无惧360W处理器、内存延迟仅55ns!iGame Z790D5 FLOW主板实战
当然由于七彩虹iGameZ790D5FLOW主板在默认设置下已经将酷睿i9-14900K的PCore全核心频率从默认的5.6GHz提升到了5.7GHz,所以对于绝大部分用户而言,使用该主板的处理器默认设置即可,除非有特别好的360一体式水冷散热器再尝试超频。颜值、实力、性价比全都有综合以上实战测试,不难看出,这款七彩虹iGameZ790D5...
林赛斯发布TIM - Tester 热界面材料测试系统新品
从液态化合物到固体材料,TIM能够测试各种材料的热阻抗以及热导。·电机全自动压力控制(最大8MPa)·LVDT高分辨率全自动测厚·符合ASTMD5470测试标准·全集成软件控制装置这些热界面材料如热流、热胶、相变材料(PCM)、焊料、弹性热导体等能够在8mPa(20mm直径样品),温度最高到300℃的条件下自动测试。
将九代酷睿远远甩在身后!英特尔第十代酷睿桌面级处理器首发测试
因此在本次测试中我们特别挑选第九代酷睿旗舰处理器,上市价格与酷睿i9-10900K相同,均在4200元左右的酷睿i9-9900KS(第一款全核心5.0GHz8核心处理器),以及同为6核心设计,但缺少超线程技术的酷睿i5-9600K与它们进行了对比测试。
防雷接地产品,防雷元件介绍|玻璃|电容|导通|电阻器_网易订阅
双向TVS的V-I特性曲线如同两只单向TVS“背靠背”组合,其正反两个方向都具有相同的雪崩击穿特性和箝位特性,正反两面击穿电压的对称关系为:0.9≤V(BR)(正)/V(BR)(反)≤1.1,一旦加在它两端的干扰电压超过箝位电压Vc就会立刻被抑制掉,双向TVS在交流回路应用十分方便。图5TVS外观2.2.2.2TVS主要技术参数1...
单篇引用超12000!Science:有机光伏,梦开始的地方!| 经典回顾
I-V特性曲线分析图2.I-V特性曲线比较作者比较了Ca/MEH-PPV:PCBM/ITO器件和Ca/MEH-PPV/ITO器件在20mW/cm2的430nm光照下和黑暗条件下的电流-电压(I-V)曲线。对于Ca/MEH-PPV:PCBM/ITO器件,指数型电流开关向0.8V较低电压转移。由于MEH-PPV中的光致电子会通过向C60转移而降低其能量,而C60中的...
专家约稿|辉光放电发射光谱仪的应用—涂层与超薄膜层的深度剖析
而激发过程在腔室的等离子体中,样品基体对被测物质的信号几乎不产生影响;(5)低能级激发,产生的谱线属原子或离子的线状光谱,因此谱线间的干扰较小;(6)低功率溅射,属层层剥离,深度分辨率高,可达亚纳米级;(7)因为采用限制式光源,样品激发时的等离子体小,所以自吸收效应小,校准曲线的线性范围较宽;(8)无高真空...
一文看懂半导体制造工艺中的封装技术
晶圆测试要完成两个工作:一是对每一个晶片进行验收测试,通过针测仪器(Probe)检测每个晶片是否合格,不合格的晶片会被标上记号,以便在切割晶圆的时候将不合格晶片筛选出来;二是对每个晶片进行电气特性(如功率等)检测和分组,并作相应的区分标记。芯片封装
全球半导体产业研究框架与市场现状分析报告
半导体产品制造关键技术指标主要包括晶圆代工环节光设备光源波长与制程节点、晶圆片尺寸大小、主流设工具与封装形式等。据王阳元等人编著的《集成电路产业全书》,半导体产品制造技术约每10年进步一代,目前已经发展到以EUV光机为代表的第六代技术,制程节点突破至以台积电N3系列工艺为代表的3nm特征尺寸。同时...