中国科学院:SiC MOSFET器件高温下最大电流导通能力评估方法

本文研究了SiCMOSFET功率模块在高温下的最大电流导通能力,考虑了电气性能和散热的相互关系。在建立SiCMOSFET器件的热电耦合模型配合系统散热模型的基础上,分析了热失控过程的机理。通过热电联合仿真确定了一款SiC功率模块高温下的电流容量,与实验结果相比误差约为4%,验证了所提出方法的有效性。关键词:冷却;结温;封...

MOS管驱动电流估算

此时,MOS管的电流最大,电阻最大,根据P=I*I*R,此时管子消耗的功率最大,发热最严重,所以尽可能让平台电压工作的时间很短。一般来说,耐压等级越高,MOS管的输入电容越大,反向传输电容Crss越小,米勒效应也相应减小。

深圳程华电子:DC-DC电源芯片的系统结构设计

在开关电流达到设定的极大值时,开关器件关断。在开关关断一定时间后(一般为uS级的时间),检测系统输出电压VOUT,输出电压的大小决定是否需要重新开启开关器件。这种方式下,如果开启脉冲宽度或者是开关器件的峰值电流过大,会加大系统的导通损耗。如果工作频率太高,会增加系统的开关损耗。但是,开关频率高可以减小功率器件和储...

Boost升压电路原理讲解|设计_新浪科技_新浪网

电感电流超过了其额定电流或者工作频率超过了其最大工作频率,都会导致电感饱和及过热。MOSFET在小功率的DC/DC变化中,PowerMOSFET是最常用的功率开关。MOSFET的成本比较低,工作频率比较高。设计中选取MOSFET主要考虑到它的导通损耗和开关损耗。要求MOSFET要有足够低的导通电阻RDS(ON)和比较低的栅极电荷Qg。

想了解光伏逆变器广泛采用的功率器件,来看这篇文章就对了

一颗MOS管来自ST意法半导体,型号STF21N65M5,耐压710V,导阻150mΩ,采用TO220FP封装。Wolfspeed沃孚半导体C3D04065A一颗WolfspeedC3D04065A,为650V的碳化硅二极管,135℃下工作电流为6A,采用TO-220-2封装。昱能250W光伏并网微逆变器这款逆变器最大输出功率为250W,输出电压为220V。直流最高输入电压为55V,支...

解析开关电源的冲击电流的几种控制方法

由于电容器在瞬态时可以看成是短路的,当开关电源上电时,会产生非常大的冲击电流,冲击电流的幅度要比稳态工作电流大很多,如对冲击电流不加以限制,不但会烧坏保险丝,烧毁接插件,还会由于共同输入阻抗而干扰附近的电器设备(www.e993.com)2024年11月11日。图3.通信系统的最大冲击电流限值(AC/DC电源)...

??基础回顾:电阻、电容、电感、二极管、三极管、mos管

电阻在电路中起到限流、分压等作用。通常1/8W电阻已经完全可以满足使用。但是,在作为7段LED中,要考虑到LED的压降和供电电压之差,再考虑LED的最大电流,通常是20mA(超高亮度的LED),如果是2×6(2排6个串联),则电流是40mA。电位器又分单圈和多圈电位器。单圈的电位器通常为灰白色,面上有一个十字可调的旋纽...

MOS管H桥电路与专用电机驱动方案

电路功率是等于电压乘以电流,即P=U*I。MOS管的H桥电路方案,电机驱动的最大工作电压与最大工作电流取决于工程师采用MOS管的最大工作电压值与最大工作电流值.MOS管的工作电压范围覆盖面广,可以从低至20~30V,中至80~120V,一直高至1000V等等;同样地,MOS管的工作电流范围也覆盖面广,可以从最小的1A一直到...

吃透MOS管,看这篇就够了

Mos管也能工作在放大区,而且很常见。做镜像电流源、运放、反馈控制等,都是利用mos管工作在放大区,由于mos管的特性,当沟道处于似通非通时,栅极电压直接影响沟道的导电能力,呈现一定的线性关系。由于栅极与源漏隔离,因此其输入阻抗可视为无穷大,当然,随频率增加阻抗就越来越小,一定频率时,就变得不可忽视。这个高阻抗...

MOS管烧了,可能是这些原因

长时间电流过载由于导通电阻相对较高,高平均电流会在MOS管中引起相当大的热耗散。如果电流非常高且散热不良,则MOS管可能会因温升过高而损坏。MOS管可以直接并联以共享高负载电流。瞬态电流过载持续时间短、大电流过载会导致MOS管器件逐渐损坏,但是在故障发生前MOS管的温度几乎没有明显升高,不太能察觉出来。(也...