功率半导体行业深度报告:能源变革大时代,功率器件大市场

SGTMOSFET、SJMOSFET还有碳化硅MOSFET可能是MOSFET以后的三个主要产品。从上个世纪70年代MOSFET出现之后，从平面MOSFET发展到TrenchMOSFET，再到SGTMOSFET和SJMOSFET，然后到现在很火的第三代宽禁带MOSFET（碳化硅、氮化镓），功率MOSFET技术迭代主要是围绕制程、设计（结构改变）、工艺优化和材料更换这些方面，这样就能...

上海贝岭“功率器件&电源IC”在PD快充中的应用

贝岭型号推荐：3.2手机充电器对功率MOSFET技术需求2手机充电器中整流开关管和VBUS开关管技术需求如下：高击穿电压：保证开关MOS能够不被击穿；低内阻：导通状态下产生的功率小，发热少；低热阻：正常工作时发热量小；高雪崩耐量：发生异常短路情况时会产生较大的电压电流尖峰，高雪崩耐量可使MOS管不被击穿；短路电流...

长晶科技:加快功率器件国产替代步伐

作为国内领先的半导体功率器件企业,自2019年开始,长晶科技连续5年被中国半导体行业协会评为“中国半导体功率器件十强企业”,并在海内外多地设立研发中心、子分公司或办事处,产品系列和型号超20000个。预计今年四季度,长晶科技封测基地一期厂房将全面投产,功率器件国产化替代跑出“加速度”。服务集成——“全产业链条...

...MOS场效应二极管(MFER)和分离栅低压场效应晶体管(SGT-MOSFET)

公司控股的功率半导体设计公司广微集成目前主要产品包括MOS场效应二极管(MFER)和分离栅低压场效应晶体管(SGT-MOSFET),MFER主要应用在光伏接线盒、储能BMS、电源适配器、工业PFC等场景,SGT-MOSFET主要应用于储能BMS电源输出和电路保护系统,未来也可拓展至新能源汽车电子领域。感谢您的关注!

捷捷微电:10月25日接受机构调研,包括知名机构淡水泉,盘京投资的多...

去年6寸线项目已经开始试生产,目前的产能情况和做的产品类型6寸线定位于功率半导体芯片生产线,最小线宽达0.35um;目前已具备批量生产能力,产品包括单双向ESD芯片、稳压二极管芯片、开关管芯片、FRED芯片、高压整流二极管芯片、平面可控硅芯片、肖特基芯片和VDMOS芯片等等。6寸线目前具备30000片/月...

功率半导体大厂,都在走这条路

势不可挡的电动化趋势,量价齐升的需求空间,让车规功率半导体如绝缘栅双极型晶体管(IGBT)、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和碳化硅(SiC)功率器件等产品的重要性愈发凸显(www.e993.com)2024年11月10日。不管是国内还是国外,不论是半导体厂商还是车企,皆加快了对车用功率半导体的布局。

众合科技:半导体产品应用于MOSFET、IGBT等功率器件制造,终端应用...

公司回答表示:半导体主要产品包括3-8英寸半导体级抛光片、研磨片,并提供晶圆再生服务;主要产品和服务应用于半导体分立器件、集成电路领域,其中抛光片作为外延衬底片经外延加工后主要用于MOSFET、IGBT、双极性晶体管、FRD、SBD等功率器件、TVS保护器件、CCD、CMOS图像传感器等光电器件、MEMS器件、功率IC等半导体产品制造,研...

详解大功率电源中MOSFET功耗的计算

图2.典型功率MOSFET的导通电阻的温度系数在0.35%每度(绿线)至0.5%每度(红线)之间如果拿不准,可以用一个较差的温度系数和MOSFET的+25°C规格(或+125°C规格,如果有的话)近似估算在选定的TJ(HOT)下的最大RDS(ON):RDS(ON)HOT=RDS(ON)SPEC[1+0.005×(TJ(HOT)-TSPEC)]...

英飞凌推出CoolSiC MOSFET 400V,重新定义AI服务器电源的功率密度...

CoolSiC??MOSFET400VTO-Leadless与现有的650VSiC和SiMOSFET相比,新系列具有超低的传导和开关损耗。这款AI服务器电源装置的AC/DC级采用多级PFC,功率密度达到100W/in??以上,并且效率达到99.5%,较使用650VSiCMOSFET的解决方案提高了0.3个百分点。此外,由于在DC/DC级采用了CoolGaN??晶体管,其系...

功率半导体中超结MOS管基础知识

更低的导通电阻(R):超结MOSFET的结构设计显著降低了导通电阻。这意味着在相同电压等级下,超结MOSFET能够提供更高的效率,减少功率损耗。更高的击穿电压(BV):得益于其独特的结构,超结MOSFET在不增加芯片尺寸的情况下,能够实现更高的击穿电压。这使得它在高压应用中表现得尤为出色。