被朋友拉去听演唱会,可注意力全程被手里这个东西吸引
在复合的过程中,释放出的能量正是导带底与价带顶之间的能量差,即禁带宽度Eg(单位:电子伏特eV)。不同的禁带宽度,释放不同的能量,即产生不同颜色的LED。LED产生光的波长与禁带宽度的关系如下式所示而采用不同的半导体材料,获得不同的禁带宽度,就可以产生多种颜色的LED啦~不同半导体材料的禁带宽度及对应LED的颜色...
EUV光刻机的局限与半导体产业的未来
它利用导带与价带之间的量子隧穿效应,控制晶体管的开与关,使漏电流更小、导通电流更大,突破了传统晶体管中的麦克斯韦-玻尔兹曼统计限制,使得亚阈值摆幅低于60mV/dec的下限。不过,TFET的源极与漏极不再像MOS场效晶体管那样同为P型半导体或同为N型半导体,而是一边为P型半导体,另一边为N型半导体,这对器件制造和...
综述:锑化物超晶格红外探测器研究进展与发展趋势
在III-V族化合物半导体中,InAs、GaSb、AlSb之间可组成不同类别的能带排列,GaSb/AlSb组成I类能带排列,InAs/GaSb、InAs/AlSb组成II类能带排列。特别的,InAs导带底能量比GaSb价带顶能量低约150meV,当InAs和GaSb结合时,两者形成“破隙型”II类能带排列,电子被限制在InAs层中,而空穴被限制在GaSb层中。当两者组成超...
下一代芯片用什么半导体材料
所谓量子点是一类微小颗粒或纳米晶体,即直径在2-10纳米之间的半导体材料,是导带电子、价带空穴及激子在三个空间维度上束缚住的半导体纳米结构。除了在显示和照明领域的应用外,诺贝尔化学奖委员会称,未来量子点还有望在量子计算、柔性电子产品、微小传感器、更薄的太阳能电池等领域做出贡献。此外,石墨烯等二维材料在...
2023诺贝尔化学奖解读 ——量子点|玻璃|光谱|光子|纳米|量子...
我们先给它通电,或者说我们用光激发,电子从价带跃迁到导带里面形成一个“激子”。我们可以理解把电子放到一个高能量状态,当它从高能量状态往下跃迁的时候,其实就是跳回来,物理上叫做“跃迁”。这个过程中能量的差距就变成一个光的形式发射出来。因此,我们的量子点发光就来自于制造量子点的材料发光。此外,量子点本身...
Nat. Mater.:高迁移率有机半导体的导带结构和部分修饰的极化子形成
能带结构提供了有关有机半导体中电荷传输行为的关键信息,例如有效质量、转移积分和电子-声子耦合(www.e993.com)2024年9月17日。尽管在1990年代就发现了价带(最高占据分子轨道(HOMO))带结构,但尚未通过实验观察到导带(最低未占据分子轨道(LUMO))。近日,日本千叶大学HiroyukiYoshida,筑波大学HiroyukiIshii等采用角分辨低能逆光电子能谱来揭...
看好了,世界地图是这么展开的|No.340
我们知道,在固体物理中,电子的动量-能量关系由能带论描述,电子所能占据的最高能级称为费米能级。根据能带填充的程度不同,材料被分为导体、半导体和绝缘体。当费米能级位于导带和价带之间时,因为费米面处在能隙中,可以参与导电的电子态密度为0,因此无法导电,被称为绝缘体。而对于拓扑绝缘体,其内部体态的能带结构...
《ACS AMI》:一种无镉高效量子点及其在LED中的应用
或者,II型量子点在不同材料中具有导带和价带极值,人们普遍认为II型量子点会导致低PLQY。到目前为止,已经研究了由CdSe、CdS、CdTe和ZnTe(例如CdTe/CdSe和ZnTe/CdSe)组成的各种II型异质结。然而,它们的PLQY仍然很低,这是由于电子和空穴的空间分离导致非辐射复合速率的增加和PLQY的减少。最近,ZnSe/CdS/ZnS、CdSe...
陈志刚/邹进教授Joule: Rashba效应用于提升GeTe基材料的热电性能
图3E-H是立方相的能带结构。如图3E所示,C-GeTe是直接带隙半导体,在L点处具有导带和价带边缘,在Σ点处具有次级价带边缘。由于存在反演对称性,由拉什巴效应引起的动量空间中的能带分裂在C-GeTe中消失了。至于两个价带特征,Sn掺杂会引起能量偏移的减小(图3F-H)。观察到的能带会聚可以提高热电性能。
照明半导体的导电机理
假设在绝对零度耐,又不受光、电、磁等外界作用的本征半导体能带图。此时,导带没有电子,价带也没有空穴。因此,这时的本征半导体和绝缘体一样,不能导电。但是,由于半导体的禁带宽度Eg较小,因而在热运动或其他外界因素的作用下,价带的电子可激发跃迁到导带。这时,导带有了电子,价带也有了空穴,本征半导体就有导电能力。