【成形】中芯国际公布“半导体结构及其形成方法”专利;果纳半导体...

专利摘要显示,具体形成方法包括,提供基底,包括目标层,基底包括用于形成目标图形层的目标区和与切割位置对应的切割区;在基底上形成掩膜侧墙;以掩膜侧墙为掩膜,图形化目标层,形成分立的初始图形层,初始图形层沿横向延伸,与横向垂直的方向为纵向,沿纵向相邻初始图形层之间形成有凹槽;形成边界定义槽,贯穿沿横向位于目标区...

华东理工大学芯片贴片焊接机国际公开招标公告

2、请购标人登陆中招联合招标采购平台(http365trade/)完成供应商注册。完成注册后,在“我的工作台—>寻找招标项目”模块处找到本项目并点击“立即投标”按钮进行报名及购标等操作。具体操作方法详见帮助中心的“投标人操作手册”。七、对本次招标提出询问,请按以下方式联系。1.采购人信息名称:...

深圳市华卓实业申请一种芯片泵体预焊接设备及工艺专利,能够实现...

专利摘要显示,本发明涉及一种芯片泵体预焊接设备及工艺,设备包括机箱及机箱中的第一移动机构、锡片供料装置、锡片吸附及预焊接机构、芯片吸附搬运机构、泵体进出料线和电子移动检测机构,机箱前侧设有人工操作区,第一移动机构分别与锡片吸附及预焊接机构和芯片吸附搬运机构连接,用于分别驱使二者左右移动及上下移动,泵体...

强茂电子取得无引脚半导体金属焊线封装结构专利,确保焊接制程和...

导热金属板的中间区域设置有用于焊接芯片的芯片焊接区域,导热金属板的周侧设置有用于连接芯片的长连接筋;所述芯片焊接区域的左右两侧分别设置有四个用于连接外部电路的左侧金属接触点和右侧金属接触点,右侧金属接触点与芯片焊接区域连接,左侧金属接触点与长连接筋连接;所述芯片的背面焊接在芯片焊接区域上,芯片的正面通过...

关于芯片加热功能恢复正常的原因及相关因素

·热稳定性:芯片材料(如硅、氮化硅等)在高温下的热稳定性可能会影响其性能。如果材料在加热过程中没有发生化学变化,可能会恢复正常功能。·应力释放:加热可以帮助释放材料内部的应力,改善晶体结构,从而恢复正常功能。2.焊接和连接·焊点修复:加热可能使焊接材料重新流动,修复不良焊点,改善电气连接,从而恢复芯片功能...

深圳市嘉合劲威电子科技申请一种内存芯片自动化测试方法及系统...

金融界2024年9月11日消息,天眼查知识产权信息显示,深圳市嘉合劲威电子科技有限公司申请一项名为“一种内存芯片自动化测试方法及系统“,公开号CN202411080641.2,申请日期为2024年8月(www.e993.com)2024年11月8日。专利摘要显示,本发明适用于内存芯片测试技术领域,提供了一种内存芯片自动化测试方法及系统,通过对目标批次的不同测试...

海南航芯取得 IGBT封装单元及IGBT功率装置专利,散热效率高且可...

且每组芯片组的芯片沿第方向设置第二导电片位于第一导电片第一方向的一侧,CLIP结构包括第一CLIP件,第一CLIP件包括与n个IGBT芯片的E极对应焊接的n个E极焊接部、与n个二极管芯片的第一电极对应焊接的n个第一焊接部和与第二导电片焊接的至少一个第二焊接部,n个述E极焊接部和n个第一焊接部之间一体连接有一个第...

芯微电子申请一种覆铜陶瓷基板及镀镍方法专利,确保芯片与覆铜板铜...

专利摘要显示,本发明公开了一种覆铜陶瓷基板及镀镍方法,包括如下步骤:步骤一、对覆铜陶瓷基板表面清洁;步骤二、单面贴保护膜;步骤三、化学镀镍:覆铜陶瓷基板放置在3%～10%的稀硫酸液中清洗3～5min;在溢流纯水中冲洗3min～5min,在超声波超声清洗5min～10min;在溢流纯水中冲洗3～5min;在放置氯化钯活化液中活化2...

...发明专利授权:“一种用于镀镍管基的芯片低真空合金焊接方法”

证券之星消息,根据天眼查APP数据显示振华风光(688439)新获得一项发明专利授权,专利名为“一种用于镀镍管基的芯片低真空合金焊接方法”,专利申请号为CN202011350632.2,授权日为2024年8月13日。专利摘要:一种用于镀镍管基的芯片低真空合金焊接方法,根据需要焊接的芯片尺寸,通过调节真空合金焊峰值恒温阶段的真空度进入低...

甬矽电子获得发明专利授权:“声表面波滤波芯片封装结构及封装方法”

专利摘要:本发明提供一种声表面波滤波芯片封装结构及封装方法,属于芯片封装技术领域。声表面波滤波芯片封装结构,包括:基板,基板的一侧板面上形成有焊接孔,焊接孔的底部与基板内的线路电连接,焊接孔内填充有导电胶,声表面波滤波芯片的凸块焊点伸入于焊接孔内与导电胶连接,声表面波滤波芯片的工作区朝向基板,声表面波滤...