新一代1700V IGBT7技术及其在电力电子系统中的应用优势
2022年11月18日 - 电子产品世界
因为FF750R17ME7D的二极管电流为1200A,所以它比FF900R17ME7的压降更低。当基于器件各自的标称电流时,FF750R17ME7D的正向压降为1.8V,比FF600R17ME4低0.15V,大约7.7%。FF900R17ME7为2.2V,比FF600R17ME4高0.25V,大约12.8%。当电流大约超过300A时,FF600R17ME4二极管的压降是正温度系数,而FF750R17ME7D和FF900...
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IGBT窄脉冲现象解读
2022年5月24日 - 电子工程世界
从测试看这个例子FF1000R17IE4,最小脉冲ton最为合理时间不要小于3us。大电流模块和小电流模块在这个问题上表现有差异吗?以FF450R12ME3中等功率模块为例,下图为不同测试电流Ic在ton变化时候的电压过冲。类似结果,小电流条件低于1/10*Ic下ton对关断电压过冲影响可以忽略。当电流增加到额定电流450A,甚至2*Ic电...
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变流器的核心器件MOSFET和IGBT
2010年11月20日 - 电子产品世界
正温度系数饱和压降的IGBT是可以并联使用的,并且能够达到很好的均流效果。例如,INFINEON的FF450R17ME3,下图是其饱和压降的温度特性,当集电极电流大于100A时,饱和压降有良好的正温度系数。本人使用两个模块并联,输出总电流400A交流有效值,实测并联模块电流的不均匀度小于5%...
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