MOS管烧了,可能是这些原因
通过允许开关转换之间的死区时间(在此期间两个MOS管均不导通),可以最大限度地减少发生击穿的机会,这允许一个MOS管在另一个MOS管打开之前关闭。没有续流电流路径当通过任何电感负载(例如特斯拉线圈)切换电流时,电流关闭时会产生反电动势。在两个开关设备都没有承载负载电流时,必须为此电流提供续流路径。该电流通...
【干货】使用 MOS管构建双向逻辑电平转换器
因此,在上面的案例中,根据BS170数据表,MOS管的导通时间和MOS管的关断时间如下所述。这里的MOS管需要10nS开启和10nS关闭,这意味着它可以在一秒钟内打开和关闭10,00,000次。假设我们的通信线路以每秒115200位的速度(波特率)运行,那么这意味着它在一秒钟内仅打开和关闭1,15,200次。因此我们也可以很好地使用...
解析开关电源的冲击电流的几种控制方法
元器件R1,C1和D2用来保证MOS管Q1在刚上电时保持关断状态。上电后,MOS管的栅极电压要慢慢上升,当栅源电压Vgs高到一定程度后,二极管D2导通,这样所有的电荷都给电容C1以时间常数R1×C1充电,栅源电压Vgs以相同的速度上升,直到MOS管Q1导通产生冲击电流。其中Vth为MOS管Q1的最小门槛电压,VD2为二极管D2的正向导通...
mos管基础知识及选型需要注意哪些参数?
MOS作为开关器件,就会有开关时间概念,在高速电路中,尽可能选择输入、输出电容Ciss&Coss小、开关时间Ton&Toff短的MOS管,以保证数据通信正常。6、封装根据PCB板的尺寸,选择合适的NMOS管尺寸,在板载面积有限的情况下,尽可能选择小封装;尽量选择常见封装,以备后续选择合适的替代料。
MOS管基础及选型指南
5、开关时间MOS作为开关器件,就会有开关时间概念,在高速电路中,尽可能选择输入、输出电容Ciss&Coss小、开关时间Ton&Toff短的MOS管,以保证数据通信正常。6、封装根据PCB板的尺寸,选择合适的NMOS管尺寸,在板载面积有限的情况下,尽可能选择小封装;尽量选择常见封装,以备后续选择合适的替代料。
如何让MOS管快速开启和关闭
怎么做到MOS管的快速开启和关闭呢?对于一个MOS管,如果把GS之间的电压从0拉到管子的开启电压所用的时间越短,那么MOS管开启的速度就会越快(www.e993.com)2024年8月1日。与此类似,如果把MOS管的GS电压从开启电压降到0V的时间越短,那么MOS管关断的速度也就越快。由此我们可以知道,如果想在更短的时间内把GS电压拉高或者拉低,就要给MOS管栅...
电源设计MOS管驱动电路
关断瞬间驱动电路能提供一个尽可能低阻抗的通路供MOSFET栅源极间电容电压快速泄放,保证开关管能快速关断。为使栅源极间电容电压的快速泄放,常在驱动电阻上并联一个电阻和一个二极管,如图3所示,其中D1常用的是快恢复二极管。这使关断时间减小,同时减小关断时的损耗。Rg2是防止关断的时电流过大,把电源IC给烧掉。
...的DAB充放电自适应控制方法专利,优化了MOSFET管的应力、软开关...
易事特申请基于TPS的DAB充放电自适应控制方法专利,优化了MOSFET管的应力、软开关和动态响应金融界2024年2月3日消息,据国家知识产权局公告,易事特集团股份有限公司申请一项名为“基于TPS的DAB充放电自适应控制方法“,公开号CN117498702A,申请日期为2023年11月。专利摘要显示,本发明公开了一种基于TPS的DAB充放电自...
这些MOS管广受好评,威兆历年拆解案例汇总
威兆半导体作为一家专业从事MOSFET等分立器件系列的设计及半导体微电子相关产品研发的高科技企业,拥有创新,稳定,高效率,低成本的整体解决方案,同时经过长期的努力已经成为少数同时具备低压、中压、高压全部系列大功率POWERMOSFET分立器件,以及特殊半导体制程设计能力的先进IC设计公司。
开关电源电路设计的10个经验
以我们常用的BUCK电路为例,如下图:控制IC的地一般是与输入电源的地共地的,而MOS管的S极与输入电源的地之间还有一个二极管,所以控制IC的驱动信号不能直接接到MOS管的栅极,而需要额外的驱动电路或驱动IC,比如变压器隔离驱动或类似IR2110这样的带自举电路的驱动芯片。