程华电子:恒压驱动开关电源的变压器测试

开关管外置恒流驱动开关电源的变压器,初级绕组70T,0.31mm线径;次级绕组20T,0.38mm线径;偏置绕组12T,0.23mm线径。初级电感量如图4-6所示。品质因数如图4-7所示。由图4-6可知,2层纸的气隙产生的初级电感量接近设计要求。(注:每层纸的厚度为0.097mm)深圳市程华电子有限公司主营产品包括中低压MOS管、DC-DC恒流...

驱动LED恒流开关电源的设计(程华电子)

开关管漏极电压为500V,说明箝位电路实现箝位的功能。输出电流稳定在674mA,基本达到了设计指标,没有达到700mA是因为占空比设置不够精确,没有足够的能量传递到次级。深圳市程华电子有限公司主营产品包括中低压MOS管、DC-DC恒流IC、DC-DC恒压IC和肖特基二极管等。服务与支持:深圳市程华电子有限公司为客户提供产品...

MOS管常见的几种应用电路

MOS管最常见的电路可能就是开关和放大器。G极作为普通开关控制MOS管。让MOS管工作在放大区,具体仿真结果可在上节文章看到。下图示例电路中,芯片1正常工作时,PG端口高电平。如果芯片1、芯片2有时序要求,在芯片1正常工作后,使能芯片2。可以看到芯片2的使能端初始连接VCC为高电平,当芯片1输出高电平后,(关注公...

广州德姆达光电取得一种储能电源的逆变电路专利,有效提高逆变电路...

金融界2024年11月2日消息，国家知识产权局信息显示，广州德姆达光电科技有限公司取得一项名为“一种储能电源的逆变电路”的专利，授权公告号CN221900729U，申请日期为2024年3月。专利摘要显示，本实用新型公开了一种储能电源的逆变电路，包括有变压器T1和若干个电容，还包括有第一MOS管组件、第二MOS管组...

成都旭思特取得脉冲锁环功率控制电路专利,立即对输出电压稳定控制

MOS管Q1源极和锁存单元构成电流闭环控制。通过采用MOS管作为功率开关管，通过控制芯片控制MOS管的PWM脉冲占空比，通过MOS管和锁存单元构成电流闭环控制，在电压过大时，锁存单元就会封锁脉冲，与MOS管相连，以此控制PWM的占空比，立即对输出电压的稳定控制。本文源自：金融界作者：情报员...

8种开关电源MOS管的工作损耗计算

例如FLYBACK中实际电流应是Itotal=Idp1+Ia+Ib(Ia为次级端整流二极管的反向恢复电流感应回初极的电流值--即乘以匝比,Ib为变压器初级侧绕组层间寄生电容在MOSFET开关开通瞬间释放的电流)(www.e993.com)2024年11月5日。这个难以预计的数值也是造成此部分计算误差的主要原因之一。

锐石创芯实现国产高压天线调谐开关量产突破

除了对小信号的优化以外,高压天线调谐开关的核心需求在于极高的耐压性能(定义为天线调谐开关的谐波非线性变化点为Vpeak),通常射频器件的应用场景都不会超过40dBm射频功率,而高压天线调谐开关对于耐压的定义超过48.1dBm功率耐受(换算为80V射频电压)。传统射频开关设计会通过MOS管的堆叠设计来满足更高耐压的需求,但随着堆...

美芯晟申请一种 LED 的恒流驱动芯片及恒流驱动电路专利,实现恒流...

专利摘要显示,本申请提供一种LED的恒流驱动芯片及恒流驱动电路,恒流驱动芯片包括备用MOS管,比较器和开关模块。通过开关模块实现恒流驱动芯片工作在有外接MOS管和未连接外接MOS管下,不同工作模式的切换。其中,在恒流驱动芯片工作在有外接MOS管的情况下,比较器的输出端连接外接MOS管的栅极,控制外接MOS管的工作状态...

吃透MOS管,看这篇就够了

MOSFET只靠多子导电,不存在少子储存效应,因而关断过程非常迅速,开关时间在10—100ns之间,工作频率可达100kHz以上,普通的晶体三极管由于少数载流子的存储效应,使开关总有滞后现象,影响开关速度的提高(目前采用MOS管的开关电源其工作频率可以轻易的做到100K/S～150K/S,这对于普通的大功率晶体三极管来说是难以想象的)。

MOS管及其外围电路设计

根据1.1节和1.2节的分析,就可以求得mos管驱动电阻的上限值和下限值,一般来说,mos管驱动电阻的取值范围在5~100欧姆之间,那么在这个范围内如何进一步优化阻值的选取呢?这就要从损耗方面来考虑,当驱动电阻阻值越大时,mos管开通关断时间越长(如图6所示),在开关时刻电压电流交叠时间久越大,造成的开关损耗就越大(如图...