ是信道长度调制。当考虑到饱和时I-V曲线的斜率由通道...

基础知识之晶体管

一般而言的晶体管是指这种由硅构成的晶体管。FETFieldEffectTransistor的简称,是指场效应晶体管。有接合型FET和MOS型FET以及GaAs型。接合型FET多用于音频设备等的模拟电路中,MOS型FET主要用于微控制器等数字IC。GaAs型用于卫星广播信号接收等的微波增幅。※MOSMetalOxideSemicONductor的简称,因其构造分别是...

技术科普 | 汽车电机控制器详解

信号采集:电机控制器需要采集电机的三相电流(ia、ib、ic)和位置信号。这些信号对于实现精确的电机控制至关重要。电流传感器和位置传感器(如旋变传感器)提供了必要的信息。矢量控制算法:软件实现矢量控制算法,这是一种先进的控制策略,它将电机的电流分解为与磁场和转矩相关的分量,允许对电机的转速和转矩进行独立控制。

一文搞懂IGBT

IGBT,绝缘栅双极型晶体管,是由(BJT)双极型三极管和绝缘栅型场效应管(MOS)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有(MOSFET)金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管(GTR)的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;(因为Vbe=0.7V,而Ic可以很大(跟PN结材料和厚度有关))MO...

深入浅出理解三极管|基极|晶体管|npn|集电极_网易订阅

1.饱和区的特点。三级管的电流IC与IB和VCE都有关,当VCE不变时,IB变化引起的IC变化不大;但是反过来,IB固定,VCE变化一点点就会引起IC剧烈变化,换句话说三极管已经饱和了,饱和的意思就是满了,我们可以用向水杯里倒水的模型来记忆这个过程,如图1-28所示,IB就是水龙头注水的水流,IC就是水面的高度,VCE就是指水...

技术前沿:AI时代的高速以太网交换技术

排队调度:对于可转发的数据包,根据802.1P或DSCP将会进入不同队列的buffer中,调度器会依据优先级(如基于二层的IEEE802.1p优先级或基于IP层的IP优先级和DSCP优先级)或既定算法(如WRR)来进行队列调度,在端口将该数据包发出之前执行流分类的修改动作;最终转发:最终经由相应端口发出,实现交换机的数据转发功能(www.e993.com)2024年11月5日。

详解电容加速电路

IB=IC/hFE。晶体管饱和动作时,如图2所示,基极电流IB,即使为0,晶体管也不能立即关断,集电极电流在积蓄(strage)时间tstg+上升时间tr,之后才变为0(toff=tstg=tr)。图1基本的晶体管开关电路图2为使开关高速,减小toff很重要用于OFF晶体管的时间差。toff比用于ON的时间ton要长,而且根据驱动基极的条件变化...

icspec干货 | 40个实用模拟电路小常识

19、主流是从发射极到集电极的IC,偏流就是从发射极到基极的Ib。相对与主电路而言,为基极提供电流的电路就是所谓的偏置电路。20、场效应管三个铝电极:栅极g,源极s,漏极d。分别对应三极管的基极b,发射极e,集电极c。<源极需要发射东西嘛,所以对应发射极e,栅极的英文名称是gate,门一样的存在,和基极的作用差不...

IC早报|Arm计划提高价格;外交部回应美国半导体法具体规定……

饱和区室温弹道率高达83%，超过任何已报道的硅基FET；二维材料表面高质量生长2.6nm超薄双栅氧化铪（HfO2）介电层，器件跨导提升至6mSμm??1，超过所有已报道二维器件一个数量级；通过钇（Y）掺杂诱导二维相变解决二维器件领域半导体-金属接触较差的问题，总电阻低至124Ωμm，满足对于下一代晶体管电阻的...

晶体管的分类及不同类型| BJT、场效应管、NPN、PNP

IE=IB+ICNPN晶体管的符号和结构如下所示。PNP晶体管PNP是另一种类型的双极结型晶体管(BJT)。PNP晶体管包含两种p型半导体材料,并由一层薄薄的n型半导体隔开。PNP晶体管中的多数电荷载流子是空穴,而电子是少数电荷载流子。晶体管发射极端子中的箭头表示常规电流的流动。在PNP晶体管中,电流...