...RAMXEED,以全新一代FeRAM迎接边缘智能高可靠性无延迟数据存储...

为了降低云和边缘的功耗,兼具高性能和非易失性的新型存储器正迎来市场快速增长的发展大时代,如铁电存储器FeRAM和ReRAM,以及磁性存储器MRAM、阻变式存储器ReRAM等。2020-2024年全球存储器市场规模及增速富士通半导体(即将更名为RAMXEED)作为FeRAM产品全球两个主要供应商之一,只专注于高性能存储器FeRAM和ReRAM的研发...

2024 年全球存储器市场销售额有望增长 61.3%,新型存储器迎来发

为了降低云端和边缘的功耗，兼具高性能和非易失性的新型存储器正在迎来市场快速增长的时代，例如铁电存储器FeRAM和ReRAM，以及磁存储器MRAM和电阻存储器ReRAM。等待。2020-2024年全球内存市场规模及增速富士通半导体（即将更名）作为全球两大FeRAM产品供应商之一，只专注于高性能存储器FeRAM和ReRAM的研发，以及基于F...

RAMXEED以全新一代FeRAM迎接边缘智能高可靠性无延迟数据存储需求

为了降低云和边缘的功耗,兼具高性能和非易失性的新型存储器正迎来市场快速增长的发展大时代,如铁电存储器FeRAM和ReRAM,以及磁性存储器MRAM、阻变式存储器ReRAM等。2020-2024年全球存储器市场规模及增速富士通半导体(即将更名为RAMXEED)作为FeRAM产品全球两个主要供应商之一,只专注于高性能存储器FeRAM和ReRAM的研发...

新书上架《半导体存储器件与电路》

几种受关注的候选者包括相变存储器(PCM)及用于相关3DX-point技术的选通器;阻变随机存取存储器(RRAM);磁性随机存取存储器(MRAM),包括自旋转移力矩(STT)和自旋轨道力矩(SOT)两种切换机制的MRAM;铁电存储器,如铁电随机存取存储器(FeRAM)和铁电场效应晶体管(FeFET)。此外,这些新型非易失性存储器的多比特存储、离散...

国芯思辰|兼容MB85RS2MT,国产铁电存储器SF25C20可用于医疗器械

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抗疲劳!中国科学家解决铁电材料疲劳之痛,有望实现存储器无限次数...

这一应用有望打破铁电存储器有限读写次数的限制，大大增加耐久性，从而能够在深海探测、航空航天以及柔性可穿戴电子设备等方面执行存储、传感、能量转换等关键任务(www.e993.com)2024年11月17日。北京时间6月7日凌晨，前述研究成果在线发表在国际学术杂志《科学》（Science）上。极化翻转过程示意图。传统铁电材料的内部，有无数个晶格单元，每个晶格...

存储芯片,中国什么时候能成?

与DRAM相对的是SRAM(静态随机存取存储器),两者的存储原理、结构不同,特性完全相反。除了能够应用在缓存中,SRAM一般还会用在FPGA内,不过SRAM价格昂贵,全球市场规模占比也始终较小。在过去几十年内,易失性存储器没有特别大的变化,DRAM和SRAM各有专长,可以适用不同应用场景。

台积电低功耗芯片路线图|栅极|阵列|元件|晶体管_网易订阅

铁电存储器因其高密度和高能效潜力也是积极研究的对象;如图15所示,最近有报道称在理解和解决耐用性问题方面取得了进展。图13:存储器层次结构和关键研究指标。图14:SOT-MRAMY型和Z型单元可支持快速无磁场操作。低写入电流密度、磁抗扰度、写入速度和误码率仍具有挑战性。

周益春教授团队突破HfO??基铁电畴动力学原子尺度隔离带的介观...

然而,第一性原理计算和超高分辨率TEM实验观察均发现HfO??铁电正交相中存在特殊的“隔离带”结构,即极性层被隔离带交替地隔开,且隔离带隔绝了相邻晶胞中的偶极相互作用,其电偶极子可在单个晶胞内稳定并可独立翻转,畴壁厚度几乎为零。为了设计铁电存储器还必须建立原子尺度“隔离带”与宏观电学性能之间的关联,如何通过...

HfO2 之铁电奋斗历程 | Ising专栏

这种现象,直到1990年代提出“非易失铁电存储器”和“高介电栅极材料(high-k)”两个主题后,才有所改变,才开始铁电体与现代半导体微电子学集成融合的历程。这是其一。其二,到2000年前后,铁电极化的量子理论起源(贝里相位)和多铁性物理研究开始兴起,才有那些小带隙半导体和安德森很早就提出、但一直无人...