吃透MOS管,看这篇就够了
2)、开关速度快:MOSFET的开关速度和输入的容性特性的有很大关系,由于输入容性特性的存在,使开关的速度变慢,但是在作为开关运用时,可降低驱动电路内阻,加快开关速度(输入采用了后述的“灌流电路”驱动,加快了容性的充放电的时间)。MOSFET只靠多子导电,不存在少子储存效应,因而关断过程非常迅速,开关时间在10—100ns...
MOS管在汽车LED 中的应用方案
3.开关速度:LED驱动需要快速开关以控制亮度和频闪等特性,因此选型时需要考虑MOS管的开关速度(如开启和关闭时间)以确保系统性能。4.热特性:LED驱动过程中MOS管会产生一定的热量,需要考虑MOS管的导热性能和最大工作温度,以确保系统稳定性和长期可靠性。5.封装类型:考虑到汽车环境的振动和温度变化,选择耐高温、抗震...
从内部结构到电路应用,这篇文章把MOS管讲透了。
上图的栅极通过金属氧化物与衬底形成一个电容,越是高品质的mos,膜越薄,寄生电容越大,经常mos管的寄生电容达到nF级,这个参数是mos管选择时至关重要的参数之一,必须考虑清楚。Mos管用于控制大电流通断,经常被要求数十K乃至数M的开关频率,在这种用途中,栅极信号具有交流特征,频率越高交流成分越大,寄生电容就能通过...
如何让MOS管快速开启和关闭
一般认为MOSFET(MOS管)是电压驱动的,不需要驱动电流。然而,在MOS管的G极和S极之间有结电容存在,这个电容会让驱动MOS变的不那么简单。下图的3个电容为MOS管的结电容,电感为电路走线的寄生电感:如果不考虑纹波、EMI和冲击电流等要求的话,MOS管开关速度越快越好。因为开关时间越短,开关损耗越小,而在开关电源中...
干货| 用 MOS管构建双向逻辑电平转换器电路
3、转换器的开关速度设计逻辑电平转换器时要考虑的另一个参数是转换速度。由于大多数逻辑转换器将在USART、I2C等通信总线之间使用,因此逻辑转换器切换得足够快(转换速度)以与通信线路的波特率相匹配非常重要。转换速度与MOS管的开关速度相同。因此,在上面的案例中,根据BS170数据表,MOS管的导通时间和MOS...
一文搞懂IGBT
1、开关速度低于MOS管(www.e993.com)2024年9月9日。2、因为是单向的,在没有附加电路的情况下无法处理AC波形。3、不能阻挡更高的反向电压。4、比BJT和MOS管价格更高。5、类似于晶闸管的P-N-P-N结构,因此它存在锁存问题。04IGBT的主要参数1、集电极-发射极额定电压UCES是IGBT在截止状态下集电极与发射极之间能够承受的最大...
「硬见小百科」一文解析MOS管/三极管/IGBT之间的关系
IGBT和BJT、MOSFET之间的联系BJT出现在MOSFET之前,而MOSFET出现在IGBT之前,所以我们从中间者MOSFET的出现来阐述三者的因果关系。MOSFET的出现可以追溯到20世纪30年代初。德国科学家Lilienfeld于1930年提出的场效应晶体管概念吸引了许多该领域科学家的兴趣,贝尔实验室的Bardeem和Brattain在1947年的一次场效应管发明尝试中,...
大功率MOS管与晶体三极管对比,到底有何区别?
2、开关速度快:MOS管的开关速度和输入的容性特性的有很大关系,由于输入容性特性的存在,使开关的速度变慢,但是在作为开关运用时,可降低驱动电路内阻,加快开关速度(输入采用了后述的“灌流电路”驱动,加快了容性的充放电的时间)。MOS管只靠多子导电,不存在少子储存效应,因而关断过程非常迅速,开关时间在10—100ns...
如何正确选择MOS管?需要注意哪些细节?
4)选择MOS管的最后一步是决定MOS管的开关性能影响开关性能的参数有很多,但最重要的是栅极/漏极、栅极/源极及漏极/源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗,因为在每次开关时都要对它们充电。MOS管的开关速度因此被降低,器件效率也下降。为计算开关过程中器件的总损耗,要计算开通过程中的损耗(Eon)和关闭过程中...
干货| 技术参数详解,MOS管知识最全收录
因此,日常我们看到的NMOS、PMOS多为增强型MOS管;其中,PMOS可以很方便地用作高端驱动。不过PMOS由于存在导通电阻大、价格贵、替换种类少等问题,在高端驱动中,通常还是使用NMOS替代,这也是市面上无论是应用还是产品种类,增强型NMOS管最为常见的重要原因,尤其在开关电源和马达驱动的应用中,一般都用NMOS管。