强华时代申请改善栅极电场的碳化硅场效应管器件专利,解决碳化硅场...

金融界2024年11月15日消息,国家知识产权局信息显示,强华时代(成都)科技有限公司申请一项名为“一种改善栅极电场的碳化硅场效应管器件”的专利,公开号CN118943195A,申请日期为2024年7月。专利摘要显示,本发明公开了一种改善栅极电场的碳化硅场效应管器件,属于半导体器件技术领域,包括多层JFET区域模块;所述多层JFET区...

中国振华集团永光电子有限公司取得双N沟道场效应晶体管阵列试验...

金融界2024年11月14日消息,国家知识产权局信息显示,中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)取得一项名为“一种双N沟道场效应晶体管阵列的试验电路”的专利,授权公告号CN221993576U,申请日期为2023年12月。专利摘要显示,本实用新型提供的一种双N沟道场效应晶体管阵列的试验电路,包括供电模块、保护模块、产...

深圳市至信微电子取得一种LVFF碳化硅场效应管及制备工艺专利

金融界2024年11月13日消息,国家知识产权局信息显示,深圳市至信微电子有限公司取得一项名为“一种LVFF碳化硅场效应管及制备工艺”的专利,授权公告号CN117995841B,申请日期为2024年4月。本文源自:金融界作者:情报员

深圳市亿新达科技取得无刷电机控制器之场效应管的安装结构专利...

金融界2024年11月12日消息,国家知识产权局信息显示,深圳市亿新达科技有限公司取得一项名为“无刷电机控制器之场效应管的安装结构”的专利,授权公告号CN221979345U,申请日期为2024年3月。专利摘要显示,本实用新型公开了无刷电机控制器之场效应管的安装结构,其包括:电路板,所述电路板上表面固定连接有盒体,所述盒...

重庆恩瑞实业申请大电流场效应管封装装置及其方法专利,具有高效...

金融界2024年11月11日消息,国家知识产权局信息显示,重庆恩瑞实业有限公司申请一项名为“一种大电流场效应管的封装装置及其方法”的专利,公开号CN118919494A,申请日期为2024年7月。专利摘要显示,本发明公开了一种大电流场效应管的封装装置及其方法,涉及大电流场效应管封装技术领域,包括导电基座,所述导电基座的顶部...

MOS(场效应管)最常用的方法

1、使用NMOS当下管,S极直接接地(为固定值),只需将G极电压固定值6V即可导通;2、若使用NMOS当上管,D极接正电源,而S极的电压不固定,无法确定控制NMOS导通的G极电压,因为S极对地的电压有两种状态,MOS管截止时为低电平,导通时接近高电平VCC(www.e993.com)2024年11月16日。当然NMOS也是可以当上管的,只是控制电路复杂,这种情况必须使用隔离电源...

蓝箭电子:公司封装产品包括二极管、三极管、场效应管等分立器件...

蓝箭电子董秘:尊敬的投资者,您好!公司封装产品包括二极管、三极管、场效应管等分立器件产品和电源管理IC等模拟电路产品。从下游应用领域看,公司主要产品应用于消费类电子、工业、汽车电子等多个领域。具体信息请参见公司发布的公开信息,谢谢您的关注。以上内容由证券之星根据公开信息整理,由算法生成,与本站立场无关。

太震撼了,3D动画讲解:晶体管的工作原理,简直就是开挂

下面这个动画是LearnEngineering制作的,视频中我们可以很直观的学习晶体管的工作原理,晶体管有三个极;双极性晶体管的三个极,分别由N型跟P型组成发射极(Emitter)、基极(Base)和集电极(Collector);场效应晶体管的三个极,分别是源极(Source)、栅极(Gate)和漏极(Drain)。

基于场效应管的直流电机驱动控制电路设计

隔离后的控制信号经电机驱动逻辑电路产生电机逻辑控制信号,分别控制H桥的上下臂。由于H桥由大功率N沟道增强型场效应管构成,不能由电机逻辑控制信号直接驱动,必须经驱动信号放大电路和电荷泵电路对控制信号进行放大,然后驱动H桥功率驱动电路来驱动直流电机。3H桥功率驱动原理...

晶体管发明往事:误打误撞,反目成仇,共享诺贝尔奖

这种设计迅速取代了原先点接触式晶体管，并占据主导长达30年，其简单的结构又为集成电路诞生奠定了基础。直到后来CMOS（金属氧化物场效应管）的出现，又是一段后话了。值得留意的是，BJT结构与JFET场效应管看起来相似，都有三极，但两者原理大有不同。BJT是一种双极晶体管，当中涉及多数和少数两路载流子流动，JFET...