南通三责精密陶瓷取得方形碳化硅炉管专利,解决大尺寸炉管生产难题

金融界2024年11月18日消息,国家知识产权局信息显示,南通三责精密陶瓷有限公司取得一项名为“一种方形碳化硅炉管”的专利,授权公告号CN222012716U,申请日期为2024年3月。专利摘要显示,本实用新型提供了一种方形碳化硅炉管,具体为方形管结构,所述结构包括方管管脊、第一围板、第二围板、法兰、安装槽道;所述方管...

全球与中国碳化硅管式膜市场重点企业分析及发展价值研究报告

5.1.2Saint-Gobain碳化硅管式膜产品规格、参数及市场应用5.1.3Saint-Gobain碳化硅管式膜销量、收入、价格及毛利率(2019-2024)5.1.4Saint-Gobain公司简介及主要业务5.1.5Saint-Gobain企业最新动态5.2LiqTech5.2.1LiqTech基本信息、碳化硅管式膜生产基地、销售区域、竞争对手及市场地位5.2.2LiqTech...

全球及中国碳化硅陶瓷管行业供需趋势及发展布局研究报告

第9章：全球市场碳化硅陶瓷管主要厂商基本情况介绍，包括公司简介、碳化硅陶瓷管产品规格型号、销量、价格、收入及公司最新动态等；第10章：中国市场碳化硅陶瓷管进出口情况分析；第11章：中国市场碳化硅陶瓷管主要生产和消费地区分布；第12章：报告结论。标题报告目录1碳化硅陶瓷管市场概述1.1碳化硅陶瓷管行业概述...

单管20元,碳化硅在车载OBC普及还有多远?

一般会用碳化硅器件;另外，变压器的右侧有些方案是采用IGBT与碳化硅合封;11kW平台渗透率要更高一些，因为涉及到高压，母线电压基本会采用碳化硅方案，传统的碳化硅方案也不能满足应用要求;22kW的碳化硅方案目前还不多，普通的车11kWOBC也够用了。

功率半导体行业深度报告:能源变革大时代,功率器件大市场

SGTMOSFET、SJMOSFET还有碳化硅MOSFET可能是MOSFET以后的三个主要产品。从上个世纪70年代MOSFET出现之后，从平面MOSFET发展到TrenchMOSFET，再到SGTMOSFET和SJMOSFET，然后到现在很火的第三代宽禁带MOSFET（碳化硅、氮化镓），功率MOSFET技术迭代主要是围绕制程、设计（结构改变）、工艺优化和材料更换这些方面，这样就能...

士兰微研究报告:持续迈进的功率IDM龙头

产品侧,我们预计公司碳化硅单管产品有望在2023年产生批量收入,主要应用于充电桩等领域(www.e993.com)2024年11月25日。同时,公司2021年已完成了车规级碳化硅MOSFET的研发,未来几个季度内有望实现上车。产能侧,以厦门士兰明镓为主体实施的“SiC功率器件芯片生产线建设项目”已于2022年10月通线,规划年产12万片SiCMOSFET...

最全!20V到1700V全覆盖的国产MOSFET功率器件,工温最高175℃

碳化硅专家,专业功率器件厂商--SLKOR(萨科微)·主要产品:碳化硅器件(碳化硅MOS管和碳化硅肖特基二极管)、MOS管、二极管、可控硅·厂牌优势:2010年开始研发生产第三代半导体SiC元器件,其设计、工艺和性能居世界前列。产品主要包括碳化硅MOS管和碳化硅肖特基二极管,电压主要是650V和1200V;MOS管,采用先进的沟槽栅工艺技...

新能源汽车之电驱动系统篇:产业链重构,千亿赛道群雄逐鹿

电机控制器主要构成包括功率模块、PCB板、传感器、壳体和控制软件等,功率模块性能对电机控制器产品可靠性及稳定性影响较大,功率模块有IGBT(绝缘栅双极型晶体管)、MOSFET功率场效应晶体管、SiC-MOSFET(碳化硅)等解决方案。以IGBT解决方案的成本构成来看,功率模块占比约37%,驱动电路占比约12%,控制电路占比约16%,壳体占...

功率半导体:新能源需求引领,行业快速发展

栅功率MOSFET和IGBT;每个平台下又根据不同的电压、不同的结构进行分类;之后为了满足客户的要求,需要调整芯片面积、采用多达三十余种封装外形以及进行单管、功率模块或者智能功率模块的集成封装,因此近二十个子工艺平台叠加不同电压系列、不同面积系列以及不同封装系列,交叉组合会得到1000余款细分型号的产品...

多家第三代半导体企业出席2023(春季)亚洲充电展,发布新品

充电头网联合众多第三代半导体产业企业,发起了世界氮化镓日,这一日期还有一个小故事,其中氮在元素周期表排序第7位,镓排序第31位。每年7月31日第三代半导体行业将会举行盛大的庆祝活动,覆盖产学研多个领域的全球规模盛会,用于纪念氮化镓、碳化硅新技术在快充上的革新应用。