【技术前沿】半导体激光照明技术:科技之光,照亮深海的探索之路

波长范围广半导体激光器的发射波长广泛,从红外线延伸至可见光谱,并可通过技术手段进一步扩展至紫外线区域。丰富的波长选择,使得半导体激光器能够适应不同应用场景对特定激光波长的需求。例如,红外波段的半导体激光器适合用于夜视和安全监控等,而可见光波段的半导体激光器则适用于激光显示和照明等领域。▲对比LED光源,激光...

南京理工大学陈钱、隋修宝等《AFM》:看见不可见!具有波长选择性的...

利用活性层的吸收特性所设计的具有波长选择性的上转换探测器,可以在活性层内产生取决于吸收光子波长的光生电荷,从而得到波长选择性的光响应;将吸收红外(NIR)光子所产生的光生电荷传输到可见光发光单元内,通过上转换产生具有特定波长的可见光子。上转换探测器的光响应和可见光显示中所表现的波长选择性对于在实际应用中...

新型国产光刻机问世,“正能量”谣言满天飞,结果仍然落后18年

目前,全球最先进的光刻机已经采用了极紫外(EUV)光源,其波长仅为13.5nm,远远小于中国新型国产光刻机所使用的248nm和193nm光源。这意味着,在同样的工艺条件下,EUV光刻机能够制造出更小制程、更高性能的芯片。因此,尽管中国新型国产光刻机的问世无疑是一个令人振奋的消息,但我们也必须清醒地认识到其中的差距。

国产EUV光刻机进展如何?与ASML技术相比有何改进?

国内光刻机技术目前理论上仍处于第四代，即ArF光刻机，也称为干式DUV光刻机，使用193nm波长，理论最小制程达到65nm。最近几天的新闻对这种光刻机进行了大量报道，关于它的具体情况这里不再赘述。这也显示出我们的实力，毕竟全球仅有三个国家能制造DUV光刻机。然而，对我们来说，更为关键的还是EUV光刻机，因为只...

新型国产光刻机发布,谣言四起,但仍面临18年的技术差距

在描述特征尺寸时，通常将分辨率小于等于65纳米的光刻机，与大约55-65纳米的芯片制程相联系。由此，我们可以通过比较新型光刻机的性能参数，直观地发现KrF光刻机在光源波长、分辨率以及套刻精度方面的指标均逊色于ArFi光刻机。关于ArFi光刻机在全球的地位，根据新浪财经9月16日的报道，阿斯麦公司早在2006年就推出了...

宇宙只有138亿年的历史,为何直径达到了930亿光年,这不矛盾吗?

宇宙的膨胀效应使得光在行进过程中所覆盖的实际距离远超过一光年(www.e993.com)2024年11月9日。这种膨胀效应是通过红移现象观测到的,它表明从遥远星系发出的光波长会被拉长,从而使我们观测到的星系看起来比它们实际位置更远。正是这种膨胀,使得一个年龄为138亿年的宇宙能够拥有一个直径达到930亿光年的可视范围。

PT对称性:让光信号处理更快更强

基于绝缘体上铝镓砷的超低功耗高速全光波长转换近年来,绝缘体上铝镓砷(AlGaAsOI)在集成高非线性材料平台中表现突出。铝镓砷材料能够很好的兼顾双光子吸收和非线性,加上波导色散控制(如对波导横截面尺寸加以设计),可以获得超大转换带宽,该材料平台已在低功耗光频梳和光信号处理等方面取得了快速进展。

晶体金薄膜光致发光的量子力学效应

图四:a)用488nm和532nm波长光(激发强度分别为0.322mW·μm-2和0.549mW·μm-2)激发后,厚度为88nm、33.3nm和13.4nm的薄片的归一化发光信号。b)厚度为33.3nm的薄片的发光信号关于488nm(1.449mW·μm-2)和532nm(3.334mW·μm-2)激发波长能量位移的函数。c)488nm(黑色方块)...

制造光刻机 40 年,一本新书重新发现了 ASML 成功的秘密

由于光刻机的出货量很少,ASML的每个核心零部件可以只选择一家供应商,并通过独供协议绑定双方利益。这样的合作关系一直维系至今。截至2023年,ASML一共注册了超过16000项专利,其中许多都是与它的5100家供应商合作开发的,蔡司是当中最重要的合作伙伴。蔡司前CEO赫尔曼·格林格(HermannGerlinger)形容两家公...

阿秒专题|阿秒光脉冲技术的发展和应用

但问题是，没有证据表明这些分立的光谱有固定的位相关系。图1高次谐波产生原理的三步模型示意图：①电离；②加速；③复合产生高次谐波的原理，如图1所示，一般用三步模型来解释：电离、加速、复合。强光脉冲电离原子，电子在光场中加速获得能量，在复合过程中，电子会以更短波长光脉冲的形式释放出它所获得的动能...