Nano-Micro Letters:面向存储和存算一体的新型铁电AlScN综述

铁电存储器(FeM)器件由于低功耗、高运行速度和优秀的疲劳特性,在IMC应用方面具有独特优势(图1c)。图1(a)VonNeumann体系结构中的内存和CPU。(b)提高算力的技术路线图。(c)现有NVM的性能比较。这里,“FeRAM:10/10”表示FeRAM的读/写时间为10/10ns,其余定义类似。纵观百年铁电史,钙钛矿型铁电材料与CMOS后...

新兴存储,冰火两重天

目前业界主要聚焦的新兴存储器主要包括四种:铁电存储器(FeRAM/FRAM)、阻变存储器(ReRAM/RRAM)、磁性存储器(MRAM)和相变存储器(PCM),这些新兴存储技术旨在集成SRAM的开关速度和DRAM的高密度特性,并具有Flash的非易失特性。面对新旧技术冲突,当前DRAM和NAND的行业统治趋势能否持续下去?还是FeRAM、ReRAM、MRAM或PCM等...

国芯思辰|国产铁电存储器PB85RS2MC可替代MB85RS2MT用于柴油机

铁电存储器(FRAM)是一种创新技术的非易失性存储器,它在继承传统非易失性存储器的“非易失”优点的同时,将铁电薄膜与半导体集成技术相结合,克服了传统非易失性存储器的缺点,具有集成度高、读写速度快、成本低以及高读写次数的优点。因此,铁电存储器被誉为存储技术的终结者,它非常适合在各种形式的柴油机测控系统...

铁电存储器工作原理和器件结构

SBT最大的优点是没有疲劳退化的问题,而且不含铅,符合欧盟环境标准;但是它的缺点是工艺温度较高,使之工艺集成难度增大,剩余极化程度较小。两种材料的对比见表1。目前从环境保护的角度来说,PZT已经被禁止使用了,但是从铁电存储器的性能和工艺集成的难易和成本的角度来说,SBT与PZT相比没有优势,因此目前关于铁电材料...

铁电存储器在仪表中的应用

易失性记忆体像SRAM和DRAM在没有电源的情况下都不能保存数据。但这种存贮器拥有高性能、易用等优点。非易失性记忆体像EPROM,EEPROM和FLASH能在断电后仍保存数据。但由于所有这些记忆体均起源自ROM技术,所以不难想象得到他们都有不易写入的缺点:写入缓慢、读写次数低、写入时工耗大等。

FM20L08型铁电存储器的原理及应用

FM20L08型铁电存储器的原理及应用1引言在一些需要下位机单独工作的场合(如汽车行驶记录仪、高速存储测试设备等),其数据的高速存储和掉电不丢失尤为重要,Ramtron公司推出的FM20L08型非易失性铁电存储器除具有其他铁电存储器的一般特点外,弥补了已有铁电存储器存储量小的缺点,其数据存储量达1MB,可完全代替标准...

国芯思辰|新型的非易失性存储器:铁电存储器

铁电存储器是新兴的非易失性存储器,它的起步比较早,率先实现了产业化,由于其具有功耗小、读写速度快、抗辐照能力强等优点,在一些需要快速存取、低功耗和抗辐照的小规模存储领域较有市场。但是,铁电存储器也存在集成度提高比较困难、工艺沾污较为严重、难以和传统CMOS工艺相互兼容的缺点,有待进一步研究解决。

未来新型存储器技术将主导存储器市场 其中FeRAM有什么竞争优势

FeRAM是一种理想的存储器,在计算机、航天航空、军工等领域具有广阔的应用前景,世界上许多大的半导体公司对此都十分重视。由于FeRAM的显著优点以及巨大的市场需求,国际展开了激烈的研究竞争。目前在铁电存储器商业化中遇到的主要挑战是缺少低成本的与硅基CMOS工艺集成的技术,达不到批量生产的原因主要是材料和存储单元结...

量子系统,如何实现低温控制?|技术解析

图1低温存储器技术的优势和分类。a)超导量子计算机的结构;可能的存储器位置是4K、77K和300K。b)降低工作温度会导致速度的明显增加和能量的减少。c)低温温度对传统CMOS器件的影响。较低的温度改善了CMOS存储器的速度、功率要求、保留时间和可靠性。VT代表晶体管的阈值电压,VDD表示电源电压。d)最先进的低温存储器技...

微波介质陶瓷材料制备技术的科普

(5)频率捷变微波介质陶瓷:该种陶瓷属于相应微电子行业的迅速发展和军事应用发展起来的,产品要求具有高调谐率、低介电损耗、良好的温度稳定性等,应用于移相器、延迟线、混合器、动态随机存储器以及铁电存储器等器件。四、微波介质陶瓷的制备技术(1)粉末制备技术...