进入高NA EUV光刻时代
虽然现在把超高数值孔径紫外光(Hyper-NAEUV)称作明日之星,着实言之过早,但是imec与ASML已经开始进行相关的可行性研究。Hyper-NA的数值孔径可以高达0.75-0.85,可能成为0.55NAEUV的继任者,使业界能够打印间距远低于20nm的线条/空间,从而避免重新依赖高NAEUV多重图案化。这项技术能否成为现实,将...
台积电将于本月底开始安装第一台 High-NA EUV 光刻机
第一个专为研发应用打造的超硬紫外和高数值孔径(High-NA)ASMLTwinscanEXE:5000设施将安装在台积电位于台湾新竹的新竹工厂。9月,全球最大的半导体承包商将开始接收机器组件,之后将需要几个月的时间来组装和校准设备,然后才能测试下一代半导体技术。台积电先进的N2(2类纳米)和A16(1.6纳米类)工...
台积电大砍价:消息称其首台 High NA EUV 光刻机远低于3.5亿欧元
IT之家9月10日消息,继英特尔抢先于2024年4月宣布完成业界首台高数值孔径极紫外(HighNAEUV)光刻机组装后,台积电竹科园区将于9月底前引进其首台高数值孔径极紫外光刻机,较外界所猜测的年底时间点提前一整个季度。Digitimes报道称,台积电首部HighNAEUV设备的购入价格远低于原定的3.5...
永新光学:公司所生产的NA1.49物镜是世界上数值孔径最大的显微物镜
其中,公司所生产的NA1.49物镜是世界上数值孔径最大的显微物镜。自研生产的激光共聚焦显微镜自2021年问世以来销售连续三年快速增长,2023年发布的NSR950超分辨显微镜突破光学衍射极限,达到百纳米级分辨率和百帧速度的超分辨图像拍摄,实现了我国高端显微镜的“跨越式”发展,谢谢!
ASML 高数值孔径 High NA EUV 光刻机实现“初次曝光”,助英特尔...
IT之家2月28日消息,英特尔技术开发负责人AnnKelleher在周二于圣何塞举行的SPIE光刻会议上提到他们已经在ASML新型高数值孔径(HighNA)EUV光刻机上实现了“初次曝光”里程碑,而ASML也进行了证实,并表示接下来将继续测试和调整该系统,使其能够发挥其全部性能。
消息称 ASML 明年推出用于 2nm 芯片制造的高 NA 光刻机,英特尔已...
IT之家12月19日消息,SamMobile消息称,ASML将于未来几个月内推出用于2nm制程节点的芯片制造设备,将数值孔径(NA)光学性能从0.33提高到0.55,而三星计划在2025年底开始生产2nm芯片(www.e993.com)2024年10月2日。据称,ASML明年规划产能仅有10台,而英特尔已经预订了其中6台,不过ASML计划在未来几年内将此设备产能提...
集成电路学院在面向高数值孔径极紫外光刻的光源-掩模联合优化算法...
高数值孔径(HighNA,NA="0.55)极紫外(EUV)光刻是实现5nm及以下技术代先进集成电路制造的关键技术,其成像性能受到诸多因素的限制。光源-掩模联合优化(SMO)是先进光刻工艺中提升成像质量的一项重要技术,并在14nm及以下技术代中实现成功应用。因此,建立面向High"NAEUV光刻系统的SMO算法具有明确且重要的实际应用价值...
遮遮掩掩 ASML向未披露名称公司交付了其第二台高数值孔径极紫外光...
太平洋科技资讯荷兰半导体设备制造商阿斯麦(ASML)近日向一家未披露名称的公司交付了其第二台高数值孔径(NA)极紫外(EUV)光刻机,这台高端光刻机旨在制造比当前设备所能制造的密度更高的芯片。据路透社报道,第二台高端光刻机的出货意味着这一技术正逐渐被采用,并有望推动半导体行业的发展。
ASML High-NA EUV光刻机取得重大突破:成功印刷10纳米线宽图案
IT之家4月18日消息,荷兰阿斯麦(ASML)公司宣布,其首台采用0.55数值孔径(NA)投影光学系统的高数值孔径(High-NA)极紫外(EUV)光刻机已经成功印刷出首批图案,这标志着ASML公司以及整个高数值孔径EUV光刻技术领域的一项重大里程碑。
浚真专利光学技术赋能高精准细胞计数
数值孔径NA数值孔径定义为物镜可以收集光线的空间角度,数值孔径决定了物镜的分辨能力。分辨率Resolution分辨率定义为标本上两点之间的最短距离,观察者或探测器仍可将其区分为单独的实体。分辨率衡量成像系统再现物体细节的能力,同时受制于所使用的照明类型、探测器像素大小或光学元件功能等因素影响。样品细节越小,所需...