热门赛道 | PVD(物理气相沉积),半导体关键前道工艺

矩阵多元科技目前专注于半导体先进封装的薄膜沉积工艺,已掌握国际领先的磁控溅射PVD设备的关键技术,具备整机设计、生产和交付能力,并自主研发了溅射阴极系统、面板级封装基片装载系统等多项关键子系统。公司推出的工业级量产设备DEP600(双枚叶式先进封装溅射PVD设备)用于扇出型面板级封装的种子层金属化,已经获得了国内多...

国内首条光子芯片中试线启用,覆盖从光刻到封装全闭环工艺

上海交通大学无锡光子芯片研究院透露，下阶段，研究院将基于6/8寸薄膜铌酸锂晶圆，以薄膜铌酸锂调制器为核心，攻克薄膜铌酸锂光子芯片产业化面临的工程技术难题，开发晶圆级芯片量产工艺，实现薄膜铌酸锂光子芯片规模量产，满足人工智能发展等大算力需求。

晶圆级封装(WLP),五项基本工艺

溅射工艺:在晶圆表面形成薄膜溅射是一种在晶圆表面形成金属薄膜的物理气相沉积(PVD)工艺。如果晶圆上形成的金属薄膜低于倒片封装中的凸点,则被称为凸点下金属层(UBM,UnderBumpMetallurgy)。通常凸点下金属层由两层或三层金属薄膜组成,包括:增强晶圆粘合性的黏附层;可在电镀过程中提供电子的载流层;以及具有焊料润湿...

引领行业新高度,南智光电与LUCEDA合作发布晶圆级薄膜铌酸锂PDK

近日，南京南智先进光电集成技术研究院有限公司正式发布了基于Luceda业界标准架构的晶圆级薄膜铌酸锂器件工艺设计套件（ProcessDesignKit，简称PDK）1.0版。这一重要发布依托于Luceda的先进设计平台，标志着薄膜铌酸锂光电子器件设计与加工工艺标准化迈上新台阶，为客户提供了更专业高效的流片服务。Luceda的PDK架构在光电子...

全球首片8寸硅光薄膜铌酸锂光电集成晶圆在中国下线

九峰山实验室工艺中心基于8寸薄膜铌酸锂晶圆，开发与之匹配的深紫外（DUV）光刻、微纳干法刻蚀及薄膜金属工艺，成功研发出首款8寸硅光薄膜铌酸锂晶圆，实现低损耗铌酸锂波导、高带宽电光调制器芯片、高带宽发射器芯片集成。此项成果为薄膜铌酸锂光电芯片的研制与超大规模光子集成提供了一条极具前景的产业化技术路线...

半导体后端工艺|第七篇:晶圆级封装工艺

溅射工艺:在晶圆表面形成薄膜溅射是一种在晶圆表面形成金属薄膜的物理气相沉积(PVD)6工艺(www.e993.com)2024年11月17日。如果晶圆上形成的金属薄膜低于倒片封装中的凸点,则被称为凸点下金属层(UBM,UnderBumpMetallurgy)。通常凸点下金属层由两层或三层金属薄膜组成,包括:增强晶圆粘合性的黏附层;可在电镀过程中提供电子的载流层;以及具有焊料润...

芯报丨全球首片!8寸硅光薄膜铌酸锂光电集成晶圆在湖北下线

全球首片8寸硅光薄膜铌酸锂光电集成晶圆在九峰山实验室下线。此项成果使用8寸SOI硅光晶圆键合8寸铌酸锂晶圆,单片集成光电收发功能,为目前全球硅基化合物光电集成最先进技术。该项成果可实现超低损耗、超高带宽的高端光芯片规模制造,为目前全球综合性能最优的光电集成芯片。此项成果由九峰山实验室联合重要产业合作伙伴开...

南智光电打造“薄膜铌酸锂+X”异质集成平台,促进光电技术创新与...

包晓清:南智光电拥有长三角首家“薄膜铌酸锂+X”异质集成光电共性技术平台,各类高端微纳加工设备近50台套,建成国内首条铌酸锂光子芯片产线,晶圆级薄膜铌酸锂微纳工艺处于国内领先水平。同时,南智光电成功生长出8英寸光学级铌酸锂晶棒,并成功转化高性能激光器、高亮度光源、高光谱相机、超构透镜等10余项科研成果,引进培育光...

...微系统所成功开发面向二维集成电路的单晶金属氧化物栅介质晶圆

从而,在单晶金属Al(111)表面形成稳定、化学计量比准确、原子级厚度均匀的c-Al2O3(0001)薄膜晶圆(图1c,d)。进一步,利用自对准工艺,成功制备出低功耗c-Al2O3/MoS2晶体管阵列(图2a,b),晶体管阵列具有良好的性能一致性(图2c)。晶体管的击穿场强(17.4MV/cm)、栅漏电流(10-6A/cm2)、界面态密度(8.4×...

PE投资丨半导体ALD工艺原理和发展前景

相较于传统PVD及CVD工艺,ALD工艺沉积效率不高,但ALD的优势在于每个沉积周期中,只有一层物质被添加到薄膜中,因此ALD具有高度均匀精确的薄膜厚度控制以及对复杂形状的表面适用性高等优点。因此,预期在先进晶圆制程中,原子层沉积ALD的占比将越来越高。ALD设备的市场规模情况...