【测试案例分享】 如何评估热载流子引导的MOSFET衰退
然后,选择一种新的器件,并确定VTH、GM、i、iDLIN等初始器件参数。然后在指定的应力区间内施加优化后的应力。在每个应力区间之后,再次进行参数测量并确定退化情况。此测试应力循环继续进行,直到满足目标退化或测试时间标准。热载流子寿命由退化与应力时间数据确定。使用Keithley4200测试热载波寿命在热载流子测试开始...
无锡晶立源申请可能量回收的PWM驱动电路专利,能实现能量回收
其包括:驱动电路本体,至少包括MOSFET功率器件单元,基于所述MOSFET功率器件单元的工作状态产生PWM驱动信号,其中,MOSFET功率器件单元工作时,能对寄生电容Ciss充电;能量回收电路,包括能量暂存单元以及能量回收单元,能量回收单元通过能量暂存单元与驱动电路本体适配连接,其中,在驱动电路本体产生PWM驱动信号的脉宽时间内,寄...
MOSFET基本原理、参数及米勒效应全解
电力MOSFET工作在开关状态,即在截止区和非饱和区来回切换。由上面小功率MOSFET工作原理可知,在uDS>uGS-UGS(th)时,对应的每一个uGS就有一个确定的iD。此时,可以将iD视为电压uGS控制的电流源。所以电力MOSFET又称为电压控制电流器件,输入阻抗极高,输入电流非常小。图6电力MOSFE特性曲线转移特性曲线是指漏极电流i...
...涨0.46%,目前股价在压力位31.88和支撑位29.38之间,可以做区间...
东微半导涨0.46%,目前股价在压力位31.88和支撑位29.38之间,可以做区间波段来源:新浪证券-红岸工作室9月4日,东微半导涨0.46%,成交额2950.21万元,换手率1.18%,总市值37.18亿元。根据AI大模型测算东微半导后市走势。短期趋势看,连续3日被主力资金减仓。主力没有控盘。中期趋势方面,上方有一定套牢筹码...
利用SiC模块进行电动压缩机设计要点
以安森美适用于800V平台电动压缩机应用的最新一代IGBTAFGHL40T120RWD和SiCMOSEFTNVHL070N120M3S为例,根据I/V曲线来评估开通损耗,在电流小于18A时,SiCMOSEFT的导通压降都是小于IGBT的,而电动压缩机在路上行驶过程中,运行电流会一直处于18A区间以内。即使是在极限电流下运行(比如快充时,压缩机给电池散热),有效值...
MOS管常见的几种应用电路
2.工作状态分析假设:左边接芯片信号3.3V,右侧芯片信号5V(www.e993.com)2024年11月10日。电路中接入2个NMOS管。这里要注意的是,I2C输出状态有低电平、高阻两种状态。(1)分析SDA,信号从左向右当SDA低电平,D1的GS压差73.3V可以导通,VGA_SDA也是低电平。当SDA高阻抗状态,D1的S引脚有R2上拉到3.3V,MOS管GS截止。由于VGA_SD...
半导体周报:半导体周期仍在相对底部区间,存储厂业绩有望兑现此前...
我们认为本轮半导体周期仍处于相对底部区间,需求端受到AI拉动,云端算力的建设和AI功能推动的智能终端换机(如AI手机/AIPC等)均有望对半导体产业带来较大增量,后续如果有更加刚需的AI应用出现预计将加快换机的趋势,看好AI手机/AIPC产业链在本轮周期中的量价齐升机遇。存储厂季度业绩有望兑现此前涨价逻辑,看好...
电池管理器的作用
因此,为了调节能量流,动力电池管理系统的每个电池单元都配备了两个MOSFET,用于根据电池的充电状态、电压和温度条件对其进行充电或放电。动力电池管理系统产生的脉冲可以打开和关闭这些MOSFET。在MOSFET的工作模式方面,有两种类型。如果源极和漏极之间的导电性随着栅极端子处施加的电压的增加而增加,则称MOSFET具有增强模式,...
软开关技术在变频器中的应用
开关器件的控制,变频器中的开关器件,如IGBT(绝缘栅双极性晶体管)或MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),在开关操作时会产生较大的开关损耗。软开关技术通过控制开关器件的工作状态,使其在零电压或零电流的瞬间进行切换,减少开关损耗。这可以提高变频器的效率,降低能量消耗,并减少系统的热量产生。谐振电路的应用,软...
抢鲜看|《电工技术学报》2024年第14期目次及摘要
HCCM的高频桥臂采用SiCMOSFET器件,而HCCM的换向桥臂及低频子模块均采用SiIGBT器件。针对NMMC拓扑,该文采用高低频混合调制策略,充分发挥了SiCMOSFET器件开关损耗低、SiIGBT器件通态损耗低的优势。此外,针对高频子模块提出一种特定的电容电压平衡策略,并详细分析高频子模块的工作状态。进一步地,仿真及实验验证了所...