基础知识之晶体管
大体分为小信号晶体管和功率晶体管,一般功率晶体管的功率超过1W。小信号晶体管最大集电极电流(IC(max))在500mA以下,最大集电极功率(PC(max))不超过1W的晶体管。相对功率晶体管而得名,一般以树脂封装居多,这是其特点之一。功率晶体管一般功率晶体管的功率超过1W。相比小信号晶体管拥有更大的最大集电...
干货必读|光隔离探头为什么在双脉冲测试中不可或缺
双脉冲测试(DPT)是一种用于评估电力电子器件如IGBT(绝缘栅双极晶体管)或MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)等功率器件的开关性能的实验方法。该测试通过向器件施加两个短时间的电压脉冲,模拟器件在实际电路中的开关过程,进而测量和分析器件的开关特性,优化器件的驱动和应用设计,并用于故障诊断和仿真模型的验证。双...
深度解析特斯拉Model 3 逆变器的构造
两级关断输出(Output2-levelTurn-off)。VCE过电压保护(VCEOvervoltageProtection)。欠压锁定(UVLO,UndervoltageLockout)和过压锁定(OVLO,OvervoltageLockout)。6.诊断输出:具有开漏(OpenDrain)诊断输出,可以通过SPI监控详细的设备状态。7.灵活性和可编程性:每个功能的参数都可以通过SPI编程,使设...
深入浅出理解三极管|基极|晶体管|npn|集电极_网易订阅
1.饱和区的特点。三级管的电流IC与IB和VCE都有关,当VCE不变时,IB变化引起的IC变化不大;但是反过来,IB固定,VCE变化一点点就会引起IC剧烈变化,换句话说三极管已经饱和了,饱和的意思就是满了,我们可以用向水杯里倒水的模型来记忆这个过程,如图1-28所示,IB就是水龙头注水的水流,IC就是水面的高度,VCE就是指水...
低VCEsat双极结晶体管和MOSFET的比较
本文将对MOSFET和低VCEsat双极结晶体管(BJT)做一比较,可以看出采用后者不仅可以降低功耗,同时还可以节约成本。低VCEsatBJT与MOSFET功能相同,但是成本更低,且在许多情况下,其功耗更低,因此电池使用寿命更长。更低的VCEsatBJT器件采用了20多年前开发出来的技术。如今,该项技术着眼于降低正向饱和电压,以获得极低...
绝缘栅双极晶体管(IGBTs)简史
从结构上讲,IGBT只是一个功率垂直扩散(VD-MOSFET),底部有一个P-type集电极而并不是一个N+漏极触点,使其成为一个双极器件(www.e993.com)2024年9月11日。尽管有人说这是对其功能的过度简化。IGBT可以用几种方式进行解释和建模;我的偏好是作为一个MOSFET驱动的双极晶体管(BJT)。将双极晶体管的功率能力与MOSFET的简单驱动需求和低关闭状态(low...
最新一代低VCEsat晶体管功率损耗可减少80%
恩智浦半导体(NXP)近日发布了最新一代低VCEsat晶体管,与普通晶体管相比,其功率损耗可减少80%。恩智浦新型BISS(小信号击穿)晶体管具有超低饱和电压(1安培时低于60毫瓦)、高电路效率和更低的能源消耗,并能减少便携式电池供电产品(如笔记本电脑、PDA和数码相机)的发热量。BISS双极晶体管还可用于需要低等效导通电阻的...
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)知识解析
IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小...
科普文章—晶体管你了解多少
世界上最早的晶体管是双极晶体管,所以可能有人说表达顺序反了,不过近年来,特别是电源电路中MOSFET是主流,可能很多人都是从MOSFET用起来的,因此这里以MOSFET为主。下面言归正传。与双极晶体管的导通电阻相对应的是VCE(sat),这是集电极-发射极间的饱和电压。这是流过既定的集电极电流时,即晶体管导通时的电压降,因此...
小科普|一文看懂IGBT(绝缘栅双极型晶体管)
IGBT(绝缘栅双极型晶体管),是由BJT(双极结型晶体三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件,其具有自关断的特征。简单讲,是一个非通即断的开关,IGBT没有放大电压的功能,导通时可以看做导线,断开时当做开路。IGBT融合了BJT和MOSFET的两种器件的优点,如驱动功率小和饱和压降...