功率半导体行业深度报告:能源变革大时代,功率器件大市场
IGBT跟MOSFET比起来,能在更高的电压下一直工作,而且得同时考虑高功率密度、低损耗、高可靠性、散热性好、成本低这些因素。一块高性能、高可靠性还低成本的IGBT芯片,不只要在设计的时候不断优化器件结构,对晶圆制造和封装也有了更高的要求。1.2中国功率半导体的发展现状产品慢慢从低端迈向中高端,国产替代有着...
详解第三代半导体材料:碳化硅和氮化镓
硅材料制成的半导体器件不仅耐高温、抗辐射,而且通过使用高纯度的溅射二氧化硅(SiO2)薄膜,显著提升了器件的稳定性和可靠性。硅因其卓越的性能,已成为最广泛使用的半导体材料,目前超过95%的半导体器件和超过99%的集成电路都是由硅材料制成的。尽管在21世纪,硅在半导体行业的领导和核心地位保持不变,但其物理特性限制了...
综述:锑化物超晶格红外探测器研究进展与发展趋势
锑化物超晶格红外探测器具有均匀性好、暗电流低和量子效率较高等优点,其探测波长灵活可调,可以覆盖短波至甚长波整个红外谱段,是实现高均匀大面阵、长波、甚长波及双色红外探测器的优选技术,得到了国内外相关研究机构的关注和重视,近年来取得了突破性的进展。中国科学院上海技术物理研究所科研团队介绍了InAs/GaSb超...
半导体芯片,到底是如何工作的?
它们的优点是禁带宽度大(>2.2ev)、击穿电场高、热导率高、抗辐射能力强、发光效率高、频率高,可用于高温、高频、抗辐射及大功率器件,是行业目前大力发展的方向。前面我们提到了电子和空穴。半导体中有两种载流子:自由电子和空穴。自由电子大家比较熟悉,什么是空穴呢?空穴又称电洞(Electronhole)。常温下,由于热...
证券代码:002617 证券简称:露笑科技 公告编号:2024-043
(四)、碳化硅业务。碳化硅是第三代化合物半导体材料。碳化硅因其优越的物理性能:高禁带宽度(对应高击穿电场和高功率密度)、高电导率、高热导率,将是未来最被广泛使用的制作半导体芯片的基础材料。公司碳化硅业务主要为6英寸导电型碳化硅衬底片的生产、销售。
证券时报电子报实时通过手机APP、网站免费阅读重大财经新闻资讯及...
是指以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料,与前两代半导体材料相比,第三代半导体材料禁带宽度大,具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势,因此采用第三代半导体材料制备的半导体器件不仅能在更高的温度下稳定运行,适用于高电压、高频率场景,此外,还能以较少的电能消耗,获得更高的运行能力...
半导体金属行业深度报告:镓、钽、锡将显著受益于半导体复苏
从四代半导体的性能参数对比看,第一代半导体表现出较低的禁带宽度、介电常数以及击穿电场,其优势在于低廉的成本以及成熟的工艺,因此更加适应低压、低频、低温的工况。第二代半导体材料具有发光效率高、电子迁移率高、适于在较高温度和其它条件恶劣的环境中工作等特点,同时工艺较第三代半导体材料更为成熟,主要被...
【产业研究】高压快充趋势及产业链降本,加速碳化硅产业进展——新...
碳化硅物理性能优势明显,适应高温、高压、高频的应用场景。碳化硅作为第三代半导体,禁带宽度大,具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势,因此采用第三代半导体材料制备的半导体器件不仅能在更高的温度下稳定运行,适用于高电压、高频率场景,此外还能以较少的电能消耗,获得更高的运行能力。以碳化硅...
下一代芯片用什么半导体材料?专家:未来方向必然是宽禁带半导体
禁带宽度是半导体的一个重要特征参量,其大小主要决定于半导体的能带结构,即与晶体结构和原子的结合性质等有关。禁带宽度决定了半导体在不同温度和电场下的导电性能,宽禁带半导体能够在更高的温度、电压和频率下运行,从而降低损耗、提高效率,这一优势对于新能源汽车和5G通信、航天航空和军事系统等领域尤其重要,也可以...
被产业界看好的钙钛矿/晶硅异质结叠层太阳电池
所谓同质结是指由同一种半导体材料且禁带宽度相同但导电类型不同的材料所形成的pn结,用同质结构成的太阳电池称为同质结太阳电池;异质结是指由两种禁带宽度不同的半导体材料形成的结,用异质结构成的太阳电池称为异质结太阳电池。太阳电池按核心材料形态可以分为晶硅太阳电池和薄膜太阳电池。