中国科学院、北大团队发明新型“热发射极”晶体管,成果登上 Nature
据中国科学院金属研究所官方今日消息,中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家研究中心与北京大学的科研团队合作,采用了一种创新思路,通过可控调制热载流子来提高电流密度,发明了一种由石墨烯和锗等混合维度材料构成的热发射极晶体管,并提出了一种全新的“受激发射”热载流子生成机制。该研究成果于8月15日以题...
基础知识之晶体管
晶体管由PN结组成,通过在基极流过电流,而在集电极-发射极间流过电流。在这里,以NPN晶体管为例来说明其工作原理。当在基极和发射极之间施加正向电压(VBE)时,发射极的电子(负电荷)流入基极,部分电子会与基极的空穴(正电荷)结合。这就是基极的微小电流(IB)。基极(P型半导体)在结构上很薄,从发射极流入基极的...
结型场效应管极性判断方法,帮你搞定jfet极性判断
如果两次测得的电阻值都很大,说明是反向电阻。所以它是一个N沟道场效应晶体管,黑色引线连接到栅极。制造工艺决定了场效应管的源漏是对称的,可以互换使用,不影响电路的正常工作,所以不需要区分。源极和漏极之间的电阻约为几千欧姆。将万用表设置为“R×100”,红色表笔接源极,黑色表笔接漏极,相当于给场效应...
干货|TTL电路详细讲解,工作原理+电路图
当输入A和B均为高电平时,发射极-基极结处的两个二极管都将反向偏置。集电极-基极结处的二极管DC正向偏置。它将打开晶体管Q2。随着Q2导通,晶体管Q4也将导通。输出端的两个晶体管都将导通,因此终端输出将具有低电平,这被视为逻辑0。2、标准3输入TTL与非门电路下图为标准3输入TTL与非门电路。
讲透三极管_手机新浪网
这就导致了以上我们所说的结论:反偏时少数载流子反向通过PN结是很容易的,甚至比正偏时多数载流子正向通过PN结还要容易。这个结论可以很好解释前面提到的“问题2”,也就是教材后续内容要讲到的三极管的饱和状态。三极管在饱和状态下,集电极电位很低甚至会接近或稍低于基极电位,集电结处于零偏置,但仍然会有较大的集电...
深度解析特斯拉Model 3 逆变器的构造
相比之下,一个具有相对恒定的2.2V电压降和相对较高的开关损耗的TO-247IGBT可能很难处理25A的电流,即使采用液冷(www.e993.com)2024年9月11日。另一个极大地影响每器件电流容量的因素是,传统的TO-247和TO-220封装的散热器片直接连接到IGBT和MOSFET的集电极或漏极,因此需要在片和散热器之间使用某种绝缘材料。
可控硅基本知识|半波|导通|整流|继电器_网易订阅
1、根据可控硅的结构,可以把它看成由NPN型晶体管T??和PNP型晶体管T??所组成。如下图所示:2、可控硅阳极加上正向电压UA、控制极加上正向电压UG时,如下图所示:晶体管T??处于正向偏置,由UG产生的控制极电流IG(即T??管的基极电流Ib??),T??的集电极电流Ic??=β??IG。Ic??既是T??管的集...
三极管的奥秘:如何用小电流控制大电流
当基极-发射极没有正向偏置,也就是是截止的时候,集电极和发射极之间没有电流流动,三极管处于截止状态:工作区工作区定义根据发射结和集电结的偏置状态,可以定义三极管的几个不同的工作区。截止区:当发射结电压小于导通电压(约0.6-0.7V),发射结没有导通,集电结处于反向偏置,三极管没有电流放大作用,相当于一个...
【涨知识】工业仪表故障判断常用的10种方法
电阻检查法即在不通电的情况下,用万用表电阻挡检查仪器仪表整机电路和部分电路的输入输出电阻是否正常;各电阻元件是否开路、短路、阻值有无变化;电容器是否击穿或漏电;电感线圈、变压器有无断线、短路;半导体器件正反向电阻;各集成块引出脚对地电阻;并要粗略判断晶体管β值;电子管、示波管有无极间短路,灯丝是否完好等...
了解这些 就可以搞懂 IGBT
IGBT具有栅极、集电极、发射极3个引脚。栅极与MOSFET相同,集电极和发射极与双极晶体管相同。IGBT与MOSFET一样通过电压控制端口,在N沟道型的情况下,对于发射极而言,在栅极施加正电压时,集电极-发射极导通,流过集电极电流。我们将另行介绍其工作和驱动方法。