冠石科技光掩模版项目进展,2024光掩模版与光刻胶技术与市场论坛将...

据了解,公司本次交付的电子束掩膜版光刻机设备是光掩膜版40纳米技术节点量产及28纳米技术节点研发的重点设备,这意味着该项目进展迈出了关键一步。公司表示,后续将继续按照已有的建设工作计划,持续稳定地推进各项工作。半年报显示,该项目预计将分别于2025年实现45纳米光掩膜版的量产,2028年实现28纳米光掩膜版的量产,...

在嘉兴,600多位专家谈光刻未来

他表示对于步进扫描投影光刻机而言，掩模台与晶圆台的同步伺服性能将直接影响光刻机的技术指标。掩模台与晶圆台是典型的六自由度超精密运动平台。其核心控制问题是在耦合动力学以及复杂内外部干扰的条件下平衡高动态与超精密运动。集成电路光刻机超精密运动平台控制技术的研究与开发对于实现高端光刻机的国产化制造具有重...

冠石科技上半年产销双增长 首台电子束掩膜版光刻机进场

上证报中国证券网讯8月29日晚间,冠石科技发布半年报,报告显示公司实现了产量和销量的双增长,上半年实现营业收入约6.57亿元,同比增长57.59%,显示出强劲的市场拓展能力和增长动力。值得注意的是,报告期内,首台电子束掩膜版光刻机顺利交付,该设备是光掩膜版40纳米技术节点量产及28纳米技术节点研发的重点设备。公告显示...

冠石半导体入场首台先进电子束掩模版光刻机

近日,宁波冠石半导体有限公司迎来关键节点,企业引入首台电子束掩模版光刻机。据悉,该设备是光掩模版40纳米技术节点量产及28纳米技术节点研发的重点设备。宁波冠石半导体公司是一家专业从事半导体光掩模版制造的企业,企业主要从事45-28nm半导体光掩模版的规模化生产。光掩模版是微电子制造中光刻工艺所使用的图形转移工具或...

泽攸科技自主研制的电子束光刻机实现关键突破,有望打破国外技术壁垒

业内人士表示,电子束光刻机是当前推动新材料、前沿物理、半导体、微电子、光子、量子等研究领域发展的重要装备之一。我国在这一领域长期面临技术壁垒,市场高度依赖进口。泽攸科技通过多年技术积累,已构建起完整的电子束技术体系,其产品竞争力和影响力持续提升。

龙图光罩(688721.SH):目前在深圳有7台光刻机,均处于正常使用状态

龙图光罩(688721.SH):目前在深圳有7台光刻机,均处于正常使用状态,httpsm.jrj/madapter/finance/2024/09/06155943076884.shtml

光刻技术,有了新选择

步进重复光刻主要应用于0.25微米以上工艺,光刻时掩膜版固定不动,晶圆步进运动,完成全部曝光工作。随着集成电路的集成度不断提高,芯片面积变大,要求一次曝光的面积增大,促使更为先进的步进扫描光刻机问世。步进扫描式光刻机步进扫描光刻示意图当制程工艺发展到0.25微米后,步进扫描式光刻机的扫描曝光视场尺寸与曝光均...

100%自主可控,中企再传喜讯,重要性不亚于EUV光刻机

有人可能会说,刻蚀机和电子束检测设备的研发难度相较于光刻机来说要小得多。但正是这些看似“小”的突破,汇聚成了国产芯片产业链上不可或缺的一环又一环。正是有了像中微半导体这样的企业,我们才能在逆境中不断成长,最终实现从设计到制造全流程的国产化。

冠石科技:冠石半导体引入首台电子束掩模版光刻机,对光掩膜版量产...

尊敬的投资者,您好!目前,公司半导体光掩膜版项目涉及的关键设备全部为进口设备,设备交付时间18-48个月不等,首批设备预计交期为2024年3季度。近日宁波冠石引入的首台电子束掩膜版光刻机,是光掩膜版40纳米技术节点量产及28纳米技术节点研发的重点设备。感谢您的关注!

替代EUV光刻机光源,日本方案详解

需要一条光束线将EUV光从EUV-fel光源传输到LSI晶圆厂的光刻机。正常入射EUV-FEL光的每脉冲能量密度约为10mJcm??2,横向尺寸为~1mm2,在距离FEL出口3m处的FWHM半波带宽度脉冲长度为~100fs。它低于Mo/Si多层和Si的烧蚀阈值,在SACLA-BL1使用两个光源,等离子体激光器和EUV-FEL实验估计的烧蚀阈值约为...