三星有望在2022年实现3nm GAE芯片制造工艺的部署
由贴吧和微博爆料可知,三星在近日举办的2021代工论坛上,展示了其最新的公共技术路线图。尽管初代3nmGAE工艺较预期晚了一年转入量产,但新路线图表明它可能仅供内部使用。同时作为3GAE的继任者,3GAP节点仍在官方路线图上,可知其有望于2023年实现量产。访问:京东PLUS+百度网盘+QQ音乐+爱奇艺-一份价...
工艺在进一步,三星展示3nm GAE MBCFET制造细节
在近日，根据TomsHardware的消息，三星在IEEE国际固态电路会议（ISSCC）上，三星工程师分享了即将推出的3nmGAEMBCFET芯片的制造细节。据了解，GAAFET晶体管（闸极全环场效晶体管）从构造上有两种形态，是目前FinFET的升级版。三星表示传统的GAAFET工艺采用三层纳米线来构造晶体管，栅极比较薄；而三星MBCFET工艺使用纳米...
三星全新GAE技术3nm工艺被曝延期1年
DigiTimes近日一份报告显示，三星3nm工艺量产时间可能已经延期至2022年。三星原计划2021年初量产3nm，但受疫情影响，三星预期时间可能已经延期至2022年，业内消息人士指出，这并非工艺制造上的延迟，而是因为EUV光刻机等关键设备在物流上的延迟所致。据悉，相比7nm工艺，3nmGAE工艺可将核心面积减少45%，功耗降低50%，性...
也就苹果敢用!台积电3nm天价代工费吓跑客户:三星拿到了订单
2022年台积电、三星都进入了3nm时代,虽然台积电的3nm获得了苹果等客户的订单,但是传闻代工价格高达2万美元,比5nm又涨价25%以上,这样的高价也吓跑了一些客户,三星的3nm也趁机获得了订单。根据三星的信息,目前量产的是3nmGAE工艺,能够降低45%的功耗,减少16%的面积,同时提升23%的性能。第二代的3nmGAP工艺可以降低...
台积电3nm贵上天 三星二代3nm工艺2024量产
三星都进入了3nm时代,虽然台积电的3nm获得了苹果等客户的订单,但是传闻代工价格高达2万美元,比5nm又涨价25%以上,这样的高价也吓跑了一些客户,三星的3nm也趁机获得了订单。根据三星的信息,目前量产的是3nmGAE工艺,能够降低45%的功耗,减少16%的面积,同时提升23%的性能。第二代的3nmGAP工艺可以降低50%的功耗,提...
台积电、三星3nm工艺哪家强?苹果、AMD等说了算
在技术上两家的选择也不同,三星在3nm节点就上了GAA环绕栅极晶体管技术,理论上更先进,台积电则要到2024年的2nm节点才会使用GAA晶体管,3nm还是FinFET晶体管技术的(www.e993.com)2024年11月24日。三星目前量产的是3nmGAE工艺,够降低45%的功耗,减少16%的面积,并同时提升23%的性能。
3nm量产时间延后,大客户纷纷选择台积电,三星晶圆代工弯道超车失败?
来自国外媒体援引供应链人士的消息称,三星采用全环绕栅极晶体管(GAA)技术的3nm制程工艺似乎不太可能在2023年之前量产。今年6月份,三星在2021年线上技术论坛上宣布其3纳米制程预计在2022年投产,但从目前来看,这一目标已经变得不太现实。即使是3nmGAE版本,想要在2023年之前量产已经非常困难,更不用说难度更高的3nmGAP...
3nm更进一步!三星展示3nm GAE MBCFET制造细节,明年推出!
在近日，根据TomsHardware的消息，三星在IEEE国际固态电路会议（ISSCC）上，三星工程师分享了即将推出的3nmGAEMBCFET芯片的制造细节。三星展示了256Mb3nmMBCFET芯片：性能、密度提升，功率降低在即将到来的3nm制造工艺中，三星晶圆厂将成为第一家开始使用环绕栅场效应晶体管(gate-all-aroundfield-effecttransistor...
...SK海力士开始验证1bnm DDR5 DRAM;消息称骁龙8G4由台积电3nm...
正统的骁龙8G4会由台积电的N3E工艺代工,这个是台积电第二代3nm工艺了,比N3工艺成本更低一些,也是高通、AMD、NVIDIA等公司大规模采用的3nm。三星的代工会使用三星的3nmGAP工艺,也是三星的第二代3nm高性能工艺,比初代的3nmGAE低功耗工艺更好。虽然高通再次使用三星工艺代工有助于降低成本,但是最新的爆料又推翻了...
三星6nm工艺量产出货 3nm GAE工艺上半年问世
由于在7nm节点激进地采用了EUV工艺,三星的7nm工艺量产时间比台积电要晚了一年,目前采用高通的骁龙765系列芯片使用三星7nmEUV工艺量产。在这之后,三星已经加快了新工艺的进度,日前6nm工艺也已经量产出货,今年还会完成3nmGAE工艺的开发。在进入10nm节点之后,半导体工艺制造越来越困难,但需求还在不断提升,这就导致台积电...