芯片新品|三星计划2026年推出400层V10 NAND闪存,用于AI服务器

存储芯片制造商三星电子计划在2026年前推出400层V-NAND闪存芯片，以在人工智能（AI）热潮中引领快速增长的存储设备市场。根据三星的存储芯片发展规划，其负责半导体业务的设备解决方案部门（DS）目标是最早在2026年生产出至少有400层单元垂直堆叠的V-NAND，以最大限度地提高容量和性能。三星目前批量生产286层大容量V9NA...

存储芯片巨头,秀肌肉!

当CTL缩小到4纳米时,BN势垒的优势变得更加明显,与相同厚度的纯SiNCTL相比,它具有更大的存储窗口、更好的空穴保持能力和更快的擦除速度,这有助于推进3DV-NAND闪存器件的XY缩放。在三星和浦项大学合著的论文“ElectricallyErasableOxide-Semiconductor-ChannelChargeTrapFlashMemorywithUnip...

联芸科技申请闪存控制芯片的验证方法和系统专利,大大缩短验证时间

金融界2024年8月25日消息,天眼查知识产权信息显示,联芸科技(杭州)股份有限公司申请一项名为“闪存控制芯片的验证方法和系统“,公开号CN202310196507.8,申请日期为2023年2月。专利摘要显示,公开一种闪存控制芯片的验证系统及方法。该系统通过模拟固件行为的固件行为模拟器,缩短了CPU对固件的调度耗时...

至讯创新量产512Mb工业级NAND闪存芯片

至讯创新科技(无锡)有限公司(简称:至讯创新)成功量产并发布512Mb高可靠性二维NAND工业级闪存芯片,实现了业内同等容量下最小的芯片尺寸。这款全新的工业级闪存芯片拥有512Mb的产品容量,在完全达到工业级性能和可靠性要求的同时,对芯片尺寸做了全面优化,性价比优势凸显。512Mb的容量使该芯片同时能够兼顾系统代码存储和...

业界最高密度,西部数据预览 BICS8 2Tb QLC NAND 闪存芯片

IT之家6月14日消息,西部数据在前不久的投资者活动上预览了2Tb容量版本的BICS8(218层)QLCNAND芯片,这也是业界目前最高密度的闪存芯片。该存储颗粒专为满足数据中心与AI存储需求设计,可进一步降低高容量企业级固态硬盘成本,满足越来越庞大的数据存储需求。

铠侠亮相UFS 4.0闪存芯片:1TB容量 6月份供应

铠侠最新一代UFS4.0闪存芯片近日亮相,提供256GB、512GB和1TB容量规格(www.e993.com)2024年11月22日。这款新型闪存芯片能够显著提升5G网络的使用效率,并且下载速度更快,同时延迟时间大幅降低,为用户带来更好的体验。此外,新闪存芯片采用了铠侠的BiCSFlash3D闪存技术和主控芯片,并集成了MIPIM-PHY5.0和UniPro2.0技术。它支持每通道最高达到23.2...

关键闪存芯片紧缺 固态硬盘价格或起飞在即

据科技媒体Tom'sHardware报道，由于关键闪存芯片紧缺，SSD（固态硬盘）的价格将在本季度晚些时候“飞涨”，尤其是大容量消费级产品。“关键闪存芯片”即多个NAND器件组成的NAND封装芯片。据了解，M.2-2280规格的单面固态硬盘需要4个3DNAND器件，目前这种规格的2TB和4TB产品普及率更高，该产品搭载的NAND芯片需要4个或...

韩国存储芯片出口暴涨,全球游戏玩家追悔莫及!

电脑上常用的固态硬盘,主要成本来源于闪存芯片及存储数据的部件,长江存储率先突破了232层3DNAND,并成功实现量产。简单说,固态PCB板的空间有限,闪存堆叠的密度越高,就可以用更低的成本实现相同的存储容量。而长江存储这一技术突破,甚至比前述5大国际存储巨头厂商还要快了半步。最先宣传232层NAND的行业巨头美光,...

绕过光刻机造8nm芯片?复旦大学突然宣布,外媒:大势已去了

但复旦大学研究团队表示,通过自对准工艺和超快存储叠层电场设计理论是可以不依赖EUBVB光刻机,便能将闪存芯片的工艺达到15nm以下,甚至8nm这样的制程工艺的。不仅如此,据研究人员表示,这种闪存芯片采用的是也是全新的二维半导体结构,其在速度上预计会有1000倍的提升,并且还能具备超快编程、10年非易失、十万次循环...

劣质闪存芯片暗藏 U 盘和 SD 卡中,数据恢复公司揭露黑幕

IT之家2月4日消息,数据恢复公司CBL近日发出警告,越来越多的U盘和SD卡使用来源不明的劣质NAND闪存芯片,严重威胁到数据安全。图源PexelsCBL数据恢复公司总经理康拉德??海尼克(ConradHeinicke)表示,他们近期在处理故障U盘时发现,许多设备内部的内存芯片不仅容量缩水,而且制造商标志也被磨掉...