中芯集成申请一种沟槽栅晶体管专利,大幅降低了器件的饱和电流...
专利摘要显示,本申请实施例涉及一种沟槽栅晶体管,包括:半导体材料层;栅极沟槽,包括侧壁和底壁,侧壁包括沿延伸方向间隔排布至少两个第一部分以及位于相邻两第一部分之间的第二部分;第一电场屏蔽结构,位于栅极沟槽外且邻接第一部分;体区,位于栅极沟槽外且邻接第二部分,体区中靠近栅极沟槽的部分用于形成沟道区;漂移区,...
中国科学院、北大团队发明新型“热发射极”晶体管,成果登上 Nature
据中国科学院金属研究所官方今日消息,中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家研究中心与北京大学的科研团队合作,采用了一种创新思路,通过可控调制热载流子来提高电流密度,发明了一种由石墨烯和锗等混合维度材料构成的热发射极晶体管,并提出了一种全新的“受激发射”热载流子生成机制。该研究成果于8月15日以题...
我科学家发明新型“热发射极”晶体管
15日,记者从中国科学院金属研究所获悉,该所研究员刘驰、孙东明和中国科学院院士成会明主导的研究团队合作,发明出一种由石墨烯和锗等混合维度材料构成的“热发射极”晶体管,并提出了一种全新的“受激发射”热载流子生成机制。相关研究成果15日发表在学术期刊《自然》上。晶体管是集成电路的基本单元。随着晶体管尺寸...
华微电子申请场效应晶体管及其制备方法专利,优化器件的动态性能...
通过上述方法制备的场效应晶体管包括衬底、外延层、场氧化层、场多晶、栅极多晶、栅氧化层、介质层、源极金属层及漏极金属层。栅极多晶填充在沟槽内且覆盖场多晶,栅极多晶周围的外延层形成源区,其中,栅极多晶距离沟槽开口的距离小于0.2um,如此设计可以是栅极多晶的形貌良好,不仅可以降低栅极电阻和输入电容,优化器...
常关的n-ZnOp金刚石异质结场效应晶体管,具有凹栅和电流分布层
图1采用不同栅极设计的器件结构示意图进行仿真。(a)为参考平面晶体管,(b)为凹槽栅晶体管,(c)为带电流分布层的凹槽栅晶体管。(d)为硼掺杂浓度分别为5×1015cm??3、1×1016cm??3、5×1016cm??3、1×1017cm??3时的电阻率随温度变化。
告别晶体管迎来忆容器 AI芯片可用电场而非电流执行计算
不同于处理器中的晶体管,塞姆龙的芯片使用电场而不是电流(www.e993.com)2024年9月17日。这些由传统半导体材料制成的忆容器可存储能量并控制电场,不仅提高了能源效率,还降低了制造成本,使消费电子产品更容易运行先进的AI模型。塞姆龙芯片是一种多层组织结构,核心原理是电荷屏蔽,通过屏蔽层控制顶部电极和底部电极之间的电场。屏蔽层由芯片内存管理,可...
这是我模电生涯中,学三极管最爽的一次
交流也叫动态电流放大系数,指在交流状态下的HFE或β;2、耗散功率也叫集电极最大允许耗散功率PCM,是晶体管参数变化不超过规定允许值时的最大集电极耗散功率。它与晶体管的最高允许结温和集电极最大电流有密切关系,晶体管使用时,其实际耗散功率不允许超过PCM值,否则会造成晶体管因过载而损坏。
了解C类功率放大器的局限性
图6输出电流的平均值和前三个谐波频率分量与导通角的关系。A类和B类放大器的线性度由于没有对信号进行削波,因此A类操作仍被假定为线性操作。在图6中,二次和三次谐波分量在360度导通角时均为零。乙类级的输入信号相对于晶体管的导通点是呈对称的。在180度导通角处存在二次谐波分量,但三次谐波为零。改...
用先进的SPICE模型模拟MOSFET电流-电压特性
x、横轴,是电流m、绘制线的斜率是阻力。为了确定线性区域中NMOS晶体管的电阻,我们只需要找到m。由于我们在图2中绘制了漏极电流和漏极电压之间的关系,我们已经完成了一半。然而,我们在y轴上绘制电流,在x轴上绘制电压——要使V=IR工作,电压必须是y值,电流必须是x。m不是图2中直线的斜率,而是斜率的倒数。
还不会设计晶体管施密特触发器?不要错过
假设输入电压Vi接近于0,T1没有基极电流,所以T1处于关闭状态。T2通过R1和RA汲取基极电流,因此T2处于开启状态(并且根据设计,T2是饱和的-集电极-发射极电压Vce接近于零),因此Vo位于由下式形成的分压器的中点R2&RE,介于+V和地之间。双晶体管施密特触发器现在假设Vi开始增加...