半导体中的Ec,Ev,Ef之间是什么关系?
首先,Ec,又称导带,是电子系统中的高端状态,能量高于它,电子即能摆脱原子的束缚,成为自由电子,具备在电场中自由移动的能力,因此被称为导带。相反,Ev,即价带,处于系统低端,能量低于或等于它,电子被原子牢固地束缚,形成稳定的价键,因此得名。Ef,则扮演着电子系统的化学势角色,它反映了电子的活跃程度和系统总能量。...
朱永法教授团队Chem:可见光诱导价带内强氧化空穴产生
Side-CB和Side-VB分别表示导带最低点和价带最高点,分别对应LUCO和HOCO。Intra-VB指的是内部价带,本研究特别关注HOCO-1轨道。基于实验测定了PTCDA光催化剂的side-CB为-0.32V,side-VB的氧化电位为1.65V,HOCO-1的位置为2.98V。考虑到从HOCO-1到LUCO的电子跃迁需要高能激发(E≥3.30eV,λ≤376nm)以及HO...
可见光下从价带内产生空穴以增强氧化电位
Side-CB和Side-VB分别表示导带最低点和价带最高点,分别对应LUCO和HOCO。Intra-VB指的是内部价带,本研究特别关注HOCO-1轨道。基于实验测定了PTCDA光催化剂的side-CB为-0.32V,side-VB的氧化电位为1.65V,HOCO-1的位置为2.98V。考虑到从HOCO-1到LUCO的电子跃迁需要高能激发(E≥3.30eV,λ≤376nm)以及HOCO...
褚君浩:科研道路上的坎坷和风景
所谓本征吸收光谱呢,就是电子从半导体的价带的顶部到半导体的导带的底部,它的跃迁的吸收系数,把它测量出来。国际上没测量出来过。主持人:当时这个东西很难测吗?褚君浩:对。因为这个吸收系数很大。我一开始也想:外国人没做出来的东西,我来做,做得出来吗?但是我后来想想:你不是要做“坦牛”吗?有点难的问题,...
西工大与北京计科中心《JACS》:深紫外发光材料的计算设计
表1:允许跃迁材料的点群,化学式,原子位群,导带底以及价带顶的轨道组成及不可约表示表2:禁戒跃迁材料的点群,化学式,原子位群,导带底以及价带顶的轨道组成及不可约表示结论作者通过高通量与第一性原理计算,基于MaterialsProject材料数据库成功筛选出5种潜在的高效深紫外发光材料,分别是BeGeN2,Mg3NF3,KCaBr3...
快速了解第三代半导体及宽禁带半导体
禁带:导带底与价带顶之间能带带隙(禁带宽度):导带底与价带顶之间的能量差从图中我们不难发现半导体和绝缘体之间差异最大的地方在于禁带宽度,而在第三代半导体概念中的宽禁带半导体,其中“宽禁带”指的就是禁带宽度比较宽(www.e993.com)2024年9月10日。举个例子,比如在跨栏运动中栏架高度大约1米,厚度也很小。所以运动员可以轻松的跨...
2024 年中国光伏行业研究报告
光伏系统一般包括光伏面板、逆变器、电池存储和监控系统,这些组件协同工作,高效地将太阳能转化为可用的电能。整个系统的工作原理依赖于光生伏打效应,即当光子(太阳光中的能量单元)照射到光伏电池上时,会激发电子从价带跃迁到导带,从而在电子和空穴之间形成电位差,并通过外部电路产生电流。
SiC,迎来劲敌|电阻|晶体管|肖特基|氮化镓|二极管_网易订阅
它是半导体晶格中的电子从价带跃迁到导带所需的能量,以电子伏特为单位,在导带中电子可以在晶格中自由移动并导电。在具有宽带隙的半导体中,例如氮化镓(GaN)或碳化硅(SiC),原子之间的键很强。因此,在键断裂和晶体管被破坏之前,该材料能够承受非常强的电场。但与AlN相比,它们都相形见绌。AlN的带隙为6.20电子伏特...
彭笑刚:2023年度诺贝尔化学奖与激子(光子)操控物质平台
实际上,虽然后一种现象也与尺寸相关,但能级能量(包括动能和势能)的改变在基态就会发生,不涉及受激产生的导带电子和价带空穴。而实验和理论都证明,图1所示的尺寸可调的发光波长取决于动态激子的两种载流子动能的量子限域效应。针对量子点的其他测量,所得性质也主要决定于动态激子的量子限域效应,带边能级随尺寸分立效应...
钙钛矿电池能在太空中自我修复?是时候好好盘盘它啦!
在硅中,导带与价带之间的能量差(带隙或能隙)约有1.1eV,这对应波长约1.1微米的红外光。换句话说,红光、黄光、蓝光和一些近红外光子能被吸收转化,而波长更长(能量更低)的无线电波、微波和大多数红外光子则不会产生电能。这部分光谱在阳光中占比约19%。