盘点那些内置氮化镓功率器件的PC及服务器电源
内置氮化镓器件CorEnergy能华CE65D150DNBI能华CE65D150DNBI是一颗DFN8*8封装的耗尽型氮化镓功率器件,耐压为650V,瞬态耐压900V,导阻150mΩ,栅极支持-35V驱动电压,支持-55~150℃工作温度。1、能华氮化镓器件助力高效转换,灵刻微发布360W无风扇服务器电源充电头网总结通过整理文中案例,我们可以发现文中4款PC...
【华鑫电子通信|行业周报】 苹果与华为下周同日开启新品发布会,首...
虽然第一代端侧模型的参数量相对较小,并且在离线状态下能够处理的信息量有限,但是有望逐步改变用户使用手机的方式,语音交互模式的频率或将大幅上升,自传统按键手机到智能触控手机的升级迭代以来,用户与手机的交互方式还是以手指输入为主,端侧模型的出现有望降低手指输入的频率,而改为语音交互以及端侧模型辅助操控手机,...
江苏省科学技术厅 江苏省财政厅
《2024年度省科技重大专项项目指南》印发给你们,有关事项通知如下:一,组织方式1.本年度围绕第三代半导体,6G技术,人工智能,战略新材料,集成电路,生物医药,高端装备,新能源,氢能与储能等9个重点领域组织实施科技重大专项.每个科技重大专项下设若干重大攻关项目;每个重大攻关项目采取联合攻关方式组织,下设3-5...
预算1.88亿元!中国科学院近代物理研究所公布2024年仪器设备采购意向
导读:近日,中国科学院近代物理研究所发布多批政府采购意向,仪器信息网特对其中的仪器设备品目进行梳理,统计出42项仪器设备采购意向,预算总额达1.88亿元。中国科学院近代物理研究所是一个依托大科学装置,开展重离子科学与技术、加速器驱动的先进核能系统研究的基地型研究所,先后建成了1.5米回旋加速器(SFC,“一五”大科...
38家氮化镓主要玩家及产品
镓宏半导体的GSR900D035系列900V、50mΩ氮化镓(GaN)FET为常关型器件。它通过结合先进的高压GaNHEMT与低压硅MOSFET来提供卓越的可靠性和性能。通过更低的栅极电荷、更低的交叉损耗和更小的反向恢复电荷提供比硅更高的效率。25、典芯科技典芯科技的CC65H600TOAIF采用TO-220F封装,性价比高,散热性能好,应用...
意法半导体VIPower M0-7 H桥驱动器:有效降低EMI
表1测试接收器的辐射参数(CISPR25标准)上面的表格(表1)列出了不同的无线电电视广播类型,定义如下:??长波??中波??短波??调频??电视波段??数字音频广播??地面数字电视??卫星数字无线电广播降噪指引在使用直流电机驱动器VNHD7008AY或VNHD7012AY设计转向柱时,测试结果可以...
半导体光刻胶深度报告:图像转移媒介,关注进口替代进程
光刻胶的认证过程通常包括匹配原有线上产品的参数、送样检验、信息反馈与技术研讨、样本改进、小批量试产、MSTR(中试)、大批量供应。光刻胶批量测试的过程需要占用晶圆厂机台的产线时间,测试需要付出的成本极高。此外,光刻胶需要与光刻机、掩膜版及半导体制程中的许多工艺步骤配合,客户极少愿意去主动改变光...
苏州锴威特半导体股份有限公司
25苏州锴威特半导体股份有限公司第四节股票发行情况上市公告书一,发行数量本次发行数量为1,842.1053万股,占发行后总股本的25.00%,全部为公开发行新股.二,发行价格本次发行价格为40.83元/股.三,每股面值每股面值为1.00元/股.四,发行市盈率本次发行市盈率为60.69倍.(以发行价格除以...
这可能是快充电源行业最全合封氮化镓方案汇总了,一次看个够_腾讯...
ETA80G25钰泰半导体ETA80G25采用SSOP10封装,内置650V耐压,850mΩD-mode氮化镓开关管。内部开关管漏极连接大面积铜箔散热,可实现良好的散热并满足绝缘耐压要求。ETA80G25支持90-264V输入,支持27W功率输出。芯片支持CCM/QR/DCM运行模式,满载最高开关频率80kHz,轻载下支持频率折返控制,可实现全功率范围内的高效率...
这可能是快充电源行业最全合封氮化镓方案汇总了,一次看个够_腾讯...
ETA80G25钰泰半导体ETA80G25采用SSOP10封装,内置650V耐压,850mΩD-mode氮化镓开关管。内部开关管漏极连接大面积铜箔散热,可实现良好的散热并满足绝缘耐压要求。ETA80G25支持90-264V输入,支持27W功率输出。芯片支持CCM/QR/DCM运行模式,满载最高开关频率80kHz,轻载下支持频率折返控制,可实现全功率范围内的高效率...