预算3.51亿元!北京航空航天大学近期大批仪器采购意向
采购科研教学用高性能金属/复合材料柔性热成形设备一套(1)满足高性能金属/复合材料常用成形温度区间:室温-1200摄氏度;(2)具备温度自动监测与调控系统,可实现升降温速率控制;(3)多压头联动及控制,最大成形力不小于4000kN。
等离子刻蚀机 —— 表面处理的创新技术
通过刻蚀可以去除金属表面的氧化层和污染物,提高金属的表面性能,如耐磨性、耐腐蚀性和美观性。同时,等离子刻蚀机还可以在金属表面刻蚀出特定的图案和纹理,增加金属的装饰性。等离子刻蚀机作为一种创新的表面处理技术,具有高精度、选择性刻蚀、环保高效等优势,在半导体制造、光学制造、电子制造和材料表面处理等领域中得到...
半导体刻蚀设备行业报告:制程微缩叠加3D趋势,市场空间持续拓宽
金属硬掩模一体化刻蚀为后段金属沟槽/通孔刻蚀的主流金属硬掩膜一体化刻蚀(AIO-ET,AllInOneEtch)需在干法刻蚀机的同一个工艺腔体内一次完成,包括:①一次光刻完成沟槽形貌定义;②金属刻蚀腔完成金属掩膜刻蚀、去光刻胶,停在TEOS上,完成沟槽形貌刻蚀;③二次光刻完成通孔形貌定义;④干法刻蚀形成半通孔...
一万八干字详解半导体刻蚀工艺_腾讯新闻
例如,FinFET技术的引入提高了晶体管的开关速度和能效,但也对刻蚀工艺提出了新的挑战,需要更高的刻蚀精度和选择性。综上所述,刻蚀工艺在半导体制造过程中占据着至关重要的地位,是实现高性能、复杂结构和新技术的核心工艺之一。通过不断优化和创新刻蚀工艺,半导体制造商能够持续推动技术进步,满足市场对更高性能、更...
第三代超导-半导体复合器件制备工艺——一种同时实现原子级异质...
最早发现马约拉纳零能模迹象的复合量子器件,其制备涉及非原位的加工工艺(可称为第一代),它是先用刻蚀去除氧化层、而后进行金属沉积[Science336,1003(2012)]。然而,这种方法往往会导致一个小而软的诱导超导能隙,容易带来准粒子中毒,影响拓扑保护和探测马约拉纳零能模。随后为了诱导更好的超导能隙,催生了第二...
半导体刻蚀设备行业研究:半导体制造核心设备,国产化之典范
刻蚀可分为湿刻和干刻,湿刻各向异性较差,侧壁容易产生横向刻蚀造成刻蚀偏差,通常用于工艺尺寸较大的应用,干刻是目前主流的刻蚀技术,其中,等离子体干刻应用最广(www.e993.com)2024年10月18日。根据等离子体产生方法不同,等离子体刻蚀又划分为ICP(电感性等离子体刻蚀)和CCP(电容性等离子体刻蚀)两大类,ICP主要用于硅、金属以及部分介质刻蚀,CCP...
晶圆级封装(WLP),五项基本工艺
光刻胶去胶工艺和金属刻蚀工艺:去除光刻胶在所有使用光刻胶图案的工艺步骤完成后,必须通过光刻胶去胶工艺来清除光刻胶。光刻胶去胶工艺是一种湿法工艺,采用一种被称为剥离液(Stripper)的化学溶液,通过水坑式、浸没式,或喷淋式等方法来实现。通过电镀工艺形成金属引线或凸点后,需清除因溅射形成的金属薄膜。这是...
等离子体刻蚀在半导体图案化中工艺流程
1.等离子刻蚀概述在等离子体刻蚀过程中,在注入适合于相关层的等离子体源气体之前,应先将用于进行刻蚀的处理室内部调整成真空状态。当刻蚀固体氧化物膜时,应使用较强的碳氟基源气体。对于相对较弱的硅或金属膜,则应使用氯基等离子体源气体。那么,栅极层和底层二氧化硅(SiO2)绝缘层应该如何刻蚀呢?
半导体刻蚀机行业专题报告:国产替代空间充裕
CCP:能量高、精度低,常用于介质材料刻蚀,诸如逻辑芯片的栅侧墙、硬掩膜刻蚀、中段的接触孔刻蚀、后端的镶嵌式和铝垫刻蚀等,以及3D闪存芯片工艺(氮化硅/氧化硅)的深槽、深孔和连线接触孔的刻蚀等。ICP:能量低、精度高,主要用于硅刻蚀和金属刻蚀,如硅浅槽隔离(STI)、锗(Ge)、多晶硅栅结构、金属栅结构...
半导体制造技术之刻蚀工艺
W-ETCH工艺,W刻蚀工艺中使用SF6作为主刻步气体,并通过加入N2以增加对光刻胶的选择比,加入O2减少碳沉积。在W回刻工艺中分为两步,第一步是快速均匀地刻掉大部分W,第二步则降低刻蚀速率减弱负载效应,避免产生凹坑,并使用对TiN有高选择比的化学气体进行刻蚀。