华虹半导体(无锡)申请 MIM 电容制作方法专利,提高器件可靠性和良率

专利摘要显示,本申请公开了一种MIM电容的制作方法,包括:在层间介质层上覆盖光阻,依次通过曝光和显影暴露出目标区域;通过CDE工艺进行刻蚀,在目标区域的层间介质层中形成沟槽,沟槽底部的内角为圆弧型,沟槽的开口的宽度大于目标区域的宽度;去除光阻;依次形成第一电极层、电容介质层、第二电极层和顶部金属层;进行平...

统联精密接待2家机构调研,包括工银瑞信基金管理有限公司、德邦...

公司以客户需求为导向，围绕MIM及非MIM业务线进行拓展，大客户业务占比超过70%，并积极进行客户多元化及应用领域多元化布局。据了解，统联精密与大客户合作模式为直接配合研发，并在确定价格与供应份额后，根据大客户指定交货给组装厂商。公司坚持服务大客户策略，通过工艺创新和技术优势，深度挖掘客户需求，增强合作粘性。...

半导体foundry工程师进阶课〖工艺规则DRC/LVS/RCX的Runset开发〗

Conformal结构描述犯错的一个典型用例。由于没有忽略器件内部寄生电容导致结果不准确的典型用例。5个corner中,RCbest,RCworst的具体含义。先进工艺中11个corner中的CCworst,CCbest的具体含义。本课程提供了与培训内容相对应的运行实例,学员可以联系课程最后一页的邮箱来下载用例。RCXRunset培训4:如何在版图...

统联精密获5家机构调研:公司长沙MIM生产基地的总投资额为6亿元...

只是如果涉及到异形复杂的结构,如中空、镂空等,MIM工艺受限于模具无法满足,3D打印技术却可以实现。此外,3D打印技术可以适用外观面要求高光效果的产品,而MIM工艺则更适合要求有哑光、拉丝等外观效果的产品。但是在量产性和综合比较成本等方面,MIM工艺比3D打印具有比较优势。因此,3D打印技术和MIM工艺在满足客户不同的产品...

上海市科学技术委员会

研究内容:研究原子层沉积工艺中SrTiO3前驱体在金属电极表面成核的理论和实践方法,探究前驱体分子结构对SrTiO3生长工艺窗口,生长速率和致密性的影响机制,研究元素掺杂,界面工程,退火方式等对薄膜介质和电学特性的影响规律,探究基于SrTiO3高介电常数材料的MIM电容器导电机制,探索SrTiO3基高介电常数材料在高深宽比...

国内半导体正在破局—专利项

本公开用于改善MIM电容器的可靠性(www.e993.com)2024年11月7日。本源量子:量子比特装置量子信息泄露的测试方法及装置天眼查显示,本源量子计算科技(合肥)股份有限公司近日取得一项名为“量子比特装置量子信息泄露的测试方法及装置”的专利,授权公告号为CN116702910B,授权公告日为2024年7月16日,申请日为2022年2月28日。

台积电2nm,下周开始试生产

台积电表示,公司主要客户已完成2nmIP设计并开始硅验证,台积电还开发出低阻值RDL(重新分布层)、超高性能金属-绝缘体-金属(MiM)电容器,以进一步提升性能。台积电N2技术将于2025年推出,无论是在密度还是在能效方面,它都将成为半导体行业最先进的技术。N2技术采用领先的纳米片晶体管结构,将提供全节点性能和功率...

统联精密接待5家机构调研,包括海富通基金、天风证券、中信证券等

自成立以来,公司聚焦金属材料的应用,不断围绕能力边界进行技术延伸和业务拓展。目前,公司MIM、CNC、激光加工、线切割等精密制造工艺的研发及制造能力均已经获得了国内外一流客户的认可。公司产品主要应用于折叠屏手机、平板电脑、笔记本电脑、台式电脑、智能触控电容笔、智能穿戴设备、航拍无人机、运动相机等新型消费电子...

南开大学,最新Nature Electronics??!

基于MIM结构的电容-电压(C-V)测量证实,ALD生长的Al2O3(39nm)和HfO2(30nm)的介电常数分别为9.6和17.2。集成具有更高k值的电介质可以进一步降低CET。为此,作者制造了一个顶栅MoS2晶体管,其厚度为2nmHfO2,由SiO2/Si衬底上垂直生长的Pd晶体支撑(图4a)。如图4b所示,该FET...

内存制造技术再创新,大厂新招数呼之欲出

3DDRAM设计重点是解决制程节点微缩和多层堆叠的难题,另外,还有电容器和晶体管微缩,以及单元间连接和通孔阵列,还要制定相应的工艺规格。通过垂直堆叠,3DDRAM芯片将单位面积的容量增加3倍。3DDRAM与HBM在设计和制造层面都是不一样的。据TheElec报道,三星和SK海力士都已将混合键合确定为未来制造3DDRAM的关键封装...