天合光能申请 TBC 太阳能电池及制备方法专利,能够缩短工艺时长...

为此目的,本发明的TBC太阳能电池的制备方法包括:提供衬底,衬底包括第一表面;在第一表面上依次形成隧穿氧化层和本征多晶硅层;在本征多晶硅层上进行掺杂以形成第一掺杂层;在本征多晶硅层上进行激光掺杂以形成第二掺杂层,第一掺杂层和第二掺杂层的掺杂类型相反,第一掺杂层和第二掺杂层之间具有由未掺杂的本征多晶硅层...

拉普拉斯新能源科技申请隧穿氧化层和多晶硅层的制备方法及反应炉...

金融界2024年10月29日消息,国家知识产权局信息显示,拉普拉斯新能源科技股份有限公司申请一项名为“隧穿氧化层和多晶硅层的制备方法及反应炉”的专利,公开号CN118824842A,申请日期为2024年6月。专利摘要显示,本公开涉及半导体技术领域,具体涉及一种隧穿氧化层和多晶硅层的制备方法及反应炉,解决了相关技术中隧穿氧化...

武汉华星光电申请驱动背板和显示面板专利,简化制备工艺

金融界2024年10月29日消息,国家知识产权局信息显示,武汉华星光电半导体显示技术有限公司申请一项名为“驱动背板和显示面板”的专利,公开号CN118825039A,申请日期为2024年8月。专利摘要显示,本申请提供一种驱动背板和显示面板,驱动背板包括阵列排布在显示区的多个子像素,每个子像素包括多晶硅晶体管、氧化物晶体管以...

大国工匠!半导体级多晶硅项目首批产品出炉

自2011年进入硅料产业领域,大全能源长期专注于高纯多晶硅产品的研发,经过十余年的自主研发、技术沉淀和创新突破,积累了覆盖多晶硅生产全流程的核心技术。据介绍,大全能源已掌握高纯多晶硅的核心制备工艺,在冷氢化、精馏提纯、三氯氢硅还原、尾气处理、产品整理等工艺流程中积累了丰富的经验,持续引领多晶硅工艺技术发展。...

晶合集成获得发明专利授权:“半导体器件及其制备方法”

本发明的制备方法制备的半导体器件可以在多晶硅层刻蚀之后避免出现多晶硅残留的同时,还可以避免出现CD工艺窗口的不足问题。今年以来晶合集成新获得专利授权235个,较去年同期增加了15.2%。结合公司2024年中报财务数据,今年上半年公司在研发方面投入了6.14亿元,同比增22.27%。

方博科技申请一种大功率 LED 用高环境稳定性反射电极材料的制备...

专利摘要显示,本发明公开了一种大功率LED用高环境稳定性反射电极材料的制备方法,涉及光电子器件技术领域(www.e993.com)2024年11月22日。本发明先使用准分子激光退火工艺制备多晶硅衬底,能使得多晶硅生长底层的晶粒充分生长,降低粗糙度和改善电压不均匀的问题。其次,在多晶硅层衬底表面形成双层石墨烯薄膜,将Ag3Sn掺杂入双层石墨烯,和双层石墨烯发...

绵阳炘皓新能源申请双层多晶硅太阳能电池片相关专利,提升光电转换...

金融界2024年10月9日消息,国家知识产权局信息显示,绵阳炘皓新能源科技有限公司申请一项名为“一种双层多晶硅太阳能电池片的制备方法、太阳能电池及应用”的专利,公开号CN118748224A,申请日期为2024年6月。专利摘要显示,本发明公开了一种双层多晶硅太阳能

多晶硅期货前瞻(一)多晶硅的性质及生产工艺

二、多晶硅的生产工艺目前,多晶硅生产技术主要有改良西门子法和硅烷流化床法两种,产品分别为棒状硅和颗粒硅。改良西门子法历史较长,硅烷流化床技术发展迅速,据光伏行业协会(以下简称CPIA)报告,2023年国内颗粒硅和棒状硅的市场份额分别为17.3%和82.7%。1.改良西门子法...

国内多晶硅生产工艺研究现状

碳热还原法对硅矿和碳矿的纯度有很高要求，其中的杂质必须达到ppm以下。因此，若想得到高纯的产品，需要将原材料纯度提高到太阳级水平。这种工艺制备的多晶硅纯度高，但该工艺开发时间较短，尚未得到广泛推广，且国内相关的研究很少，仅有一些科研单位进行了深入的研究。3.2电解熔盐法[7]熔盐法也是制作太阳能级多晶硅...

从沙粒到“黑金”:硅料到光伏发电的华丽旅程

流化床技术(颗粒硅技术)包含基于硅烷和三氯氢硅的两种技术路径,其中硅烷流化床技术为第二大多晶硅制备工艺。流化床法的主要原理是将硅烷用氢气作为载体,像气流一样从流化床反应器底部注入,然后上升到中间加热区反应。随着反应的进行,硅逐渐沉积在悬浮状态的硅籽晶上,使籽晶颗粒不断地生长。长大到足够重量的时候,硅颗...