2023年中国功率半导体(IGBT)供应量占全球29%

5、栅极驱动电路简单且便宜，降低了栅极驱动的要求6、通过施加正电压可以很容易地打开它，通过施加零电压或稍微负电压可以很容易地关闭它。7、具有非常低的导通电阻。8、具有高电流密度，使其能够具有更小的芯片尺寸。9、具有比BJT和MOS管更高的功率增益。10、具有比BJT更高的开关速度。11、可以使用低控...

小功率超声波振子驱动电路

小功率超声波振子驱动电路是用来驱动超声波振子的,这里我们采用MOSFET作为驱动器件。MOSFET具有高开关速度、低导通电阻、易于控制等特点,可以满足我们的要求。放大电路是用来放大驱动信号的,这里我们采用运算放大器作为放大器件。运算放大器具有高放大倍数、低噪声、低失真等特点,可以保证我们的驱动信号的质量。小功率超声波...

锴威特:“功率IC+功率器件”双轮驱动 稳步推进产品研发及迭代升级

已推出包括平面MOSFET、功率IC等超过700款产品，这些丰富的产品线充分满足了客户的多元化需求，同时，针对高可靠功率电源模块及电机驱动模块提供各功率段的芯片解决方案能力，有力推动了功率半导体核心芯片的国产化进程，实现了自主可控的目标。

更适合大功率电机驱动的选择,半桥芯片模块进入多家无刷电吹风厂商...

半桥驱动模块是一种专门设计用于驱动MOS管半桥电路的芯片。它与普通电源芯片的主要区别在于半桥驱动芯片可以通过内置或外部二极管和电容组成自举电路,可以为高侧MOS管提供高于电源电压的驱动电压,确保高侧MOS管能够完全导通。半桥驱动模块常用于驱动高压、高速功率MOSFET或IGBT,产生交流电触发信号驱动电机。另外半桥模块也常见...

详解大功率电源中MOSFET功耗的计算

图1.该流程图展示了选择各MOSFET(同步整流器和开关MOSFET)的迭代过程。在这个过程中,各MOSFET的结温为假设值,两个MOSFET的功率耗散和允许环境温度通过计算得出。当允许的环境温度达到或略高于我们所期望的机箱内最高温度时(机箱内安装了电源及其所驱动的电路),这个过程就结束了。

开关功率晶体管的选择和正确操作

基本上,驱动电路必须对栅极输入电容进行充电和放电,但这不是恒定的(www.e993.com)2024年11月10日。当晶体管从OFF切换到ON或从ON切换到OFF时,晶体管将跨越其线性区域。由于MOSFET和JFET的跨导非常高,漏极和栅极之间的电容将成倍增加。因此,驱动器在跨越线性区域时将承受严重负载,这会导致栅极电压保持在稳定状态。因此,除非驱动...

第三代电力电子半导体SiC MOSFET:聚焦高效驱动方案

相比传统的硅MOSFET,SiCMOSFET可实现在高压下的高频开关。新能源、电动汽车、工业自动化等领域,SiCMOSFET(碳化硅-金属氧化物半导体场效应晶体管)凭借高频、高功率、低损耗等卓越性能,SiCMOSFET驱动方案备受关注。然而,SiCMOSFET的独特器件特性,也意味着它们对栅极驱动电路有特殊的要求。

2024国际电机驱动与控制技术论坛会后侧记(一)

另外,传统的驱动电路和驱动电源的设计采用“加强绝缘的驱动IC+正负压的驱动电源”,如果想要提高功率密度和降低成本,则需要进一步地更改系统设计。而基于IGBT7的驱动设计,则简化了变频器的功率电源设计,一组15V电源支持三相桥驱动,从而降低了系统成本。英飞凌提供的1200V紧凑的功能绝缘的磁隔离驱动IC,就可以完美支持此类设...

MOS管及其外围电路设计

常用的mos管驱动电路结构如图1所示,驱动信号经过图腾柱放大后,经过一个驱动电阻Rg给mos管驱动。其中Lk是驱动回路的感抗,一般包含mos管引脚的感抗,PCB走线的感抗等。在现在很多的应用中,用于放大驱动信号的图腾柱本身也是封装在专门的驱动芯片中。本文要回答的问题就是对于一个确定的功率管,如何合理地设计其对应的驱动...

想要玩转氮化镓?纳芯微全场景GaN驱动IC解决方案来啦!

◆在高压、大功率应用特别是硬开关拓扑,可以提供负压关断能力;◆尽可能小的传输延时和传输延时匹配,从而可以设定更小的死区时间,以减小死区损耗。二、E-modeGaN驱动方案分压式方案E-modeGaN可以采用传统的SiMOS驱动器来设计驱动电路,需要通过阻容分压电路做降压处理。如图8所示驱动电路,开通时E-mode...