闪存颗粒到底是何物?浅析闪存及制程

由此,2DNAND真实的含义其实就是一种颗粒在单die内部的排列方式,是按照传统二维平面模式进行排列闪存颗粒的。相对应的,3DNAND则是在二维平面基础上,在垂直方向也进行颗粒的排列,即将原本平面的堆叠方式,进行了创新。利用新的技术(即3DNAND技术)使得颗粒能够进行立体式的堆叠,从而解决了由于晶圆物理极限而无法进一步...

QLC闪存擦写寿命4000次,分析长江存储在CFMS 2024上透露的信息

作为第四代产品，X3-6070没有追求单die容量的进一步增长。单个512GB封装既可以用3个1.33Tbdie实现，自然也可以用4个1Tbdie完成。X3-6070的进步无疑是颠覆性的：接口提速50%、读取写入提速接近100%、写入耐久度提升4倍，实用性大幅提升。除了4000PE耐久度的X3-6070闪存，长江存储还在CFMS2024上展示了商用消费...

QLC闪存玩出新境界!江波龙全球首发用于eMMC 意义深远

早在几年前,江波龙就开始思考QLC用于eMMC的可行性,并通过众多客户交流、深度市场调查,以及与NAND闪存原厂的积极沟通,从市场和资源两方面发现了一定的实践意义。经过研发人员深度摸底,江波龙发现,QLC闪存在带宽、读取速度、整体可靠性等核心性能方面,已经有了很大提升,且在SSD领域,QLC正在追赶TLC,部分性能指标已经基本...

佰维存储2023年年度董事会经营评述

公司推出的第一颗主控芯片性能优异,产品目前已回片点亮,进行量产准备;在先进封测领域,晶圆级先进封测制造项目正式落地东莞松山湖高新区,目前处于项目设计和建设阶段;在存储测试设备开发领域,公司自主开发了一系列存储芯片测试设备,形成了完整的解决方案,其中TY-S101A测试机在2023年全球闪存峰会FMS(FashMemorySummit)上荣获...

全球DRAM缺货,内存条涨价莫慌,资深DIY玩家分享2024年上半年内存条...

自2024年年初起,三大DRAM龙头陆续启动减产措施,以应对全球闪存颗粒需求不足,且进入2023年下半年后,业界再度传出三星将再度减产,且累计各大DRAM厂的减产后,将可望让第四季度的DRAM市场供给量再比第三季减少两成。早在2023年4月,美光消费零部件相关部门就正式向经销商发出通知称,自5月起,DRAM及NANDFlash将不再接...

ZNS的前世今生,从Open-Channel到ZNS

SSD是通过并行操控闪存来实现高速读写的(www.e993.com)2024年11月22日。PU是SSD内部并行资源的一个单位,主机侧可以指定数据写到哪一个PU上,一个PU可能包含一个或多个闪存Die。不同的PU可以完全做到物理隔离;值得说明的是,在最新的NVMe协议里面,I/Odeterminism已经解决了物理隔离的问题,而在Open-Channel提出的时候,尚没有标准解决方案,这也是...

淘汰机械硬盘 国产闪存绝杀三星美光:16TB SSD年底干到1899元

不过这个消息是否靠谱还不好说,长江存储的232层闪存Die核心容量有1Tb,QLC类型甚至可以做到1.33Tb,做成8TB或者16TB2.5寸版技术上不是多大问题。问题是1299、1899元的价格非常夸张,要知道达墨两周前也宣布了16TBSSD硬盘,但是售价高达8999元,这样的价格已经算很良心了,因为这种产品非常少,没有大规模生产的可能摊薄...

长江存储发布第四代闪存,200+时代已来临

先看“6-plane设计”。在上文谈到的“232层闪存”的文章中,我们有简单披露了这个设计给闪存带来的好处。但其实在美光和长江存储跨入这个设计之前,行业的主流是使用“4-plane设计”。按照anadtech报道,将NAND闪存die分为四个平面允许die并行处理更多操作,但不会使其表现得非常像四个独立的die,这样做也使其并行...

为什么TLC闪存比较慢?终于彻底讲明白了成因

TLC写入速度的增长还可通过结构改进升级TLC写入速度方面的短板主要依靠提升并发度来实现。目前一个闪存die通常具备两个Plane平面:东芝计划在下一代BiCS596层堆叠3D闪存中将平面数量提高到4个,从而令闪存写入速度翻倍。科技一直在进步,TLC虽然不美好,但似乎也没那么糟糕。

忆联带你读懂闪存原理与颗粒类型

2DNAND的容量取决于单Die上容纳的单元数量以及每个单元可以存储的比特,其发展很容易遇到瓶颈。而相较于2DNAND的水平堆叠,3DNAND更像摩天大楼,利用纵向维度,把闪存颗粒在立体空间内进行多层垂直堆叠。从具体设计和实现上来看,3DNAND也更多地采用电荷捕获型结构(chargetrap)而不再单纯沿用浮栅设计,或将电流路径...