MOS管开关电路设计,用三极管控制会烧坏?
MOS管开关电路但是这个电路的缺点也是显而易见,由于MOS管有一个寄生的二极管,如果CD5V的滤波电容过大,或者后端有别的电压串进来,会把前端给烧坏!电流路径如下:后端电流路径如何改善这个问题呢?有两个方式,一种是在后端串联二极管。防止后端电压电流串扰的电路优点,电路简单,BOM成本低!缺点,二极管动态负载...
吃透MOS管,看这篇就够了
2)、开关速度快:MOSFET的开关速度和输入的容性特性的有很大关系,由于输入容性特性的存在,使开关的速度变慢,但是在作为开关运用时,可降低驱动电路内阻,加快开关速度(输入采用了后述的“灌流电路”驱动,加快了容性的充放电的时间)。MOSFET只靠多子导电,不存在少子储存效应,因而关断过程非常迅速,开关时间在10—100ns...
MOS管烧了,可能是这些原因
通过允许开关转换之间的死区时间(在此期间两个MOS管均不导通),可以最大限度地减少发生击穿的机会,这允许一个MOS管在另一个MOS管打开之前关闭。没有续流电流路径当通过任何电感负载(例如特斯拉线圈)切换电流时,电流关闭时会产生反电动势。在两个开关设备都没有承载负载电流时,必须为此电流提供续流路径。该电流通...
【干货】使用 MOS管构建双向逻辑电平转换器
转换速度与MOS管的开关速度相同。因此,在上面的案例中,根据BS170数据表,MOS管的导通时间和MOS管的关断时间如下所述。这里的MOS管需要10nS开启和10nS关闭,这意味着它可以在一秒钟内打开和关闭10,00,000次。假设我们的通信线路以每秒115200位的速度(波特率)运行,那么这意味着它在一秒钟内仅打开和关闭1,15...
从内部结构到电路应用,这篇文章把MOS管讲透了。
试想,弱驱动信号瞬间变为高电平,但是为了“灌满”寄生电容需要时间,就会产生上升沿变缓,对开关频率形成重大威胁直至不能工作。解释8:如何工作在放大区Mos管也能工作在放大区,而且很常见,做镜像电流源、运放、反馈控制等,都是利用mos管工作在放大区,由于mos管的特性,当沟道处于似通非通时,栅极电压直接影响沟道...
开关电源电路设计的10个经验
正确的测试漏感的方法应该是其余器件先不焊,将变压器首先焊接在PCB上,然后用粗短线将MOS管,输出整流二极管短接,将输出滤波电容短接,从输入滤波电容测量进去得到的是输入的漏感(www.e993.com)2024年9月9日。将输入滤波电容短接,从输出滤波电容测量进入,得到的是输出端的漏感,这样的测试方法考虑了PCB的分布电感,更接近实际的情况。
MOS管在汽车LED 中的应用方案
3.开关速度:LED驱动需要快速开关以控制亮度和频闪等特性,因此选型时需要考虑MOS管的开关速度(如开启和关闭时间)以确保系统性能。4.热特性:LED驱动过程中MOS管会产生一定的热量,需要考虑MOS管的导热性能和最大工作温度,以确保系统稳定性和长期可靠性。
2024年计算机软考中级【硬件工程师】面试题目汇总(附答案)
以stm32单片机为例,其io的输出电流一般在十几毫安到几十毫安之间,驱动器件的时候多采用单片机低电平驱动能力强的特点。但是单片机的io口不能直接驱动MOS管,因为无法提供足够的输出电流,因此想要驱动MOS管,需要在使用低电流驱动的同时再接一个三极管,达到扩充io口输出电流的作用,从而可以驱动MOS管。
如果把开关电源的频率无限提升,会发生什么?
曾经笔者在delta用在3kW的逆变器上的一款600V的coolmos为例。看看这些具体的开关时间是多少?那么对于这个mos管来说,它的极限开关频率(在这种极限情况下,mos管刚开通就关断)fs=1/(16+12+83+5)ns=8.6MHz,当然,在实际应用中,由于要调节占空比,不可能让开关管一开通就关断,所以实际的极限频率是远低于8.6MHz的,...
达新半导体|张海涛:Si/SiC/GaN功率器件技术路线对比浅析
碳化硅MOSFET目前新的测试方法涌现的非常快,每年都有新的测试方法出来,像KGD筛选,晶圆级和成品级Burnin测试都非常多,但很多标准也正在制定当中。另外在氮化镓测试方面,目前大家常用的还是传统的动态电阻测试。动态电阻的测试主要有两种,一种是施加一个直流电应力,另外一种是施加一百千赫兹以内的交变电应力。但是目前...