新存科技申请存储器测试系统和测试方法专利,监控存储单元干扰时间

测试装置通过设置第二电压检测模块来检测第二测试电压,从而来监控第二存储单元受到第一存储单元干扰所用的时间,进而可以得到第一存储单元的操作时间。并通过设置第一电压检测模块来检测第一地址线一端的第一测试电压,从而处理器可以根据第一地址线和第三地址线的电压、第一测试电压、压差产生器的阻值和第一存储单元的...

新存科技申请半导体器件及其制造方法专利,提供一种半导体器件制造...

所述方法包括:形成沿第一方向间隔排布的多个存储单元以及沿第一方向间隔排布的多条第一地址线;每一存储单元与对应的第一地址线耦接且沿第二方向层叠设置;第一方向与第二方向垂直;形成第一材料层;第一材料层覆盖存储单元沿第一方向相对的两侧侧壁以及第一地址线的表面和侧壁;在相邻存储单元之间的间隙中填充第二材...

存储芯片,这一品类最赚钱

DRAM即动态随机存取存储器，是最为常见的系统内存。DRAM只能将数据保持很短的时间，为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以必须隔一段时间刷新一次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失。按照产品分类，DRAM主要分为DDR、LPDDR、GDDR及新型存储HBM。DDR（DoubleDataRate）即双倍速率同步动态随机存取内存，...

HDC应用:类似于人类工作记忆(大约存储七个项目)使用从长期记忆中...

此外,其三维结构对应于工程师如何从类似神经元的组件构建类似RAM的记忆(Albus,1971;Kanerva,1993):苔藓纤维(2亿)作为地址线,颗粒细胞(500亿)作为记忆位置,爬行纤维(1500万)作为数据输入线,Purkinje细胞(1500万)提供输出——括号中的数字是对人类小脑的估计。最近的研究表明,小脑颗粒细胞的少量输入和Purkinje细胞的...

自动驾驶三大主流芯片架构分析

目前FPGA中多使用4输入的LUT,所以每一个LUT可以看成一个有4位地址线的RAM。当用户通过原理图或HDL语言描述了一个逻辑电路以后,PLD/FPGA开发软件会自动计算逻辑电路的所有可能结果,并把真值表(即结果)事先写入RAM,这样,每输入一个信号进行逻辑运算就等于输入一个地址进行查表,找出地址对应的内容,然后输出即可。

AI内存瓶颈(下):DRAM与HBM

以下图为例,在一个由多个1T1C单元(一个晶体管和一个电容)组成的DRAM阵列中,每个阵列被称为一个库(Bank),而一个芯片(Die)可以包含多个这样的Bank(www.e993.com)2024年11月18日。为了定位存储单元,计算机使用一个31位的地址线:其中前5位用于选择具体的Bank,接下来的16位用于激活指定的行(Row),最后的10位则用于同时激活8个列(Column)。

汉威科技取得带自诊断功能的激光气体检测系统及气体实时校准方法...

本发明解决了传统激光气体检测系统检测标准参数易受器件老化影响、检测效率较低、检测准确度受温度影响较大以及核心零件受损不易被发现等问题,通过将地址线当作控制线进行使用,提高了系统对核心部件的自检测能力,同时本发明利用在线激光气体检测实时校准法提升了系统的监测效率。本文源自:金融界作者:情报员特别声明:...

存储器和数字芯片测试的基本测试技术

存储单元开路:存储单元在写入时状态不能改变相邻单元短路:根据不同的短路状态,相邻的单元会被写入相同或相反的数据地址开路或短路:这种错误引起一个存储单元对应多个地址或者多个地址对应一个存储单元。这种错误不容易被检测,因为我们一次只能检查输入地址所对应的输出响应,很难确定是哪一个物理地址被真正读取。

随机存取存储器有哪些特点?寄存器和存储器有什么区别?

寄存器在CPU的内部,它的访问速度快,但容量小(8086微处理器只有14个16位寄存器)、成本高,它用名字来标识(如AX、BX等),没有地址;;存储器在CPU的外部,它的访问速度比寄存器慢,容量大(20根地址线寻址1M内存空间)、成本低,存储单元用地址来标识,地址可用各种方式形成。

数字存储完全指南 03|固态硬盘的历史、结构与原理

我们现在常见的ROM其实就是只读储存器(Read-Only-Memory)的缩写,EP指的是可擦除(Erasable)可编程(Programmable)。也就是说它可以通过高电压的设备把数据放进浮栅晶体管储存单元里,之后就没办法修改了,所以说是只读。而可擦除则是利用强紫外线来直接把浮栅晶体管里面的电荷都放跑,这样就达到了擦除的效果,...