腰斩SK海力士目标价、预警内存芯片凛冬将至!大摩悲观研报引来反对...
摩根士丹利预测,明年内存芯片公司的HBM供应将达到2500亿Gb,超过需求(1500亿Gb)66.7%。该行还预测,三星电子全面进入HBM市场将是供应过剩的主要原因。反对声音不过,半导体业界认为这一前景过于悲观。他们认为,摩根士丹利忽视了HBM市场的特点,即该市场在客户认可的情况下生产定制产品。SK海力士和三星电子已公开表示...
SK海力士目标价腰斩,内存芯片市场寒冬来袭,摩根士丹利悲观展望...
最近,摩根士丹利发布了一份研报,将韩国芯片制造商SK海力士的目标价大幅下调54%,从26万韩元下调至12万韩元,并将三星电子的目标价下调27.6%。这样的下降不仅引发了市场的不安,也让观察者开始担心整个内存芯片行业的未来。摩根士丹利分析师在研报中指出,智能手机和个人电脑(PC)的需求疲软是导致这一目标价下调的重要...
大摩警告内存市场恶化,SK海力士股价暴跌,领跌韩国芯片股
韩国存储芯片制造商SK海力士的股价周四暴跌,领跌同业,此前摩根士丹利将该股评级下调了两个级距,理由是该公司的定价能力正在减弱。周四早盘,SK海力士股价一度下跌11%,至2月8日以来的最低水平。在首尔上市的其他半导体股中,韩美半导体(HanmiSemiconductor)下跌了8.2%,三星电子下跌了3.4%。摩根士丹利将SK海力士的...
SK海力士目标价“腰斩”:内存市场凛冬来临,投资者需警惕
近期,全球内存市场出现剧烈波动,摩根士丹利最新发布的研究报告直指SK海力士(SKHynix),将其目标价从26万韩元大幅下调至12万韩元,降幅超过50%。这样的剧烈调整引发了投资者的广泛关注,摩根士丹利警告称,内存行业或已进入"凛冬"阶段。面对此情况,市场究竟发生了什么?我们该如何解读这一现象?主体:深入分析内存行业的...
消息称 SK 海力士专注先进 HBM 内存量产,利川 M10F 改为 HBM3E 产线
HBM3E内存量产。一位来自合作方的匿名员工表示,该企业已收到SK海力士的采购订单,正式采购将于今年4季度开始,2025年一季度进行设备安装。SK海力士目前的HBM内存产能为每月14万片晶圆,业界人士预计M10F完全投入运营后可提供每月1万片晶圆的产能,相当于将产量提升7%。本文源自:IT之家...
SK 海力士确认 1c nm 工艺将用于 HBM、LPDDR6、GDDR7 等 DRAM...
8月29日消息,SK海力士今日宣布在业界率先成功开发第六代10纳米级(1cnm)DDR5DRAM内存的同时,也表示1cnm工艺将用于多款其它DRAM内存产品(www.e993.com)2024年9月23日。SK海力士DRAM开发担当副社长金锺焕表示:1c工艺技术兼备着最高性能和成本竞争力,公司将其应用于新一代HBM、LPDDR6、GDDR7等最先进DRAM主力产...
...内存|美光科技|dram|三星电子|财务会计|财务报表|hynix_网易订阅
紫光国芯在存储芯片领域拥有深厚的技术积累,其产品包括特种DRAM、NANDFlash等。在国产存储芯片的推广应用方面发挥了重要作用。由此而言,全球DRAM市场主要集中在了“三巨头”Samsung三星电子、SKHynix海力士和Micron美光科技,虽然近年来中国的DRAM厂商迅猛发展,但是与该三巨头比还是差距不小。那就什么都不要说了,加速...
SK海力士准备大幅提高 DRAM 价格 DDR5价格最高上涨20%
SK海力士准备大幅提高DRAM价格DDR5价格最高上涨20%有关DRAM芯片涨价的报道已经在网上流传了很长时间,但看起来消费者可能很快就会看到行业内大规模价格变动的影响。韩国巨头SKhynix准备大幅提高DDR5DRAM的价格,预计其他制造商也将跟进,未来几个季度的消费者内存价格很可能大涨。
SK 海力士将展示 AI 内存新品:12 层 HBM3E、321-high NAND 等
IT之家8月1日消息,SK海力士今天(8月1日)发布博文,宣布将出席8月6日至8日,在美国加利福尼亚州圣克拉拉举行的全球半导体存储器峰会FMS2024,展示诸多新一代产品。未来存储器和存储峰会(FutureMemoryandStorage)简介前身是主要面向NAND供应商的闪存峰会(FlashMemorySummit),在人工...
全球首款SK海力士1c DDR5内存模块正式亮相
SKHynix宣布已开发出首款采用1c节点(第6代10纳米工艺)制造的16GbDDR5内存。这一成就标志着内存工艺技术开始向近10纳米的极致微型化迈进。10nm级DRAM技术在小型化过程中面临着越来越多的困难,但SKHynix通过业界领先的10nm第五代1b技术克服了技术限制,在业界率先提高了设计封闭性...