日辉达取得一种电源开关管快速关断电路专利,降低开关管工作异常...
日辉达取得一种电源开关管快速关断电路专利,降低开关管工作异常造成芯片损坏风险金融界2024年7月26日消息,天眼查知识产权信息显示,深圳日辉达电源股份有限公司取得一项名为“一种电源开关管快速关断电路“,授权公告号CN221428781U,申请日期为2023年10月。专利摘要显示,本实用新型公开了一种电源开关管...
【干货】BCUK电路讲解,工作原理+图文结合
在开关电源系统中,死区时间(DeadTime)是指为了避免两个晶体管开关同时导通而引入的屏蔽时间。连接的两个晶体管开关通过交互地闭合和关断来决定线圈中电流的增减。为避免两个晶体管同时导通造成不必要的电流浪涌,即需控制电路在开关动作引入死区特性。在死区时间内,需要完成对已导通晶体管的关断和另一晶体管的导通。
易事特取得飞跨电容Boost保护电路专利,确保所有开关管和二极管的...
通过利用n个串联连接的电容组成飞跨电容支路,利用m个串联连接的电容组成输出电容支路,并给飞跨电容支路增加第一钳位支路,输入上电时第一钳位支路中的二极管可对飞跨电容支路中的电容进行充电,使得所有开关管和二极管的电压应力均工作在可控的安全电压范围内,保证了电路的安全运行。
集成VBUS开关管的协议芯片塑造快充新格局
对于快充适配器来说,协议芯片往往会配合VBUS开关管应用,其工作原理就是通过协议芯片制冷,另其后的功率器件不停地“接通”和“关断”,让功率器件对输入电压进行脉冲调制,从而实现DCDC电压变换和自动稳压。但以往协议芯片与VBUS开关管分离设计的形式难以满足现阶段对快充设备小型化、高效化的需求,为此多家电源管理芯片...
百瓦移动电源输出难,这些VBUS开关管来助力
为实现百瓦以上快充输出,在选型VBUS开关管时需考虑电流能力、导通电阻、开关速度、静态功耗、封装尺寸和成本等因素。合适的开关管应具备足够的电流承受能力、低导通电阻、快速开关速度、低静态功耗以及更小封装尺寸,旨在有限的空间下实现大功率输出。2023年度百瓦级移动电源VBUS开关管应用案例...
内置氮矽科技DX65F200氮化镓开关管,美富达65W氮化镓快充拆解
PCBA模块背面左上角焊接两颗整流桥,中间位置焊接氮化镓主控芯片,氮化镓开关管(www.e993.com)2024年7月31日。在氮化镓主控芯片右侧焊接反馈光耦。通过对PCBA模块的观察发现,美富达65W氮化镓充电器采用南芯科技氮化镓开关电源方案,使用氮矽科技氮化镓开关管,由反激开关电源搭配同步整流,固定电压输出。输出采用两路独立的降压电路,实现三口快充输出和功率自...
还搞不懂TIP147是什么管子?看这一文,引脚图+参数+工作原理
将红色万用表探头放在晶体管的发射极(右侧)引线上。检查万用表显示。如果万用表指示晶体管通过了此项测试,则晶体管工作正常。如果万用表指示晶体管未通过此测试,则晶体管是坏的。2、阻性负载开关测试电路下面为TIP147阻性负载开关测试电路。TIP147阻性负载开关测试电路(PNP型)...
Flyback原理分析(含电路图、波形、计算、PCB布局)
CCM工作模式下MOSDS电压波形分析开关管上电流尖峰的波形分析开关管上电流尖峰的波形分析(一)开关管关断后,变压器副边为输出电压Vo钳位,此时寄生电容Cp两端的电压为nVo,方向是上负下正;当开关管导通时,Cp电容放电,此时Cp与线路寄生电感及输入电压构成谐振回路,从而形成该尖峰电流(谐振电流)。
mos管基础知识及选型需要注意哪些参数?
mos管基础知识及选型需要注意哪些参数?MOS管,即金属(Metal)—氧化物(Oxide)—半导体(Semiconductor)场效应晶体管,是一种应用场效应原理工作的半导体器件。和普通双极型晶体管相比,MOS管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、易于集成等优势,在开关电源、镇流器、高频感应加热、高频逆变焊机、通信电源等高频...
晶体管输出和继电器输出的区别
晶体管输出和继电器输出的区别在电子学中,晶体管(Transistor)和继电器(Relay)是两种常用的输出装置。虽然它们都可以用于控制电路的开关,但它们在工作原理、性能特点和应用范围等方面存在着明显的差异。如果您对即将涉及的内容感兴趣,那么请继续阅读下文吧,希望能对您有所帮助。