国芯思辰|安森德MOS管ASDM20N60KQ,对标微碧和新洁能的NCE2060K
ASDM20N60KQ是安森德推出的中低压场效应管(MOS管)产品,可替代台湾微碧和新洁能的NCE2060K,应用在锂电保护项目上。ASDM20N60KQ特征:低栅极电荷增强模式快速切换高功率和电流处理能力漏源电压(Vdss):20V连续漏极电流(Id):60A功率(Pd):TC=25°C,60W;TC=100°C,25W工作温度:-55°C~150°C(TJ)...
新型高耐压功率场效应晶体管
将阻断电压与导通电阻功能分开,解决了阻断电压与导通电阻的矛盾,同时也将阻断时的表面PN结转化为掩埋PN结在相同的N-掺杂浓度时,阻断电压还可进一步提高。3内建横向电场MOSFET的主要特性3.1导通电阻的降低Infineon的内建横向电场的MOSFET,耐压600V和800V与常规MOSFET器件相比,相同的管芯面积,导通电阻分别下降到常规...
MOS管知识最全收录
1、N沟道增强型场效应管原理N沟道增强型MOS管在P型半导体上生成一层SiO2薄膜绝缘层,然后用光刻工艺扩散两个高掺杂的N型区,从N型区引出电极(漏极D、源极S);在源极和漏极之间的SiO2绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G;P型半导体称为衬底,用符号B表示。由于栅极与其它电极之间是相互绝缘的,所以NMOS又被称为绝缘...
干货| 技术参数详解,MOS管知识最全收录
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为什么新能源汽车上的IGBT会如此火爆?
02MOS管如何呢?MOS管,又称为绝缘栅场效应管,注意几个词“绝缘”、“场效应”。这将是MOS与三极管最大的不同之处。图片来源:华秋商城MOS管从结构上主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层,因此具有很高的输入阻抗。这就是其名称中“绝缘”一词的由来。
一文带你读懂MOSFET和IGBT的区别|igbt|二极管|mosfet|栅极_网易订阅
当集电极和漏极电流密度被清楚地检测到并且在最坏的情况下工作结温时,应该进行这种比较(www.e993.com)2024年7月30日。例如,FGP20N6S2SMPS2IGBT和FCP11N60SuperFET的RθJC值为1°C/W。图4显示了结温为125°C时导通损耗与直流电流的关系。MOSFET在直流电流大于2.92A时更大。