聊聊高压CMOS工艺
HVCMOS(High-VoltageCMOS是一种专门设计用于在更高电压下运行的CMOS技术,通常电压范围在12V到40V甚至更高。这涉及对标准CMOS工艺的修改,以创建能够承受更高电场而不发生击穿的器件。HVCMOS技术结合了传统的低压CMOS技术与能够处理高电压的电路设计,使得它能够在集成电路中同时处理低压和高压信号。4.HVCMOS与CMOS在...
格科微上半年归母净利扭亏为盈 手机用CMOS芯片量价同升 下半年将...
此外,自格科微12英寸CIS集成电路特色工艺研发与产业化项目投产以来,该公司经营模式持续由Fabless模式转变为Fab-Lite模式,部分BSI图像传感器产品生产将从直接采购BSI晶圆,转变为先采购标准CIS逻辑电路晶圆,再自主进行晶圆键合、晶圆减薄等BSI晶圆特殊加工工序。半年报显示,在今年上半年,格科微子公司格科半导体已实现800...
全球半导体制造,频频加速!
一旦投入运营,该工厂将拥有每月40,000片300毫米晶圆的产能,采用台积电先进的28/22纳米平面CMOS和16/12纳米FinFET工艺技术。该项目获得了欧盟委员会根据欧盟国家援助规则批准的50亿欧元投资支持,被认为是欧洲半导体制造能力向前迈出的重要一步。总投资预计将超过100亿欧元,包括欧盟、德国政府的...
半导体情报,科学家提出室温下的氧化铟三维垂直集成新方法!
本文探索并实现了在室温下将氧化铟(In2O3)薄膜晶体管(TFT)单片式三维集成的方法,这一创新不仅突破了传统集成电路制造的温度限制,还展示了可与互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺兼容的技术路线。通过这一方法,研究团队成功在硅/二氧化硅(Si/SiO2)衬底上堆叠了多达十层的In2O3TFTs,实现了各种不同结构的设计。实...
半导体晶圆代工“神仙打架”!
据德国《经理人》杂志7月30日报道称,其在德国德累斯顿的12英寸晶圆厂(ESMC)将于8月20日动工。报道称,该晶圆厂由台积电持股70%,合作方英飞凌和恩智浦各持股10%。将聚焦车用和工业用芯片,具体工艺为28/22nm平面CMOS、16/12nmFinFET等成熟制程,预计于2027年实现量产,月产能可达40000片12英寸晶圆。
文章精选|基于45nmCMOS工艺的硅基光电融合单片集成光互连芯片
中国科学院半导体研究所李明研究员团队与祁楠研究员团队合作研制出国内首款基于45nmCMOS工艺的硅基光电融合单片集成光互连芯片,成功实现了光电子与微电子等器件的单片融合集成,单通道支持64Gb/s传输速率,借助微环谐振波分复用技术,4通道单向总带宽达到256Gb/s(www.e993.com)2024年9月19日。图1显示了该硅基光电融合单片集成光互连芯片,...
...制程保护功能膜可应用于CMOS工艺制程的各类半导体芯片生产过程中
公司开发的芯片制程保护功能膜主要用途为在芯片的制造过程中起到防护(灰尘、焊渣等)作用,可应用于涉及CMOS工艺制程的各类半导体芯片生产过程中,包括CMOS图像传感器、OLEDoS显示器等,而相关客户的芯片产品在车载摄像头、VR/AR/MR等众多消费电子产品以及智能制造/医疗/安防等行业领域中均有广泛应用前景。
...作用,可应用于涉及CMOS工艺制程的各类半导体芯片生产过程中
公司开发的芯片制程保护功能膜主要用途为在芯片的制造过程中起到防护(灰尘、焊渣等)作用,可应用于涉及CMOS工艺制程的各类半导体芯片生产过程中,包括CMOS图像传感器、OLEDoS显示器等,而相关客户的芯片产品在车载摄像头、VR/AR/MR等众多消费电子产品以及智能制造/医疗/安防等行业领域中均有广泛应用前景。感谢您的关注!
中国科学院微电子所在新型纳米环栅CMOS工艺与器件技术方面获进展
中国科学院微电子所在新型纳米环栅CMOS工艺与器件技术方面获进展随着集成电路制造技术持续演进,堆叠纳米片环栅场效应晶体管(StackedNanosheetsGAAFET)在3纳米以下节点将替代传统鳍型晶体管(FinFET),进一步推动半导体产业发展。然而,面对大规模制造的需求,GAA晶体管技术需突破N型与P型器件工作电流(Ion)严重失配和阈值...
张荣院士:宽禁带半导体的几个基础问题
张荣院士:宽禁带半导体的几个基础问题宽禁带半导体技术快速崛起,未来10年将对国际半导体产业格局重塑产生至关重要的影响。宽禁带半导体是全球高技术竞争的关键领域之一,我国高度重视,在“中国制造2025”、2035中长期科技规划、十四五计划中,均将宽禁带半导体列为重点方向。“十四五”将重点解决能用好用及可持续创新能力...