加速充电进化:PD3.1 Source芯片汇总与技术前瞻

OB2621支持3.3-21V宽输出电压范围,内置集成了10mR输出开关管,支持最大3A输出电流,采用ESOP8封装辅助散热,可提供最大60W输出能力,同时内置电压反馈环路,极大程度简化PCB板端零件数量。OB2621可搭配昂宝内置MOS的OB2632系列或内置GaN的OB2736系列原边PWM芯片,以及搭配最高支持28V输出的OB2009系列或最高支持12V输出的OB...

DC-DC开关电源稳压芯片选用(7-40V转换5V和3.3V)

开关及基准电压:ON/OFF引脚为低电平时开启此芯片,同时产生一个1.235V的参考电压,用于与反馈电压比较,实现稳压。限流保护:当经过芯片的电流大于4.5A时,芯片自动关闭。过热保护:当芯片温度过高时自动关闭。三极管输出:可简单理解为BUCK电路中的开关三极管。输出反馈:FEEDBACK脚接在电路的输出端,通过输出端的反馈电...

TCL、联想等知名品牌都在用美思半导体电源芯片,你还不来看看

美思半导体MX5410一颗芯片就可以实现协议识别和同步整流控制,外围元件非常精简,MX5410采用SOP-8封装,同时完成同步整流以及快充协议控制反馈,集成度非常的高。MX5410目前支持QC3.0A类规格,支持BC1.2,向下兼容QC2.0,满足目前QC3.0充电器需求;将同步整流控制器内置,电路非常简洁;采用专利的Smart-Feedback(智能反馈)技术...

全面解析:PD3.1 Source芯片最新汇总与选型指南

OB2621支持3.3-21V宽输出电压范围,内置集成了10mR输出开关管,支持最大3A输出电流,采用ESOP8封装辅助散热,可提供最大60W输出能力,同时内置电压反馈环路,极大程度简化PCB板端零件数量。OB2621可搭配昂宝内置MOS的OB2632系列或内置GaN的OB2736系列原边PWM芯片,以及搭配最高支持28V输出的OB2009系列或最高支持12V输出的OB...

MEMS,未来十年路线图|传感器|MEMS|带宽_新浪新闻

DFB(DistributedFeedBack)QDOT和其他激光采购选项、性能、电插效率和成本非密封激光器在升高的环境温度下具有高性能,适合IC内封装环境集成高功率激光器,产量高、可靠性高激光材料的混合集成边缘耦合和垂直耦合光纤连接无源/有源方案、光纤间距缩放和成本...

氮化镓快充市场爆发,悉数6款GaNFET控制芯片

美思迪赛MX6535是国内首颗具备量产条件的氮化镓快充主控制芯片，打破了国内没有氮化镓控制IC和驱动IC的局面(www.e993.com)2024年11月10日。其可以实现精准的多级恒压和多级恒流调节，而无需传统的二次电流反馈电路；采用美思迪赛第二代Smart-Feedback技术，它不仅消除了传统电源的电压电流反馈电路补偿网络的需要，并能在所有操作条件下宽范围输出时（3...

大功率迷你PD充电器将普及,国产电源芯片获重大创新

从芯片的丝印可以看到，这套40W的初级PWM主控芯片采用的型号是MX6913，其内置初级功率开关器件和数模电源控制单元及Smart-Feedback模块，该IC引脚设计为了保证高低压引脚的绝缘距离，采用了高低压脚分离设计，把中间两个引脚空起来了增加安全性，IC看起来像个爬虫。美思迪赛半导体MX6913主控芯片特写。我们再来看次级那颗...

百家争鸣的快充芯片市场

天钰FP6606是一颗高性能的USBPD3.0协议芯片,目前有TQFN-24和TQFN-16两种封装方式,除了支持USBPD3.0快充之外,天钰FP6606可以支持QC4+、QC3.0、QC2.0、AFC、FCP、SCP以及APPLE2.4A等主流的充电协议,兼容性很强,可应用于USBPD快充充电器、USBPD快充车充等产品中。并且该芯片目前已经通过了USBPD3.0认证,...

氮化镓快充市场爆发,这6款GaNFET控制芯片火了

美思迪赛MX6535是国内首颗具备量产条件的氮化镓快充主控制芯片,打破了国内没有氮化镓控制IC和驱动IC的局面。其可以实现精准的多级恒压和多级恒流调节,而无需传统的二次电流反馈电路;采用美思迪赛第二代Smart-Feedback技术,它不仅消除了传统电源的电压电流反馈电路补偿网络的需要,并能在所有操作条件下宽范围输出时(3.3V...

DDR 5内存规范终发布

这里的关键驱动因素是决策反馈均衡(DecisionFeedbackEqualization:DFE)的引入。在非常高的水平上,DFE是一种通过使用来自内存总线接收器的反馈来提供更好的均衡效果来减少inter-symbol干扰的方法。更好的均衡又可以使DDR5内存总线以更高的传输速率运行所需的更清晰的信号传输,而不会发生任何故障。同时,标准中的一些...