High-NA光刻高成本的解药?浅谈Intel 14A工艺要用的DSA技术
CD关键尺寸,也就是光刻机可达成的最小线宽线距——这个值越小、且在保证出色图案质量的情况下,也就需要更高的曝光量。由于光源的功率限制,要提供更大的曝光量,也就意味着整个光刻机运行得更慢,或者说更久的曝光时间,也就是要求足够的光子抵达曝光区域。而跑得越慢,也就是指光刻机单位时间内可处理的晶圆更...
制造光刻机40年,ASML成功的秘密
ASML光刻机的成像原理:通过投射光束,穿过印有电路图的掩模及光学镜片,将电路图曝光在带有光刻胶的硅片上。此时飞利浦已投入光刻机研发十多年,发明出了业内领先的对准系统和独一无二的电动晶圆台,但在和其他十家厂商激烈竞争中不占优势,始终没有订单。赶上日本家电横扫欧美市场,时任飞利浦CEO明确要求尽快结...
疆亘观察|半导体国产替代的重要一环:光刻胶
预计阅读时间:13分钟疆亘研究随着信息化时代的推进,5G、物联网、新能源汽车、人工智能等领域的高速发展,光刻胶下游应用需求旺盛。据SEMI统计,2024年中国大陆预计新增18座晶圆厂,产能年增率为13%。且伴随半导体工艺节点升级,中国大陆晶圆厂普遍采用DUV(ArFImmersion)多次曝光的7nm工艺流程,以及更多的金属层布线...
中国唯一一家,掌握高档光刻胶研发技术,并拥有全国唯一ASML曝光机
这是全国唯一一家拥有高档光刻胶自主研发及生产实力的高新技术企业,并且这家公司还拥有全国唯一一台荷兰阿斯麦曝光机。根据相关数据显示,2023年我国光刻胶投融资事件的数量已经达到7起,金额为13.5亿元,远超2022年的表现。而目前中国光刻胶的市场规模已由2017年的58.7亿元增长至2022年的98.6亿元,年均复合增长率为10....
光刻胶的主要技术参数
应该存储在密闭、低温、不透光的盒中。同时必须规定光刻胶的闲置期限和存贮温度环境。一旦超过存储时间或较高的温度范围,负胶会发生交联,正胶会发生感光延迟。一般的光刻胶标的保质期是半年,而且要低温保存,不超过20℃的温度。美国Futurrex的胶保质期久,且可以常温保存,对于用量少的客户很是方便。
随时可能断供?90%光刻胶都是日本生产,若断供我们如何解决?
然而,目前我国的光刻胶基本都依赖进口,并且这种材料的储存周期极短,只有不到半年时间(www.e993.com)2024年10月25日。这也就意味着,我国需要长期向外国购买光刻胶。很不幸的是,光刻胶这一芯片制造的关键,如今却被日本垄断着。日本对光刻胶的垄断从数据上看,2020年全球光刻胶市场的总产值约为95亿美元,而日本以将近72%的市场份额,牢牢占...
...彭孝军、陈鹏忠团队:负性双烷基配位锡氧团簇极紫外(EUV)光刻胶...
近日,大连理工大学彭孝军院士、陈鹏忠副研究员团队报道了一组负性双烷基配位的锡氧团簇极紫外(EUV)光刻胶Sn4-Me-C10和Sn4-Bu-C10,并研究了他们在曝光时的自由基效应和光刻反应机理。通过电子束(EBL)和EUV曝光,并结合TGA-MS、EPR和XPS等实验,研究发现不同的Sn-C键会导致材料在EUV光刻反应过程的显著差异...
光刻工艺技术专题(十):光刻工艺与建模
在厚胶情况下,入射光与光刻胶之间的相互作用长度增加,还需要考虑曝光过程中的光致折射率变化。特殊的光学材料和曝光技术(例如双光子吸收光刻)还需要考虑高阶动力学项。Dill方程中光强和PAC的分布通常是位置(x,y,z)与时间t的函数。因此上面两个方程是互相耦合的。PAC浓度的变化导致吸收率α(x,y,z,)空间分布的...
中国大力发展芯片,但全球90%光刻胶都是日本产,若卡脖子该咋办
日本在一段时间的自主研发,成功掌握技术后,就兴办工厂,像日立,三菱电机等公司接踵而起。这使得日本半导体公司得到很好的发展空间,随后便进行对外出口,就比如在80年代时候,据数据统计,日本半导体材料已经占全球市场80%,其中就包括光刻胶。面对日本的快速发展,虽然美国和日本走得很近,但美国眼看日本要走在自己前列,...
光刻技术的过去、现在与未来
光源:光刻机的光源通常采用紫外线灯或激光器。光源的作用是提供高能量的光束,用于曝光光刻胶。紫外线或激光被聚焦并投射到掩模上,形成预定的图案。控制系统:控制系统是光刻机的大脑,负责管理整个光刻过程。它监控和调整光源的强度、曝光时间、光束的聚焦和掩模对准,确保图案的准确传输到光刻胶表面。