北化所黄长水教授等ACS Nano:仅用氰基实现石墨炔电子结构与性质的...

(i-l)3和4的导带最小值(CBM)和价带最大值(VBM)的顶视图。利用固态紫外-可见光测得1??4的光能隙分别为1.9、1.7、2.7和2.0eV。在图4e-h中,计算得出GDY、CNGDY、m-CNGDY和p-CNGDY单层的直接电子带隙(k=0时导带和价带之间的能量差)分别为0.4637、0.4614、0.9134和0.4984eV。...

可见光下从价带内产生空穴以增强氧化电位

HOCO-1几乎可以代表这种激发产生的空穴排列,导致空穴在羰基氧上高度局部化。Side-CB和Side-VB分别表示导带最低点和价带最高点,分别对应LUCO和HOCO。Intra-VB指的是内部价带,本研究特别关注HOCO-1轨道。基于实验测定了PTCDA光催化剂的side-CB为-0.32V,side-VB的氧化电位为1.65V,HOCO-1的位置为2.98V。考虑到...

朱永法教授团队Chem:可见光诱导价带内强氧化空穴产生

然而,协调窄带隙的宽光谱吸收与深价带的强氧化电位仍然具有挑战性。打破氧化电位和光谱响应范围之间的平衡一直是光催化领域的一个持久挑战。在这里,我们提出了一种在可见光照射下引发有机共轭分子晶体中价带内(intra-VB)空穴生成的通用方法。Fe3+诱导了价带边(side-VB)是空轨道的缺电子前驱体,这一状态允许电子能...

能隙QCP 之节线半金属|量子|能带|狄拉克|布里渊|经典计算机_网易...

注意到,在时间反演不变点(time-reversalinvariantpoint,即QCP或狄拉克点)处,正常绝缘体导带(红)和价带(蓝)两支能带,分别携带奇宇称(oddparity,-)和偶宇称(evenparity,+)。QCP处,当然可演生出很多新量子物态,但其中一种物态即狄拉克半金属Diracsemimetal(DSM)。继续演化,出现...

详解第三代半导体材料:碳化硅和氮化镓

宽带隙材料的定义源于其价带顶端至导带底端间的能级差异,这一跃迁过程需要的能量通常超过1到2个电子伏特(eV)。碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)作为这类材料的代表,因其由周期表中不同元素组成的特性,也被称作化合物半导体。碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)作为化合物功率半导体材料,因其出色的性能而受到广泛关注。与传统的硅...

光电二极管中的带隙之争:直接与间接材料的能量之战

直接带隙材料的光电二极管利用其电子从价带到导带的直接跃迁特性(www.e993.com)2024年11月4日。当光子(光量子)击中材料并激发电子从价带跃迁到导带时,电子和空穴对会迅速分离并在电场作用下产生电流。这种跃迁过程不需要额外的动量,因此直接带隙材料在光电二极管中表现出高效的光电转换效率和快速的响应速度。例如,氮化镓(GaN)和砷化镓(GaAs)等直接带...

被朋友拉去听演唱会,可注意力全程被手里这个东西吸引

在复合的过程中,释放出的能量正是导带底与价带顶之间的能量差,即禁带宽度Eg(单位:电子伏特eV)。不同的禁带宽度,释放不同的能量,即产生不同颜色的LED。LED产生光的波长与禁带宽度的关系如下式所示而采用不同的半导体材料,获得不同的禁带宽度,就可以产生多种颜色的LED啦~...

一种研究半导体缺陷的新实验方法

有时,一个镓原子不会按照通常的规则排列,而是夹在其他原子之间。这种“间隙”缺陷改变了材料中电子可以占据的能级。在半导体中,电子可以在能带中流动:价带和更高能量的导带。例如,一个获得足够能量的电子可以从价带移动到导带,然后“回落”到价带,以光的形式失去能量。在这两个能带之间,有一个禁止能量带,称为“...

带隙对决:GaN和SiC,哪个会占上风?

价带的最高占据能量状态与导带的最低未占用状态之间的能量差称为带隙,表示材料的电导率。较大的带隙意味着需要大量能量才能将价电子激发到导带。相反,当价带和导带像金属一样重叠时,电子可以很容易地在两个带之间跳跃,这意味着该材料被归类为高导电性。

光催化半导体中的缺陷态和极化子的时间分辨光谱研究 | 进展

一般来讲,半导体导带和价带相对于标准氢电极的电势,是一项设计相应的光催化氧化-还原反应的判断标准。然而,在半导体纳米光催化材料的制备过程中不可避免地会引入大量的缺陷态,包括表面和体相的缺陷态。表面缺陷工程作为光催化领域一种重要的材料调控手段,可以帮助拓展光催化半导体材料在可见光范围内吸收,也可以帮助构建...