国产光刻机突破,长江存储转向国产设备,存储芯片替代加速
到2017年11月，长江存储研发出国内首款32层3DNANDFlash芯片，其技术水平位居全球第五；到2019年底，成功量产64层3DNANDFlash，技术水平上升至全球第四；2020年4月，推出128层闪存产品，其存储密度和I/O速度均优于美光和海力士的同类产品，技术水平跃升至全球前三。2022年8月，全球首次发布232层3DNAND芯片，...
长鑫、长存,中国两大存储芯片巨头,被美打压后,发展怎么样了?
所以目前长江存储只有少量232层闪存生产线,还是禁令之前就建好的,目前主要还是生产128层技术,近日有媒体报道称,长江存储又推出了一个120层技术,但性能不比232层差,真假未知,但说明又有了突破。从市场和产能来看,长江存储目前的市场约占全球5%左右,产能大约也在6%左右,但在持续扩产,未来的计划是达到全球15-20%的...
武汉新芯科创板IPO获批,长存集团超68%控股!
长江存储作为国内最大的NANDFlash晶圆制造商，自2017年10月以来，采用自主研发与国际合作的方式，成功研制了中国首款3DNAND闪存，并在2019年实现了基于Xtacking架构的64层3DNAND量产。2020年，他们又研发成功了128层的3DNAND，标志着技术的进一步突破。面对挑战的应对措施然而，长江存储的成长并非一帆风顺。2022年...
先进封装渐成趋势,打响设备桥头堡争夺战
据称,该公司最早将于2025年在HBM4产品量产混合键合,与现有工艺相比,可提高散热效率并减少布线长度,实现更高的I/O密度,并将当前的堆叠增加到16层。SK海力士HBM3英伟达最新的GH200GraceHopper超级芯片基本上是由图形处理器、微处理器及其周围的少数高带宽存储器组成,目前还没有用混合键合来组装这种芯片(tile)。
长江存储128层QLC闪存将量产 密度超竞争对手
长江存储是国内唯一大规模量产3DNAND闪存的公司，2019年初实现32层3DNAND量产，并加入长江存储首创的Xtacking技术;随后顺利研发出64层3DNAND，并于2019年9月量产256Gb(32GB)TLC3DNAND。长江存储在2020年4月宣布推出128层堆栈的3D闪存，并表示128层QLC3D闪存(X2-6070)是业内首款128层QLC规格3DNAND，拥有...
长江存储64层闪存出货3亿 128层QLC准备量产
芯研所9月16日消息,在中国闪存市场峰会上,长江存储首席运营官程卫华透露,长江存储64层闪存颗粒出货超3亿颗,128层QLC已经准备量产(www.e993.com)2024年11月25日。长江存储是国内唯一大规模量产了3D闪存的公司,2019年初实现了32层3DNAND量产,其首创Xtacking技术,顺利研发出64层3DNAND,并于2019年9月量产256Gb(32GB)TLC3DNAND。
长江存储发布全球首款128层QLC闪存 一枚芯片含3665亿个“存储细胞...
2018年底,长江存储第一代32层三维闪存芯片量产。2019年9月,首次基于Xtacking架构的64层三维闪存芯片量产。随着自主Xtacking架构全面升级至2.0,进一步释放了三维闪存的潜能,128层QLC闪存芯片得以快速突破。“从64层芯片量产至128层芯片问世,仅用7个月,还有一半时间是在疫情之中。”长江存储首席执行官杨士宁表示,作为闪存...
长江存储128层闪存芯片2020年底量产
长江存储128层闪存芯片2020年底量产《科创板日报》13日讯,《科创板日报》记者获悉,长江存储刚刚宣布成功研发128层QLC3DNAND闪存(型号:X2-6070),预计2020年底-2021年中旬陆续量产,目标达到月产能10万片。另据供应链消息透露,长存这款闪存已送样。
长江存储正式发布128层TLC/QLC闪存芯片,核心参数领先,量产时间已定
面对产业链关注,长江存储4月13日重磅发布两款128层3DNAND产品,分别为:容量为1.33Tb的128层QLC3DNAND闪存和容量为512Gb的128层TLC3DNAND闪存,其中,128层QLC产品为目前业内发布的首款单颗Die容量达1.33Tb的NAND闪存,容量、性能均优于主要竞争对手,并且两款产品均已获得主流控制器厂商验证。此外,针对外界...
长江存储加速128层QLC闪存量产 国产设备已占14%
今年6月20日,长江存储宣布启动二期工程建设,计划产能为20万晶圆/月,目前的一期产能10万晶圆/月,两者合计将提供30万晶圆/月的庞大产能,预计能占到全球的20%以上,设备采购对国内厂商还是一个重要机会。今年4月13日,长江存储重磅宣布,其128层QLC3D闪存(X2-6070)研制成功,并已在多家主控厂商SSD等终端产品上通过...