一文讲透光刻胶(芯片制造过程中的关键材料)

CD(CriticalDimension)表示集成电路制程中的特征尺寸;k1是瑞利常数,是光刻系统中工艺和材料的一个相关系数;λ是曝光波长,而NA(NumericalAperture)则代表了光刻机的孔径数值。因此,光刻机需要通过降低瑞利常数和曝光波长,增大孔径尺寸来制造具有更小特征尺寸的集成电路。其中降低曝光波长与光刻机使用的光源以及光刻胶...

光刻机的工作原理及关键技术

具体而言二者关系公式是:公式中R代表分辨率;λ代表光源波长;k1是工艺相关参数,一般多在0.25到0.4之间;NA(NumericalAperture)被称作数值孔径,是光学镜头的一个重要指标,一般光刻机设备都会明确标注该指标的数值。所以我们在研究和了解光刻机性能的时候,一定要确认该值。在光源波长不变的情况下,NA的大小直接决定和光...

ASML拼命研制的新款High-NA EUV光刻机:或是最后一代

这种现象也会随着镜头孔径(numericalaperture,NA)的增加而出现。那么NA是否有可能再次增加?vandenBrink证实,ASML正在研究此事。但是,就个人而言,他不相信hyper-NA会被证明是可行的。“我们正在研究它,但这并不意味着它会投入生产。多年来,我一直怀疑high-NA将是最后一个NA,这种信念没有改变。”对于...

制程“卷”进小数点时代|英特尔|台积电|晶体管_网易订阅

IMEC在会议上还表示,在2nm工艺中,将使用继7nm、5nm和3nm之后的第四代EUV光刻,而14??是其延伸。从10??开始,预计将采用NA(HighNumericalAperture,高数值孔径技术)=0.55的高NAEUV光刻,而非NA=0.33的传统EUV。IMEC和ASML共同开发该工艺,2023年将从ASML引入第一个高NA原型。在高NAEUV曝光设备的情况...

GAA晶体管时代即将开启?

半导体设备：EUV的下一步从DUV到EUV的过渡对延续摩尔定律起到了重要作用。为了继续微缩，几年前ASML开始研发下一代工具——HighNA（高数值孔径）EUV，提升NA（numericalaperture，镜口率)的基础上进一步提高半导体微细加工所需的电路分辨率。ASML预计，HighNA设备将在2025年或2026年进入商业生产。与传统的EUV...

如今到处是光纤宽带你知道光纤怎么工作的吗看完你就明白了

4数值孔径(NumericalAperture)入射到光纤端面的光并不能全部被光纤所传输,只是在某个角度范围内的入射光才可以(www.e993.com)2024年11月17日。这个角度α的正弦值就称为光纤的数值孔径(NA=sinα),不同厂家生产的光纤的数值孔径不同。从物理上看,光纤的数值孔径表示光纤接收入射光的能力。NA越大,则光纤接收光的能力也越强。从增加进...