8种开关电源MOS管的工作损耗计算
开启过程损耗,指在MOSFET开启过程中逐渐下降的漏源电压VDS(off_on)(t)与逐渐上升的负载电流(即漏源电流)IDS(off_on)(t)交叉重叠部分造成的损耗。开启过程损耗计算:开启过程VDS(off_on)(t)与IDS(off_on)(t)交叉波形如上图所示。首先须计算或预计得到开启时刻前之VDS(off_end)、开启完...
吃透MOS管,看这篇就够了
上面图中,下边的p型中间一个窄长条就是沟道,使得左右两块P型极连在一起,因此mos管导通后是电阻特性,因此它的一个重要参数就是导通电阻,选用mos管必须清楚这个参数是否符合需求。解释2:n型上图表示的是p型mos管,读者可以依据此图理解n型的,都是反过来即可。因此,不难理解,n型的如图在栅极加正压会导致导通,...
芯片设计流片、验证、成本的那些事
3.工程实验片(engineeringdie)和测试芯片(testdie):这些芯片与正式芯片或电路芯片不同。它包括特殊的器件和电路模块用于晶圆生产工艺的电性测试;4.边缘芯片(edgedie):在晶圆边上的一些掩膜残缺不全的芯片而产生的面积损耗。由于单个芯片尺寸增大而造成的更多边缘浪费会由采用更大直径晶圆所弥补。推动半导体工...
杭可科技2023年年度董事会经营评述
2、驱动板增加均流检测,在每项MOS管下增加分流器用于检测每项MOS管的电流,当每项MOS管之间的电流超过一定差值,会触发异常报警,避免了因每项MOS管损坏或者控制失效造成电路异常,从而保证均流功能的可靠性。3、驱动板设计一块辅助电源,改变了驱动板的供电方式,可以使得驱动板直接从直流母线上取电,减少了传统意义上的...
这位大牛记录下了电路设计的全过程
对于CCM模式变换器,KRF<1,此时,KRF的取值会影响到初级电流的均方根值(RMS),KRF越小,RMS越小,MOS管的损耗就会越小,然而过小的KRF会增大变压器的体积,设计时需要反复衡量。一般而言,设计CCM模式的反激变换器,宽压输入时(90~265VAC),KRF取0.25~0.5;窄压输入时(176~265VAC),KRF取0.4~0.8...
汽车数据线缆探讨之衰减篇
本文以某一厂商设备为例,简单讲解一下衰减测试方法/01测试装置示意图▲图11测试装置示意图///02在测试设备上设置起止频率,测试S参数设置为S21;///03连接夹具和仪器端口;///04校准S21参数;///05连接被测电缆测试衰减值;莱尼(LEONI)目前是汽车电缆行业的领军者,目前大部分的汽车线缆标准...
MOS管损耗的8个组成部分
MOS管损耗的8个组成部分在器件设计选择过程中需要对MOSFET的工作过程损耗进行先期计算(所谓先期计算是指在没能够测试各工作波形的情况下,利用器件规格书提供的参数及工作电路的计算值和预计波形,套用公式进行理论上的近似计算)。MOSFET的工作损耗基本可分为如下几部分:...
如何用万用表测试MOS管及更换方法
在修理电视机及电器设备时,会遇到各种元器件的损坏,MOS管也在其中,这就是我们的维修人员如何利用常用的万用表来判断MOS管的好坏、优劣。在更换MOS管时如果没有相同厂家及相同型号,如何代换的问题。1、MOS管的测试:作为一般的电器电视机维修人员在测量晶体三极管或二极管时,一般是采用普通的万用表来判断三极管或者...
万用表测试MOS管使用及更换总是很难?看看这个吧!(一)
1、MOS管的测试:作为一般的电器电视机维修人员在测量晶体三极管或二极管时,一般是采用普通的万用表来判断三极管或者二极管的好坏,虽然对所判断的三极管或二极管的电气参数没法确认,但是只要方法正确对于确认晶体三极管的“好”与“坏”还是没有问题的。同样MOS管也可以应用万用表来判断其“好”与“坏”,从一般的维修...
如何正确选择MOS管?需要注意哪些细节?
4)选择MOS管的最后一步是决定MOS管的开关性能影响开关性能的参数有很多,但最重要的是栅极/漏极、栅极/源极及漏极/源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗,因为在每次开关时都要对它们充电。MOS管的开关速度因此被降低,器件效率也下降。为计算开关过程中器件的总损耗,要计算开通过程中的损耗(Eon)和关闭过程中...