直击股东大会|上海新阳:希望今年光刻胶收入达到千万元水平

随着半导体制程提升,ArF浸没式(湿法)光刻胶市场有望持续高景气扩容,而ArF湿法光刻胶制备难度高,高端光刻胶国产化替代势在必行。目前上海新阳部分ArF浸没式光刻胶产品客户端测试验证顺利,部分型号产品已取得良好的测试结果及工艺窗口,技术指标与对标产品比较接近。“光刻胶的验证需要配合客户不断调整配方,因此验证周期...

年产5000吨LCD显示光刻胶专用纳米颜料分散液项目可行性研究报告

公司通过本次项目建设“年产5000吨LCD显示光刻胶专用纳米颜料分散液项目”，有利于公司进一步布局并抢占下游市场，推动LCD光刻胶产业加速升级及国产突破，对于光刻胶产业及国家产业链实现自主可控具有深远意义。

重大突破!国产光刻胶通过量产验证

光刻胶的分类依据使用场景，可以分为用于集成电路制造的g线光刻胶、i线光刻胶、KrF光刻胶、ArF光刻胶等。目前，我国半导体光刻胶国产化率仍处于较低水平。尤其是KrF、ArF光刻胶对外依赖最为严重，国产化率均仅在1%水平。其中，KrF光刻胶主要用于248nm的光刻工艺，适用于对应工艺制程在250nm到150nm之间的集成电...

...课题组Angew Chem:可水显影的二氧化碳基深紫外化学放大光刻胶

通过对化学结构、光刻胶配方、光刻工艺等因素的系统优化,该光刻胶树脂的灵敏度可达1.9mJ/cm2,对比度为7.9,分辨率为750nm(光刻设备极限),线边缘粗糙度为26nm,抗刻蚀性高于传统光刻胶38%,室温光照环境下光刻胶溶液可稳定储存60天以上。图2.P2MeCXC聚合物在酸性条件下的水解研究作者利用双功能有机硼催化...

上海新微研发中心申请一种金属电极及其制备方法专利,简化工艺步骤

以形成贯穿隔离介质层的开口;形成填充开口并覆盖隔离介质层上表面的黏附层,并于黏附层上表面形成阻挡层及导电层,以得到金属电极膜层结构;提供一包括前置反应剂、缓冲剂及至少两种主刻蚀剂的电极刻蚀剂,于导电层的上表面形成图案化的光刻胶层;基于图案化的光刻胶层刻蚀金属电极膜层结构,且仅采用电极刻蚀剂对金属...

万润股份获得发明专利授权:“用于光刻胶底部抗反射涂层的聚合物及...

证券之星消息,根据企查查数据显示万润股份(002643)新获得一项发明专利授权,专利名为“用于光刻胶底部抗反射涂层的聚合物及制备方法和应用”,专利申请号为CN202410269048.6,授权日为2024年5月10日(www.e993.com)2024年11月22日。专利摘要:本发明涉及光刻胶技术领域,具体涉及用于光刻胶底部抗反射涂层的聚合物及制备方法和应用,所述聚合物具有如下结...

晶圆级封装(WLP),五项基本工艺

扇入型晶圆级芯片封装工艺在扇入型晶圆级芯片封装中,合格晶圆首先将进入封装生产线。通过溅射工艺在晶圆表面制备一层金属膜,并在金属膜上涂覆一层较厚的光刻胶,光刻胶厚度需超过用于封装的金属引线。通过光刻工艺在光刻胶上绘制电路图案,再利用铜电镀工艺在曝光区域形成金属引线。随后去除光刻胶,并利用化学刻蚀(Che...

之江实验室/浙大匡翠方教授团队AFM:高灵敏阳离子型双光子光刻胶

图6TP-EO光刻胶制备的拓扑液体二极管。总结开发了一种用于高通量、高分辨率TPL纳米制造的高灵敏度阳离子型光刻胶,实现了100mm/s的刻写速度和<200nm的特征线宽。通过使用NA-PYZ双分子光敏体系,实现比SU-8环氧光刻胶高约600倍的双光子光敏性,优于大多数阳离子型光刻胶。

半导体光学“四新”论坛!光学领域新工艺、新技术、新市场、新热点...

16:25-16:50AC-AR工艺制备显示屏用超高清玻璃产业化厦门威亮光电技术有限公司张崇照总经理16:50-17:15光刻胶国产化的挑战待定拟邀徐州博康/明士/圣泉研发总监17:15-17:40光刻胶产线开发工艺与装备上海逊马电子工程开发公司总经理陈浩然...

科学网—功能型光刻胶实现特大规模集成度有机芯片制造

研究团队设计的新功能型光刻胶,在光交联后形成了纳米尺度的互穿网络结构,兼具良好的半导体性能、光刻加工性能和工艺稳定性,实现了亚微米量级特征尺寸图案的可靠制造,且图案本身就是一种半导体,简化了芯片制造工艺。此外,该光刻胶可通过添加感应受体实现不同的传感功能。研究团队进一步在光刻胶材料中负载了具有光伏效应...