吃透MOS管,看这篇就够了
由于MOS管和大功率晶体三极管在结构、特性有着本质上的区别,在应用上;驱动电路也比晶体三极管复杂,致使维修人员对电路、故障的分析倍感困难,此文即针对这一问题,把MOS管及其应用电路作简单介绍,以满足维修人员需求。一、什么是MOS管MOS管的英文全称叫MOSFET(MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor),即金属...
开关电源电路设计的10个经验
将输入滤波电容短接,从输出滤波电容测量进入,得到的是输出端的漏感,这样的测试方法考虑了PCB的分布电感,更接近实际的情况。MOS管的驱动借用一个图,这个图是过欠压、过流保护的电路,分别通过两个光耦控制驱动信号,正常情况下光耦导通,MOS管导通,出现异常后光耦切断,MOS管断开,这个图至少有两个明显的错误,大家看看...
MOS管7个方面介绍:原理、电路、作用、测试好坏
MOS管的好坏可以通过测试栅极、源极和漏极之间的电阻值来确定。如果电阻值与标准值相符,则MOS管正常;如果电阻值异常,则MOS管有可能损坏。作用MOS管可以用作放大器、开关控制器、电压调节器、电流限制器等电路中的关键元件。由于其低开关损耗、高效率和高速开关等特点,MOS管广泛应用于各种电子设备中。开关电路M...
万用表如何判断mos管好坏
以上前三点必需掌握,后两点灵活运用,很快就能判管脚,分好坏。如果对新拿到的不明MOS管,可以通过测定来判断脚极,只有准确判定脚的排列,才能正确使用。2、管脚测定方法:①栅极G的测定:用万用表R&TImes;100档,测任意两脚之间正反向电阻,若其中某次测得电阻为数百Ω),该两脚是D、S,第三脚为G。②漏极D...
干货|内阻很小的MOS管为什么会发热?
MOS管功率损耗测量MOSFET/IGBT的开关损耗测试是电源调试中非常关键的环节,但很多工程师对开关损耗的测量还停留在人工计算的感性认知上,PFCMOSFET的开关损耗更是只能依据口口相传的经验反复摸索,那么该如何量化评估呢?1、功率损耗的原理图和实测图一般来说,开关管工作的功率损耗原理图如图1所示,主要的能量损耗体...
MOS管知识最全收录
4、P沟道耗尽型场效应管原理P沟道耗尽型MOS管的工作原理与N沟道耗尽型MOS管完全相同,只不过导电的载流子不同,供电电压极性也不同(www.e993.com)2024年9月20日。5、耗尽型与增强型MOS管的区别耗尽型与增强型的主要区别在于耗尽型MOS管在G端(Gate)不加电压时有导电沟道存在,而增强型MOS管只有在开启后,才会出现导电沟道;两者的控制方式也不...
国芯思辰|电子小烟专用MOS管:安森德ASDM3400ZA
安森德ASDM3400ZA是一款中低压场效应管(MOS管),可替代美国万代(AOS)的AO3400A和德州仪器(TI)的REF3040。ASDM3400ZA特点●沟道功率低压MOSFET技术●低RDS(ON)的高密度单元设计●高速开关●提供SOT23封装ASDM3400ZA主要参数类型:N沟道漏源电压(Vdss):30V...
如何用万用表测量场效应管三极管的好坏
一、定性判断MOS型场效应管的好坏先用万用表R×10kΩ挡(内置有9V或15V电池),把负表笔(黑)接栅极(G),正表笔(红)接源极(S)。给栅、源极之间充电,万能表的使用方法视频此时万用表指针有轻微偏转。再改用万用表R×1Ω挡,将负表笔接漏极(D),正笔接源极(S),万用表指示值若为几欧姆,则说明场效应管...
图解使用数字万用表测量场效应管MOS管
我们主板中常用的MOS管GDS三个引脚是固定的,不管是N沟道还是P沟道都一样,把芯片放正,从左到右分别为G极D极S极!如下图:用二极管档对MOS管的测量,首先要短接三只引脚对管子进行放电。1然后用红表笔接S极。黑表笔接D极。如果测得有500多的数值,说明此管为N沟道。
三相六相不对等PK 主板MOS管温度对比
2供电模块温度测试●供电模块温度测试!在供电模块中,MOSFET属于发热大户,而MOSFET的发热量与供电模块电路的设计和通过MOSFET的电流有关。如果同样采用65WTDP功耗的处理器,供电相数少的主板,供电模块所要通过的电流量会加倍上升,MOSFET因所要过滤的电流量增加,温度也将跟着上升。