深入理解芯片热参数与结温计算
RθJC定义为结与外壳表面(顶部或底部)之间的热阻。下图为RθJC的测量示意图。测试方法迫使几乎所有的散热都通过器件的单表面(壳体顶部或封装底部),因此RθJC适用于芯片的散热功率通过器件封装的单表面(壳体顶部或底部)传导的情况。这意味着RθJC参数通常适用于仅在封装的顶部(或底部)安装散热片的情况,其中90%以...
LED车灯——大功率散热原理
在Junction的温度导出到LED封装外侧时,就会体现出不同LED的性能。具体在LED的规格书中会有定义不同LED的junction到焊盘处的热阻信息,该值越小越能体现LED的散热性能好,特别是在大功率LED的应用下,该因素至关重要。LED规格书中对热阻的定义2.PCBPCB作为承载LED焊接与走线的主要载体,一要确保线路的排布,二要确...
SmartFET的热响应,一文轻松get√
当系统在长脉冲周期(通常超过100秒)内达到平衡时,器件本身对稳态热阻的贡献非常小,热性能仅取决于测试条件。应注意的是,这些时间周期只是估计值,而且假设所施加的脉冲周期和功率水平完全在针对器件定义的边界条件内,并且不会干扰针对保护电路定义的阈值,例如热关断。重复功率脉冲事件情况下的热阻取决于占空比。根据占空...
热仿真和热特性优化 在汽车LED车灯上的应用
基于最严苛的边界条件定义最大接环热阻;设置热阻网络模型,计算散热器热阻;根据材料、空间预估散热器尺寸与外形;利用CFD软件进行仿真分析;确定热学与光学系统性能及余量;对以上步骤进行优化迭代基于该设计步骤,则可以使用一下仿真与测试工具进行支持,主要包括FloEFD、FloTHERM、T3Ster、TeraLED等工具。1.适当的LE...
详解大功率电源中MOSFET功耗的计算
表1.MOSFET封装的典型热阻可以用下面的公式计算MOSFET的管芯相对于环境的温升:TJ(RISE)=PDDEVICETOTAL×ΘJA接下来,计算导致管芯达到预定TJ(HOT)时的环境温度:TAMBIENT=TJ(HOT)-TJ(RISE)如果计算出的TAMBIENT低于机壳的最大额定环境温度(意味着机壳的最大额定环境温度将导致MOSFET的预定TJ(HO...
谁能替代铜互连?
此外,减法集成方案会导致进一步的材料损耗,这取决于集成工艺的材料使用效率ηint,并受互连金属选择的影响(www.e993.com)2024年7月27日。相比之下,大马士革集成方案需要在CMP之前沉积大量覆盖层,这也会导致ηint??1。Vu可定义为:其中,VIC是制造互连(层)的体积,由互连尺寸以及特定电路的通孔和线路密度决定。
MOSFET基本原理、参数及米勒效应全解
一般MOSFET的规格书里面会定义两个功率损耗参数,一个是归算到芯片表面的功率损耗RthJC,另一个是归算到环境温度的功率损耗RthJA。重点强调一点,与功耗温度曲线密切相关的重要参数热阻,是材料和尺寸或者表面积的函数。随着结温的升高,允许的功耗会随之降低。根据最大结温和热阻,可以推算出MOSFET可以允许的最大功耗。归算到...
TPS特普生在“热管理研究院”科普:入门不同温度传感器(上)
一、热电偶的基本定义热电偶是工业上最常用的温度检测元件之一,热电偶工作原理是基于赛贝克(seeback)效应,即两种不同成分的导体两端连接成回路,如两连接端温度不同,则在回路内产生热电流的物理现象。作为工业测温中最广泛使用的温度传感器之一热电偶,与铂热电阻一起,约占整个温度传感器总量的60%,热电偶通常...
基础知识之晶体管
定义:是指由于输入晶体管的电压、电流产生的功耗在元件发热时,结温Tj为绝对最大额定值限定的温度(Tj=150°C)时的功率。这里,PC、Ta、△Tx、Px可以由各自测定时的设定值或测定结果直接得出,但是只有Tj不能直接得出。因此,如下列出使用VBE的测试方法。
什么是热阻?导热材料中热阻的定义及测试方法介绍
热阻的定义:当热量以热传导的方式通过某一物体时,热量在物体内所遇到的阻力值,被称之为热阻,单位为K(℃)/W;一般而言,导热材料导热系数越大,其热阻值也就越小,但是接触面积与厚度也是影响热阻的因素之一;以导热硅胶片为例,可以通过施加一定的压力填充缝隙,可压缩性能使得硅胶片既达到增加接触面积的目的,又能很...