窄线宽激光器:光通信与光谱分析的新选择

窄线宽激光器的线宽是指其光谱的宽度,通常以单位频率内的带宽表示,这个宽度也被称为“谱线宽度”或简称“线宽”。窄线宽激光器的光谱线宽较窄,通常在几百千赫兹(kHz)到几兆赫兹(MHz)之间,远小于常规激光器的光谱线宽。2.分类按谐振腔结构分类:√线形腔光纤激光器分为分布布拉格反射式(DBR)和分布反馈式(D...

瞬态受激拉曼散射实现自然线宽极限的高光谱拉曼成像

图2TSRS在各光谱区域对活海拉细胞进行高光谱成像为了进一步体现TSRS超高光谱分辨率以及宽带飞秒激发的优势,研究人员从已有的小分子库挑选了具有窄线宽氰基和炔基的小分子组成高密度多色拉曼探针组,见图3。TSRS光谱与成像展示了区分相邻的拉曼探针光谱间距在12cm-1左右的光谱成像,理论上在100cm-1的光谱范围内就可...

小线宽光刻,只能用EBL?DUV步进光刻的千倍效率了解一下!

1、曝光波长：248nm2、晶圆尺寸：6inch3、掩模版尺寸：6inch4、单Shot最大曝光面积：22mm×22mm5、NA：0.65~0.506、极限分辨率：150nm7、焦点深度：≥0.5μm8、照明光强：1400mW/cm29、对准精度3σ：40nm10、自动对焦精度3σ：100nm11、光刻胶：355nm\460nm\900nm可选，另有抗反射...

ASML宣布新款光刻机实现8nm制程超高分辨率

相较于目前13nm分辨率的EUV光刻机,ASML公司配备0.55NA镜头的新型TwinscanEXE:5200型光刻机能够实现8nm的超高分辨率,这是一个显著的提升。这项技术允许在单次曝光下印刷出尺寸减小1.7倍、晶体管密度提高2.9倍的晶体管。实现8nm制程对于制造计划在2025-2026年上市的3nm以下制程芯片至关重要。高数值孔径EUV技术的引...

阿斯麦 High-NA EUV 光刻机取得重大突破,成功印刷 10 纳米线宽图案

与目前13nm分辨率的EUV光刻机相比,ASML公司配备0.55NA镜头的新型TwinscanEXE:5200型光刻机能够实现8nm的超高分辨率,这是一个显著的提升。这项技术允许在单次曝光下印刷出尺寸减小1.7倍、晶体管密度提高2.9倍的晶体管。相比之下,传统的低数值孔径(Low-NA)系统虽然可以达到相同的精度,但...

Light | 纳米级分辨率片上光谱仪

此外,加工更大尺寸的超表面可使提出的光谱仪实现更精准的线宽检测甚至是连续光谱的识别(www.e993.com)2024年11月19日。图3展示了更大尺寸的超表面光谱仪对不同线宽的高斯谱形的识别情况,理论上完全可以做到精准识别光谱线宽。另外,加工更大尺寸的超表面还有助于提高超表面光谱仪的分辨率和工作带宽。

像素控制的极致艺术:TFT基板勾勒Micro-LED显示版图

01高分辨率与高画质TFT基板能够实现微米级的线宽和线间距控制,这使得Micro-LED显示屏可以达到极高的PPI(每英寸像素数)。这对于实现超高清显示至关重要。辰显光电通过TFT技术实现了LED像素的精确控制,避免了传统显示技术中的串扰问题,确保了画面的清晰度和色彩还原度。

双光束超分辨光刻技术的发展和未来

2013年,本课题组在使用双光束超分辨激光直写设备成功得到了9nm的线宽,并且线中心间距可以达到52nm,研究为这项技术真正突破衍射极限提供了关键依据,研究成果被《NatureNanotechnology》《NatureMaterials》等期刊专题评论,“该方法使得(激光制造)的特征尺寸和分辨率突破了光的衍射极限”,并且被多种期刊引用,成为高被引...

国产光刻机“套刻≤8nm”意味着什么?接近ASML 2015年的水平

综合来看,这种规格的国产ArF光刻机性能与ASML于2015年二季度出货的ArF光刻机TWINSCANXT:1460K(分辨率为≤65nm,套刻精度<5nm)较为接近。而按套刻精度与量产工艺1∶3的关系,这个光刻机理论上可量产28nm工艺的芯片。不过,业内人士认为,考虑到套刻精度误差更大等原因,该国产ArF光刻机可能还到不了“28nm光刻机...

首先得有,28nm/65nm突破为何被工信部列为“重大技术”

但当线宽小于65nm时,由于射出投影物镜的光角度太大(接近水平),加上折射效应,光线无法聚焦,该方法就会失效;另一个则是采用浸没式光刻,在投影物镜和晶圆间加水,从而增大介质折射率(193nm波长激光中,空气=1,水=1.44,玻璃~1.5),实现等效波长为193/1.44=134nm<F2(157nm),且系统升级更便捷,浸没式DUV脱颖而出。